國外電子信息精品著作：高頻CMOS模擬集成電路基礎（影印版） [Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits] pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[土耳其] 萊布萊比吉（Duran Leblebici），Ysusf Leblebici 等 著

圖書標籤:

• CMOS模擬電路
• 高頻電路
• 模擬集成電路
• 射頻電路
• 電子工程
• 微電子學
• 集成電路設計
• 信號處理
• 通信電路
• 半導體器件

齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030315199

版次：1

商品編碼：10708550

包裝：平裝

叢書名： 國外電子信息精品著作

外文名稱：Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits

開本：16開

齣版時間：2011-06-01

用紙：膠版紙

頁

編輯推薦

· With a design-centric approach， this textbook bridges the gap between fundamentalanalog electronic circuit textbooks and more advanced RF IC design texts.
· The major issues that must be taken into account when combining analog and digitalcircuit building blocks are covered， together with the key criteria and parameters thatare used to describe system-level performance.
· Simple circuit models enable a robust understanding of high-frequency designfundamentals， and SPICE simulations are used to check results and fine-tune the design.
· Analog integrated circuit designers and RF circuit designers in industry who needhelp making design choices will also find this a practical and valuable reference.

內容簡介

《高頻CMOS模擬集成電路基礎（影印版）》以設計為核心理念從基礎模擬電路講述到射頻集成電路的研發。係統地介紹瞭高頻集成電路體係的構建與運行，重點講解瞭晶體管級電路的工作體係，設備性能影響及伴隨響應，以及時域和頻域上的輸入輸齣特性。
《高頻CMOS模擬集成電路基礎（影印版）》適閤電子信息專業的高年級本科生及研究生作為RFCMOS電路設計相關課程的教材使用，也適閤模擬電路及射頻電路工程師作為參考使用。

目錄

Preface
1 Components of analog CMOS ICs
1.1 MOS transistors
1.1.1 Current-voltage relations of MOS transistors
1.1.1.1 The basic current-voltage relations without velocity saturation
1.1.1.2 Current-voltage relations under velocity saturation
1.1.1.3 The sub-threshold regime
1.1.2 Determination of model parameters and related secondary effects
1.1.2.1 Mobility
1.1.2.2 Gate capacitance
1.1.2.3 Threshold voltage
1.1.2.4 Channel length modulation factor
1.1.2.5 Gate length （L） and gate width （W）
1.1.3 Parasitics of MOS transistors
1.1.3.1 Parasitic capacitances
1.1.3.2 The high-frequency figure of merit
1.1.3.3 The parasitic resistances
1.2 Passive on-chip components
1.2.1 On-chip resistors
1.2.2 On-chip capacitors
1.2.2.1 Passive on-chip capacitors
1.2.2.2 Varactors
1.2.3 On-chip inductors

2 Basic MOS amplifiers: DC and low-frequency behavior
2.1 Common source （grounded source） amplifier
2.1.1 Biasing
2.1.2 The small-signal equivalent circuit
2.2 Active transistor loaded MOS amplifier（CMOS inverter as analog amplifier）
2.3 Common-gate （grounded-gate） amplifier
2.4 Common-drain amplifier （source follower）
2.5 The long tailed pair
2.5.1 The large signal behavior of the long tailed pair
2.5.2 Common-mode feedback

3 High-frequency behavior of basic amplifiers
3.1 High-frequency behavior of a common-source amplifier
3.1.1 The R-C load case
3.2 The source follower amplifier at radio frequencies
3.3 The common-gate amplifier at high frequencies
3.4 The cascode amplifier
3.5 The CMOS inverter as a transimpedance amplifier
3.6 MOS transistor with source degeneration at high frequencies
3.7 High-frequency behavior of differential amplifiers
3.7.1 The R-C loaded long tailed pair
3.7.2 The fully differential, current-mirror loaded amplifier
3.7.3 Frequency response of a single-ended output long tailed pair
3.7.4 On the input and output admittances of the long tailed pair
3.8 Gain enhancement techniques for high-frequency amplifiers
3.8.1 Additive approach: distributed amplifiers
3.8.2 Cascading strategies for basic gain stages
3.8.3 An example: the Cherry-Hooper amplifier

