微電子概論（第2版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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郝躍 著

圖書標籤:

• 微電子學
• 集成電路
• 模擬電路
• 數字電路
• 半導體
• 電子技術
• 電路分析
• 器件物理
• 電子工程
• 教材

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121137853

版次：1

商品編碼：10795462

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2011-06-01

用紙：膠版紙

頁數：268

內容簡介

　　《微電子概論（第2版）》係普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。《微電子概論（第2版）》共6章，以矽集成電路為中心，重點介紹半導體集成器件物理基礎、集成電路製造基本工藝及其發展、集成電路設計和微電子係統設計、集成電路計算機輔助設計（CAD）。
　　 　　《微電子概論（第2版）》適用於非微電子專業的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生的教材，也可供從事綫路和係統集成化工作的技術人員參考，特彆是對於將要從事集成化工作的非微電子專業畢業的工程技術人員，《微電子概論（第2版）》更是一本閤適的入門教材。

目錄

第1章 概論
1.1 微電子技術和集成電路的發展曆程
1.1.1 微電子技術與半導體集成電路
1.1.2 發展曆程
1.1.3 發展特點和技術經濟規律
1.2 集成電路的分類
1.2.1 按電路功能分類
1.2.2 按電路結構分類
1.2.3 按有源器件結構和工藝分類
1.2.4 按電路的規模分類
1.3 集成電路製造特點和本書學習要點
1.3.1 電路係統設計
1.3.2 版圖設計和優化
1.3.3 集成電路的加工製造
1.3.4 集成電路的封裝
1.3.5 集成電路的測試和分析
第2章 集成器件物理基礎
2.1 半導體及其能帶模型
2.1.1 半導體及其共價鍵結構
2.1.2 半導體的能帶模型
2.1.3 費米分布函數
2.2 半導體導電性與半導體方程
2.2.1 本徵半導體
2.2.2 非本徵載流子
2.2.3 半導體中的電流
2.2.4 非平衡載流子與載流子壽命
2.2.5 半導體基本方程
2.3 pn結和pn結二極管
2.3.1 平衡狀態下的pn結
2.3.2 pn結的單嚮導電性
2.3.3 pn結直流伏安特性
2.3.4 pn結二極管的交流小信號特性
2.3.5 pn結擊穿
2.3.6 二極管等效電路模型和二極管應用
2.3.7 pn結應用
2.3.8 其他半導體二極管
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 雙極晶體管的直流放大原理
2.4.2 影響晶體管直流特性的其他因素
2.4.3 晶體管的擊穿電壓
2.4.4 晶體管的頻率特性
2.4.5 晶體管的功率特性
2.4.6 晶體管模型和模型參數
2.5 JFET與MESFET器件基礎
2.5.1 器件結構與電流控製原理
2.5.2 JFET直流輸齣特性的定性分析
2.5.3 JFET的直流轉移特性
2.5.4 JFET直流特性定量錶達式
2.5.5 JFET的器件類型和電路符號
2.5.6 JFET等效電路和模型參數
2.6 MOS場效應晶體管
2.6.1 MOS晶體管結構
2.6.2 MOS晶體管工作原理
2.6.3 MOS晶體管直流伏安特性定量結果
2.6.4 MOS晶體管的閾值電壓
2.6.5 4種類型MOS晶體管的對比分析
2.6.6 MOS晶體管模型和模型參數
2.6.7 影響MOSFET器件特性的非理想因素
2.6.8 CMOS晶體管
2.6.9 現代IC中的先進MOS結構
2.7 異質結半導體器件
2.7.1 異質結
2.7.2 異質結雙極晶體管（HBT）
2.7.3 高電子遷移率晶體管（HEMT）
練習
第3章 集成電路製造工藝
3.1 矽平麵工藝基本流程
3.1.1 平麵工藝的基本概念
3.1.2 pn結隔離雙極IC工藝基本流程
3.1.3 平麵工藝中的基本工藝
3.2 氧化工藝
3.2.1 SiO2薄膜在集成電路中的作用
3.2.2 SiO2生長方法
3.2.3 氮化矽薄膜的製備
3.2.4 SiO2膜質量要求和檢驗方法
3.2.5 氧化技術麵臨的挑戰
3.3 摻雜方法之一--擴散工藝
3.3.1 擴散原理
3.3.2 常用擴散方法簡介
3.3.3 擴散層質量檢測
3.3.4 擴散工藝與集成電路設計的關係
3.4 摻雜方法之二--離子注入技術
3.4.1 離子注入技術的特點
3.4.2 離子注入設備
3.4.3 離子注入退火
3.4.4 離子注入雜質分布
3.5 光刻和刻蝕工藝
3.5.1 光刻工藝的特徵尺寸--工藝水平的標誌
3.5.2 光刻和刻蝕工藝基本過程
3.5.3 超微細圖形的光刻技術
3.6 製版工藝
3.6.1 集成電路生産對光刻版的質量要求
3.6.2 製版工藝過程
3.6.3 光刻掩膜版的檢查
3.7 外延工藝
3.7.1 外延生長原理
3.7.2 外延層質量要求
3.7.3 分子束外延生長技術
3.8 金屬化工藝
3.8.1 金屬材料的選用
3.8.2 金屬化互連係統結構
3.8.3 金屬層澱積工藝
3.8.4 平麵化
3.8.5 閤金化
3.9 引綫封裝
3.9.1 後工序加工流程
3.9.2 超聲鍵閤
3.9.2 封裝
3.10 隔離技術
3.10.1 MOS IC的隔離
3.10.2 雙極IC中的基本隔離技術
3.11 絕緣物上矽
3.11.1 SOI技術
3.11.2 注氧隔離技術（Seperation by Implantation of Oxygen SIMOX）
3.11.3 矽片粘閤技術（Wafer Bonding Technique）
3.12 CMOS集成電路工藝流程
3.12.1 CMOS工藝
3.12.2 典型N阱CMOS工藝流程
第4章 集成電路設計
4.1 集成電路版圖設計規則
4.1.1 λ設計規則
4.1.2 微米設計規則
4.2 集成電路中的無源元件
4.2.1 集成電阻
4.2.2 集成電容
4.2.3 片上電感
4.2.4 互連綫
4.3 雙極集成器件和電路設計
4.3.1 雙極晶體管結構
4.3.2 雙極晶體管的寄生參數
4.3.3 NPN晶體管縱嚮結構設計
4.3.4 NPN晶體管橫嚮結構設計
4.3.5 雙極集成電路版圖設計
4.3.6 版圖設計實例
4.4 CMOS集成器件和電路設計

前言/序言

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