模擬電子技術基礎（第3版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材修訂版 epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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內容簡介

　　《普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材修訂版：模擬電子技術基礎（第3版）》由普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材（高職高專教育）《模擬電子技術基礎》（第2版）修訂而成。全書共分7章：半導體二級管及其應用、半導體三極管及其應用、集成運算器基礎及負反饋電路、集成運算放大器的應用功率放大電路、信號産生電路、直流穩壓電源。
　　在修訂過程中，以培養電子技術應用能力為主綫，本著“降低難度、培養能力、加強創新、突齣應用”的原則，在“淺”、“用”、“新”上下工夫，突齣集成電路應用和光電子器件應用，以實用産品帶領，講解通俗易懂，加強創新思維和創新意識培養。
　　《普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材修訂版：模擬電子技術基礎（第3版）》可作為高等職業技術院校、高等專科學校、成人高校及民辦高校電類專業“模擬電子技術基礎”課程的教材，也可供從事電子技術工作的工程技術人員參考。

內頁插圖

目錄

本書常任符號錶
緒論

第一章半導體二極管及其應用
教學目標
引言
1.1.2 二極管的結構、類型、電路符號
1.1.3 二極管的單嚮導電性及伏安特性
1.1.4 溫度對二極管特性的影響
1.1.5 二極管的主要參數
1.1.6 二極管引腳識彆及性能簡易測試
1.1.7 二極管的應用
1.2 特種二極管
1.2.1 穩壓二極管
1.2.2 變容二極管
1.2.3 肖特基二極管
1.2.4 快速恢復二極管
1.2.5 發光二極管及其應用
1.2.6 光電二極管及其應用
1.2.7 SMT與微型二極管簡介
1.3 二極管整流電路
1.3.1 單相半波整流電路
1.3.2 單相全波整流電路
1.3.3 單相橋式整流電路
1.4 濾波電路
1.4.1 電容濾波電路
1.4.2 電感電容濾波電路
1.4.3 RC-л形濾波電路
1.4.4 整流濾波電路應用及其故障分析
引言案例分析LED充電式手電筒電路分析
本章小結
自我檢測題
習題

第2章 半導體三極管及其應用
教學目標
引言
2.1 晶體管與光電三極管
2.1.1 晶體管的結構、圖形符號及分類
2.1.2 晶體管的電流放大作用
2.1.3 晶體管的輸入、輸齣伏安特性
2.1.4 晶體管的主要參數及其選用
2.1.5 晶體管的管腳判彆與性能粗測
2.1.6 微型晶體管簡介
2.1.7 光電三極管及其應用
2.2 共射基本放大電路
2.2.1放大電路的基本要求及主要性能指標
2.2.2共射基本放大電路的組成及工作原理
2.2.3 直流通路與交流通路
2.2.4 共射基本放大電路的靜態工作點
2.3 晶體管開關電路與恒流源電路
2. 3.1 晶體管開關電路
2.3.2. 恒流源電路及其應用
2.4 分壓式工作點穩定電路
2.4.1 溫度對靜態工作點的影響
2.4.2 分壓式工作點穩定電路的組成
2.4.3 分壓式工作點穩定電路的工作原理
2.5 分立元件放大電路的分析方法
2. 5.1 放大電路的圖解分析
2.5.2 微變等效電路分析法
2.6 共集電路與共基電路
2.6.1 共集電路的組成、工作原理及其應用
2.6.2 共基電路
2.7 場效應晶體管及其放大電路
……
附錄A
附錄B 模擬電子報警器的應用與課程綜閤實訓
附錄C 創新教學案例梗概
本書部分習題參考答案
參考文獻

精彩書摘

　　第1章 半導體二極管及其應用
　　1.1 半導體二極管
　　1.1.1 半導體與PN結、二極管基礎知識
　　1.半導體導電性能介於導體和絕緣體之間的物質為半導體 （semiconductor）。常用的半導體材料有四價元素矽（ Si）、鍺（Ge）、硒（Se）和砷化鎵（GaAs）及其他金屬氧化物和硫化物等。半導體一般呈晶體結構。
　　2.本徵半導體
　　純淨的不含任何雜質晶體結構排列整齊的半導體稱為本徵半導體（Intrinsic semiconduc-tor）。本徵半導體的最外層電子（稱為價電子valent electron）除受到原子核吸引外，還受到共價鍵（ covalent bond）的束縛，因而它的導電能力差。
　　二、半導體特性
　　1.熱敏特性
　　半導體具有熱敏特性，當溫度升高，半導體材料的導電能力顯著增強。這是由於價電子從熱能中獲得能量，掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子（free electron）。這時，在共價鍵結構中留下相同數量的空位。每個原子失去價電子後，變成帶正電荷的離子。從等效觀點來看，每個空位相當於帶一個電子電荷量的正電荷，稱之為空穴（hole）。在半導體中，空穴也參與導電。其導電實質是在電場作用下相鄰共價鍵中的價電子填補瞭空穴而産生新的空穴，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這個過程持續下去，就相當於帶正電荷空穴在移動。共價鍵結構與空穴産生示意圖如圖1.1.1 所示。熱激發使電子、空穴成對産生。當溫度下降時，半導體材料的導電能力顯著下降。利用半導體對溫度十分敏感的特性，製成瞭工業自動控製裝置中常用的熱敏電阻。
　　2.光敏特性
　　某些半導體受到光照時，半導體就像導體一樣，導電能力很強，當沒有光綫照射時，就像絕緣體一樣不導電，這種特性稱為“光敏”特性。光照強度越強，半導體的導電性能越好。這是由於價電子從光綫中獲得能量，掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子，每個原子失去價電子後，成為正離子，光照使電子、空穴成對産生，導電能力增強。利用光敏特性可製成光敏電阻、光電二極管、光電三極管和光電池等光電器件。
　　3.摻雜特性
　　本徵半導體的導電能力差，但是在本徵半導體中摻人某種微量元素（雜質）後，它的導電能力可增加幾十萬甚至幾百萬倍。因為摻雜的雜質數量雖少，但原子數卻很多。如果在四價的本徵半導體（矽）中摻入微量三價元素（硼），就形成瞭P型半導體（ P-type semiconductor）。
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