4 Frequency-selective RF circuits
4.1 Resonance circuits
4.1.1 The parallel resonance circuit
4.1.1.1 The quality factor of a resonance circuit
4.1.1.2 The quality factor from a different point of view
4.1.1.3 The Q enhancement
4.1.1.4 Bandwidth of a parallel resonance circuit
4.1.1.5 Currents of L and C branches of a parallel resonance circuit
4.1.2 The series resonance circuit
4.1.2.1 Component voltages in a series resonance circuit
4.2 Tuned amplifiers
4.2.1 The common-sot/rce tuned amplifier
4.2.2 Thi tuned cascode amplifier
4.3 Cascaded tuned stages and the staggered tuning
4.4 Amplifiers loaded with coupled resonance circuits
4.4.1 Magnetic coupling
4.4.2 Capacitive coupling
4.5 The gyrator: a valuable tool to realize high-value on-chip inductances
4.5.1 Parasitics of a non-ideal gyrator
4.5.2 Dynamic range of a gyrat0r-based inductor
4.6 The low-noise amplifier （LNA）
4.6.1 Input impedance matching
4.6.2 Basic circuits suitable for LNAs
4.6.3 Noise in amplifiers
4.6.3.1 Thermal noise of a resistor
4.6.3.2 Thermal noise of a MOS transistor
4.6.4 Noise in LNAs
4.6.5 The differential LNA

5 L-C oscillators
5.1 The negative resistance approach to L-C oscillators
5.2 The feedback approach to L-C oscillators
5.3 Frequency stability of L-C oscillators
5.3.1 Crystal oscillators
5.3.2 The phase-lock technique
5.3.3 Phase noise in oscillators

6 Analog-digital interface and system-level design considerations
6.1 General observations
6.2 Discrete-time sampling
6.3 Influence of sampling clock jitter
6.4 Quantization noise
6.5 Converter specifications
6.5.1 Static specifications
6.5.2 Frequency-domain dynamic specifications
6.6 Additional observations on noise in high-frequency ICs
Appendix A Mobility degradation due to the transversal field
Appendix B Characteristic curves and parameters of AMS 0.35 micron NMOS and PMOS transistors
Appendix C BSIM3-v3 parameters of AMS 0.35 micron NMOS and PMOS transistors
Appendix D Current sources and current mirrors
D.1 DC current sources
D.2 Frequency characteristics of basic current mirrors
D.2.1 Frequency characteristics for normal saturation
D.2.2 Frequency characteristics under velocity saturation
References
Index

前言/序言

低功耗模擬集成電路設計：麵嚮物聯網與可穿戴設備的挑戰與機遇 隨著物聯網（IoT）和可穿戴設備的迅猛發展，低功耗模擬集成電路的設計正麵臨前所未有的挑戰和機遇。這些新興應用對電路的能耗、性能和尺寸提齣瞭嚴苛的要求，促使設計者在器件選擇、電路拓撲、功耗管理以及係統集成等方麵進行深入探索和創新。本書旨在為讀者提供一個全麵且深入的視角，探討低功耗模擬集成電路設計的核心原理、關鍵技術以及麵嚮物聯網和可穿戴設備的應用。 第一章：物聯網與可穿戴設備對模擬集成電路的驅動 本章將首先概述物聯網和可穿戴設備的蓬勃發展態勢，分析其在智能傢居、智能醫療、環境監測、工業自動化等領域的廣泛應用。在此基礎上，重點闡述這些應用場景對模擬集成電路提齣的獨特而關鍵的需求，包括極低的功耗預算、對環境變化的敏感感知能力、小尺寸和高集成度、以及在有限能量下的持續運行能力。我們將探討傳感器接口電路、低噪聲放大器（LNA）、模數轉換器（ADC）、數模轉換器（DAC）等在這些設備中的關鍵作用，並強調其設計中功耗與性能之間的權衡。此外，還將簡要介紹當前模擬集成電路設計的趨勢，如采用先進的CMOS工藝、發展新興的低功耗器件以及對模擬信號鏈的優化。 第二章：低功耗模擬電路設計的基礎理論與方法 本章將深入探討低功耗模擬電路設計的核心理論和基本方法。我們將從器件層麵齣發，分析不同晶體管（如NMOS、PMOS、結型場效應晶體管等）在低電壓、低電流條件下的行為特性，以及亞閾值區工作模式的優勢和局限性。重點講解亞閾值電路設計技術，包括亞閾值運放、亞閾值比較器、亞閾值邏輯門等，分析其在降低功耗方麵的原理和實現途徑。 在此基礎上，本章將介紹一係列行之有效的低功耗電路設計技術，包括： 漏電流管理： 討論寄生漏電流的來源及其對功耗的影響，介紹降低漏電流的技術，如采用高柵介質材料、改進工藝控製以及特殊的器件結構。 電源電壓縮減： 闡述降低電源電壓是功耗降低的關鍵，分析低電壓下器件性能下降的問題，介紹電壓倍增器、電荷泵等低壓升壓技術，以滿足對較高信號幅度的需求。 動態功耗與靜態功耗分析： 詳細講解動態功耗（開關功耗）和靜態功耗（漏電功耗）的計算公式，分析影響這兩個參數的因素，並介紹如何通過優化電路結構和工作模式來降低兩者。 時鍾信號功耗管理： 探討時鍾信號在數字和混閤信號電路中的能耗貢獻，介紹低功耗時鍾生成與分發技術，如頻率/電壓縮放、時鍾門控等。 電源管理單元（PMU）： 介紹PMU在整個係統中的作用，包括電壓調節、電源開關控製、低功耗待機模式等，以及設計低功耗LDO（低壓差綫性穩壓器）和DC-DC轉換器（升壓/降壓）的關鍵考慮因素。 第三章：麵嚮物聯網的低功耗傳感器接口電路設計 傳感器是物聯網感知世界的“眼睛”和“耳朵”，傳感器接口電路的設計直接決定瞭係統的信息采集精度和功耗水平。本章將聚焦於麵嚮物聯網應用的低功耗傳感器接口電路設計。 通用傳感器接口： 介紹電阻式、電容式、電感式、壓電式等常見傳感器的工作原理，以及與之匹配的接口電路設計，包括激勵電路、信號調理電路（濾波、放大）、以及與ADC的匹配。 生物傳感器接口： 重點討論用於健康監測和醫療診斷的生物傳感器接口電路，如ECG（心電圖）、PPG（光電容積脈搏波描記法）、血糖傳感器等，分析其信號特點（低幅值、低頻、高阻抗），以及低噪聲、高增益、高輸入阻抗的放大器設計。 環境傳感器接口： 探討用於氣體、濕度、溫度、光照等環境監測傳感器的接口電路，分析其在不同工作條件下的性能需求，以及如何設計低功耗、高精度的數據采集通路。 電荷放大器與跨阻放大器（TIA）： 詳細講解在處理高輸齣阻抗或低輸齣電流的傳感器信號時，電荷放大器和TIA的關鍵設計考慮因素，包括帶寬、噪聲、穩定性以及功耗優化。 量化器設計： 介紹低功耗ADC（模數轉換器）的設計，包括SAR ADC、Sigma-Delta ADC等架構在低功耗方麵的優劣勢，以及如何通過采樣率、分辨率、參考電壓等參數的優化來降低功耗。 第四章：低功耗無綫通信與信號處理 物聯網設備通常需要通過無綫方式進行通信，而無綫通信模塊的功耗是整個係統功耗的重要組成部分。本章將探討低功耗無綫通信與信號處理技術。 低功耗無綫通信標準： 介紹Zigbee、Bluetooth Low Energy (BLE)、LoRa、NB-IoT等主流的低功耗無綫通信技術，分析它們的特點、優勢以及在不同應用場景下的適用性。 射頻（RF）前端的低功耗設計： 重點關注低功耗LNA、功率放大器（PA）、混頻器、低噪聲振蕩器（LXO）等RF前端模塊的設計。討論如何通過架構選擇、器件偏置優化、頻率閤成等技術來降低RF部分的功耗。 基帶信號處理： 探討低功耗的基帶信號處理算法，包括調製/解調、編碼/解碼、信道估計與均衡等。分析如何采用低功耗的數字信號處理器（DSP）或專用集成電路（ASIC）來實現這些功能。 能量采集與無綫供電： 介紹能量采集技術，如太陽能、熱電、射頻能量采集等，以及相應的能量收集電路和電源管理單元設計。討論無綫供電技術在長期運行的物聯網設備中的潛在應用。 功耗可調的通信協議棧： 探討如何設計適應性強的通信協議棧，能夠根據數據傳輸需求動態調整傳輸功率、數據速率和休眠周期，以最大限度地節省能量。 第五章：超低功耗運算放大器與數據轉換器設計 運算放大器（Op-Amp）和數據轉換器（ADC/DAC）是模擬電路的核心組成部分，在低功耗設計中，對其功耗的優化至關重要。 超低功耗運放設計： 深入研究各種低功耗運放拓撲結構，如摺疊式摺疊輸齣級、尾電流源式、自偏置式等。重點分析柵漏偏置、移位寄存器偏置等亞閾值偏置技術的應用，以及如何通過零功耗的補償技術來提高穩定性。討論不同類型的補償方法（密勒補償、極零抵消等）在低功耗場景下的選擇。 低功耗ADC設計： 詳細分析不同ADC架構（如SAR, Sigma-Delta, Pipeline, Flash）在低功耗方麵的設計考量。重點講解SAR ADC在物聯網中的廣泛應用，分析其通過逐次逼近的方式實現低功耗和高效率。深入探討Sigma-Delta ADC在需要高分辨率和低噪聲但對速度要求不高的應用中的低功耗優化策略。 低功耗DAC設計： 介紹R-2R DAC、Thermometer DAC等DAC架構在低功耗設計中的實現，以及如何通過選擇閤適的數字編碼、輸齣緩衝器和參考電壓生成電路來降低功耗。 采樣保持電路（Sample-and-Hold Circuit）： 分析采樣保持電路在數據轉換過程中的功耗貢獻，介紹低功耗采樣保持電路的設計技術，包括使用更小的電容、優化開關驅動信號以及減少電荷注入效應。 第六章：模擬電路的低功耗工藝與封裝技術 除瞭電路設計本身，製造工藝和封裝技術也對模擬集成電路的功耗有著重要影響。 先進CMOS工藝的低功耗特性： 介紹不同CMOS工藝節點（如90nm, 65nm, 45nm, 28nm及以下）在低功耗設計方麵的優劣勢，特彆是低漏電流工藝、高遷移率溝道材料（如SOI）的應用。 高k/金屬柵（HKMG）技術： 分析HKMG技術在降低柵極漏電流方麵的作用，以及它對低功耗模擬電路設計的益處。 器件級的低功耗優化： 討論在器件設計層麵如何降低漏電流和提高性能，如改進阱設計、優化柵氧化層厚度、采用高摻雜技術等。 低功耗封裝技術： 介紹有助於降低功耗的封裝技術，如更小的封裝尺寸、更好的散熱性能、以及集成傳感器或天綫的能力。 混閤信號工藝的挑戰與機遇： 探討在混閤信號（模擬+數字）集成電路設計中，如何在共享工藝平颱上實現最優的模擬和數字部分的功耗性能。 第七章：麵嚮物聯網的模擬集成電路係統集成與驗證 將低功耗模擬電路集成到完整的物聯網或可穿戴設備係統中，需要綜閤考慮係統級功耗、性能和成本。 係統級功耗預算與優化： 介紹如何進行精確的係統級功耗分析和建模，識彆主要的功耗瓶頸，並製定係統的整體功耗優化策略。 低功耗電源管理係統（PMS）： 詳細闡述PMS在物聯網設備中的關鍵作用，包括高效的DC-DC轉換、LDO調節、電池管理、以及動態功耗調整。 軟件與硬件協同設計： 強調軟件算法對模擬電路功耗的影響，以及如何通過軟硬件協同設計來優化整體功耗。例如，通過智能的軟件控製來動態調整模擬電路的工作模式。 低功耗驗證方法： 介紹低功耗集成電路的仿真、測試和驗證方法。包括低功耗模式下的功能驗證、性能指標測試、以及功耗剖析工具的應用。 實際應用案例分析： 通過具體的物聯網和可穿戴設備應用案例，如智能手錶、健康監測器、智能傢居傳感器節點等，展示低功耗模擬集成電路設計的成功實踐和關鍵技術。 第八章：未來的展望與挑戰 本章將對低功耗模擬集成電路設計的未來發展趨勢進行展望，並指齣當前麵臨的主要挑戰。 更低的功耗極限： 探討隨著工藝的不斷進步，未來模擬電路的功耗極限將達到何種程度，以及如何實現納瓦（nW）甚至皮瓦（pW）級彆的功耗。 自適應與智能模擬電路： 展望自適應和智能模擬電路的發展，即電路能夠根據環境變化和工作需求自動調整參數以優化功耗和性能。 新型器件與材料的應用： 討論新型半導體材料（如III-V族材料、二維材料）和新型器件結構（如FinFET、GAAFET）在低功耗模擬電路設計中的潛在應用。 集成與互聯的挑戰： 隨著集成度的提高，如何處理模擬信號之間的串擾、寄生效應以及電源噪聲，以保證低功耗設計的性能。 可持續性與環境友好設計： 關注電子産品的生命周期管理，以及如何設計更環保、可迴收的低功耗模擬集成電路。 本書旨在為從事物聯網、可穿戴設備、以及其他低功耗嵌入式係統設計的工程師、研究人員和學生提供一個係統性的學習平颱。通過對低功耗模擬集成電路設計原理、關鍵技術和應用實踐的深入剖析，期冀能夠激發讀者在這一領域進行更多創新，為構建更節能、更智能的未來電子世界貢獻力量。

評分☆☆☆☆☆

這本書《高頻CMOS模擬集成電路基礎》以一種非常前沿且深入的方式，為讀者展現瞭高頻CMOS模擬集成電路設計的復雜世界。我之所以對這類書籍情有獨鍾，是因為我認為模擬集成電路的設計，特彆是涉及到高頻領域，就像是在精密的儀器上進行藝術創作，需要在理論的框架內，最大化地發揮器件的潛力，同時規避掉各種不利因素。 本書的一個顯著特點是，它並沒有局限於對標準CMOS器件的描述，而是詳細探討瞭在高頻下，這些器件所錶現齣的非理想特性，例如頻率相關的跨導、輸齣電阻變化，以及各種寄生電容和電感的建模與分析。這些內容對於理解和設計高性能的高頻電路至關重要，往往是許多基礎教材中會略過的部分。書中對這些效應的分析，不僅有定性的描述，更有量化的模型，使得讀者能夠將其應用於仿真和實際設計中。 我尤其喜歡書中對不同類型的高頻電路設計策略的比較和分析。比如，在講解低噪聲放大器（LNA）的設計時，它會詳細對比使用共源、共柵、共漏等不同拓撲結構在高頻下的優劣，並給齣在特定應用場景下的設計建議。這種對比分析，能夠幫助讀者建立起一個全局的視角，理解不同設計選擇背後的權衡和考量。 另外，本書在講解某些復雜概念時，善於運用生動的類比和直觀的圖示，這大大降低瞭理解的難度。我曾經在閱讀其他相關書籍時，對某些高頻效應感到睏惑，但在閱讀這本書的相應章節後，豁然開朗。作者的講解方式，能夠有效地將抽象的理論轉化為易於理解的物理概念。 毫無疑問，《高頻CMOS模擬集成電路基礎》是一本非常具有深度和廣度的專業書籍。它不僅僅是一本技術手冊，更像是一位經驗豐富的導師，引導讀者在高頻CMOS模擬集成電路設計的道路上不斷探索和進步。我非常推薦這本書給任何對該領域有深入研究需求的工程師、研究人員和高年級學生。它所提供的知識體係，將對你的設計能力和理論認知産生深遠的影響。

評分☆☆☆☆☆

我拿到這本《高頻CMOS模擬集成電路基礎》（影印版）後，最直觀的感受就是其內容之充實與深度。它並非一本泛泛而談的概覽性書籍，而是專注於高頻CMOS模擬集成電路這一細分領域，並且深入挖掘其精髓。我之所以對這類書籍特彆感興趣，是因為在實際的研發工作中，很多時候都會遇到“玄而又玄”的高頻問題，而市麵上許多教材往往在這方麵略顯不足。 本書的章節結構安排得非常有條理。它從CMOS器件在高頻下的行為特性講起，例如頻率響應、寄生效應的建模，然後逐步過渡到各種高頻模擬電路模塊的設計。我特彆欣賞作者在講解每個電路模塊時，都會對其工作原理、關鍵參數的定義、以及影響其性能的主要因素進行詳細闡述。例如，在介紹電流反饋放大器（CFA）時，書中不僅給齣瞭基本的電路拓撲，還詳細分析瞭其在寬帶應用中的優缺點，以及如何通過調整器件參數來優化帶寬和穩定性。 書中對噪聲的分析尤其值得稱道。在高頻模擬電路中，噪聲是影響性能的關鍵因素之一，而如何有效的抑製和分析噪聲，是設計者的核心技能。這本書提供瞭多種噪聲來源的詳細模型，並給齣瞭一係列實用的降噪策略。我曾經在設計一個低噪聲放大器時遇到瓶頸，在參考瞭這本書中的相關章節後，找到瞭關鍵的設計點，並成功地將噪聲係數降低瞭一個數量級。 雖然本書的內容非常詳實，但作者在語言錶達上力求清晰易懂。即便涉及到復雜的數學推導，也能通過清晰的步驟和圖示來輔助理解。當然，對於一些初學者來說，可能需要花費更多的精力去消化。但對於有一定模擬電路基礎的讀者來說，這本書無疑是一座寶庫。它所提供的知識不僅是理論上的，更包含瞭許多工程師在實際設計中積纍的寶貴經驗。 總而言之，《高頻CMOS模擬集成電路基礎》是一本非常適閤作為高頻CMOS模擬集成電路設計工程師和研究生的參考書。它能夠幫助讀者建立起堅實的理論基礎，掌握實用的設計技巧，並深入理解高頻電路設計的核心挑戰。這本書的影印版雖然在外觀上可能沒有精裝版那麼華麗，但其內容的價值是毋庸置疑的，值得每一位在該領域深耕的專業人士閱讀和收藏。

評分☆☆☆☆☆

這本《高頻CMOS模擬集成電路基礎》簡直是我近期最驚喜的發現！我一直以來都在尋找一本能深入淺齣講解高頻CMOS模擬集成電路的書籍，市麵上很多文獻要麼過於理論化，要麼就講得不夠係統。這本書的英文原名是《Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits》，從標題就能看齣它的定位——基礎但又專注於高頻這個關鍵領域。我拿到的是影印版，紙張的質感很好，排版清晰，雖然是影印的，但閱讀體驗一點也不打摺，反倒增添瞭一種原汁原味的學術氛圍。 這本書的內容組織得非常閤理，從最基礎的CMOS器件特性講起，逐步深入到高頻下的寄生效應、噪聲分析，以及各種實際電路的設計考量。作者並沒有直接跳到復雜的應用電路，而是花瞭很多篇幅去解釋“為什麼”，比如為什麼高頻下寄生電容和電感的影響會變得如此顯著，為什麼需要特殊的電路拓撲來解決這些問題。我尤其喜歡它在講解某些概念時，會引用一些經典的文獻和研究成果，這讓我感覺閱讀的不僅僅是一本書，更像是在跟進整個領域的發展脈絡。 最讓我印象深刻的是，書中對噪聲的分析和抑製部分。在高頻模擬電路設計中，噪聲始終是一個棘手的問題，稍有不慎就會毀掉整個電路的性能。這本書的講解非常透徹，不僅列齣瞭各種噪聲的來源，還提供瞭具體的分析模型和設計技巧來最小化其影響。我嘗試著將書中的某些思路應用到我自己的項目設計中，發現效果非常明顯，産品的信噪比得到瞭顯著提升。這本書確實不是那種“看一遍就懂”的書，它需要反復閱讀和思考，但每一次的深入都會有新的收獲。 當然，這本書也並非完美無缺。對於一些非常前沿或者非常小眾的CMOS工藝節點下的特殊設計，可能涉及的篇幅會少一些。畢竟，作為一本“基礎”讀物，它需要覆蓋的範圍很廣，不可能麵麵俱到。但我認為，它所奠定的堅實基礎，足以讓讀者在掌握瞭其中的原理之後，能夠更快速地理解和學習那些更進階的內容。而且，書中的許多概念和分析方法，是具有普適性的，即使工藝在不斷發展，這些基本原理依然至關重要。 總的來說，如果你是一名正在學習或從事高頻CMOS模擬集成電路設計的研究生、工程師，或者對這個領域充滿興趣的電子愛好者，強烈推薦你入手這本《高頻CMOS模擬集成電路基礎》。它提供的不僅僅是知識，更是一種解決問題的思路和方法。我個人覺得，這本書的價值遠超其價格，是值得在書架上珍藏的良作。每次翻開它，都能從中學到一些新的東西，它就像一位經驗豐富的導師，一直在引導我前進。

評分☆☆☆☆☆

這本書的影印版《高頻CMOS模擬集成電路基礎》給我留下瞭非常深刻的印象，它以一種非常嚴謹和係統的視角，剖析瞭高頻CMOS模擬集成電路的設計核心。我之所以選擇這本書，很大程度上是因為它所涵蓋的“高頻”這個關鍵詞，這恰恰是我在實際工作中遇到的最大瓶頸之一。市麵上的模擬集成電路書籍通常會講到一些基礎的運算放大器、濾波器設計，但一旦涉及到GHz級彆的應用，很多細節和挑戰就顯得語焉不詳瞭。 這本書的強大之處在於，它並沒有迴避高頻下的復雜性，而是直麵挑戰，並提供瞭詳盡的分析工具和設計框架。從S參數的引入，到傳輸綫效應的討論，再到阻抗匹配的各種策略，書中都進行瞭深入淺齣的講解。我尤其贊賞作者對於不同頻率下的器件模型選擇的建議，這對於在仿真工具中準確地模擬電路行為至關重要。此外，書中對迴聲和串擾等高頻特有的噪聲和乾擾問題的討論，也為我的設計提供瞭寶貴的參考。 在閱讀過程中，我發現書中非常注重理論與實踐的結閤。它不僅講解瞭理論公式的推導，還通過大量的實例來展示如何將這些理論應用到實際的電路設計中。比如，在講解分布式效應時，書中給齣瞭一個關於傳輸綫匹配的詳細設計案例，從理論計算到實際參數選取，都清晰可見。這讓我感覺自己不僅僅是在“看書”，更像是在學習一個完整的工程設計流程。 當然，這本書對讀者的先備知識有一定的要求。它假設讀者已經對模擬電路和MOS器件有一定的基礎瞭解。如果完全是初學者，可能會覺得某些章節有些跳躍。但對於有一定經驗的設計人員來說，這本書無疑是錦上添花，能夠幫助你突破在高頻領域的瓶頸。我個人認為，這本書最大的價值在於它培養瞭一種“高頻思維”，讓你在設計過程中能夠提前預判並解決潛在的問題。 總的來說，《高頻CMOS模擬集成電路基礎》是一本高質量的專業書籍，它為在高頻CMOS模擬集成電路領域深耕的讀者提供瞭一個堅實的理論基礎和豐富的實踐指導。這本書幫助我建立瞭一個更全麵的知識體係，並且在解決實際工程問題時，給瞭我更清晰的思路和更有效的工具。我非常推薦給所有需要深入理解高頻CMOS模擬電路的同行。

評分☆☆☆☆☆

這本《高頻CMOS模擬集成電路基礎》以一種非常獨特的視角，呈現瞭高頻CMOS模擬集成電路設計的方方麵麵。我一直認為，模擬集成電路的設計，尤其是高頻部分的，是一個既需要紮實的理論功底，又需要豐富實踐經驗的領域。很多書籍在理論推導上做得很好，但在如何將這些理論落地到實際芯片設計中，卻顯得有些力不從心。而這本書，在這一點上做得相當齣色。 書中的章節安排非常有邏輯性，從基礎的CMOS器件在高頻下的行為特徵開始，到不同類型的高頻電路模塊，如低噪聲放大器（LNA）、混頻器、鎖相環（PLL）等。它並沒有簡單地羅列這些電路的結構，而是深入分析瞭它們在高頻工作時的關鍵性能指標，以及影響這些指標的各種因素。我特彆喜歡它關於LNA設計的章節，對於增益、噪聲係數、綫性度之間的權衡，給齣瞭非常細緻的講解和優化思路。 本書的另一大亮點在於其對版圖效應的重視。在高頻設計中，版圖往往會對電路性能産生至關重要的影響，而這常常是理論書籍容易忽略的部分。這本書不僅討論瞭寄生效應，還給齣瞭具體的版圖設計原則和技巧，以最小化這些不利影響。例如，它詳細介紹瞭差分對的版圖對稱性對於抑製偶模噪聲的重要性，以及如何閤理布局電感等。這些內容對於實際的芯片設計工作者來說，是極其寶貴的經驗。 當然，這本書的閱讀並非易事，它需要讀者具備一定的模擬電路基礎知識，並且願意花時間和精力去理解那些復雜的數學模型和分析方法。但正如任何一本優秀的工程技術書籍一樣，它所帶來的迴報是巨大的。我通過閱讀這本書，對很多曾經模糊的概念有瞭更清晰的認識，並且在解決一些長期睏擾我的設計難題時，找到瞭新的方嚮。 總而言之，《高頻CMOS模擬集成電路基礎》是一本不可多得的優秀教材。它不僅能幫助讀者構建起對高頻CMOS模擬集成電路的全麵認知，更能培養齣一種嚴謹細緻的設計思維。我強烈推薦這本書給所有在模擬IC設計領域，尤其是高頻領域奮鬥的工程師和學生。它會是你手中一本強大的工具書，也是一本能夠啓迪你思維的良師益友。

評分☆☆☆☆☆

這本書很好,看瞭幾遍瞭

評分☆☆☆☆☆

長度在5-200個字之間 填寫您對此商品的使用心得，例如該商品或某功能為您帶來的幫助，或使用過程中遇到的問題等。最多可輸入200字

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