[按需印刷] 硅半导体器件辐射效应及加固技术 pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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刘文平著

图书标签:

硅半导体
辐射效应
加固技术
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店铺：科学出版社旗舰店

出版社：科学出版社

ISBN：9787030387028

商品编码：1257255412

包装：平装

丛书名： --

开本：B5

出版时间：2013-10-17

页数：222

字数：260000

正文语种：汉语

具体描述

【图书基本信息】

书名：硅半导体器件辐射效应及加固技术
作者：刘文平
定价：60

【作者简介】

【读者对象】

【内容简介】

本书重点介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法。全书共分六章,主要内容包括空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的介绍与分析,硅双极半导体器件、MOS器件、SOI器件和硅DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法的分析,纳米级器件结构的辐射效应以及相关辐射加固的基本原理的概述和展望。, 本书可供微电子专业的研究生和从事微电子专业的科技人员进行抗辐射半导体器件研究开发、设计制造参考。

《精密控制：机械系统动力学与稳定性解析》内容梗概本书聚焦于机械系统的动力学行为分析与稳定性控制，旨在为从事机械设计、制造、自动化以及相关领域研究与工程实践的专业人士提供一套系统、深入的理论框架与实用的分析工具。全书共分为八章，内容涵盖了从基础的机械系统建模，到复杂的非线性动力学分析，再到先进的稳定性控制策略设计，层层递进，环环相扣。第一章：机械系统动力学基础本章将系统性地梳理机械系统动力学分析的基本原理和方法。首先，从牛顿力学和拉格朗日力学的角度出发，介绍如何建立不同类型机械系统的数学模型，包括刚体动力学、多体系统动力学以及连续体动力学。重点讲解坐标系的选取、广义坐标的应用、惯性力、科里奥利力、离心力等概念的物理意义及其在建模过程中的处理。随后，将引入系统的自由度、约束力、质量矩阵、阻尼矩阵和刚度矩阵等核心概念，并阐述如何利用这些矩阵描述系统的运动特性。针对工程实际中常见的机械系统，如连杆机构、旋转机械、振动系统等，将提供详细的建模示例，并讨论不同建模方法的优缺点及适用范围。此外，本章还将涉及系统参数识别、模型简化和模型验证等关键步骤，为后续的动力学分析奠定坚实的基础。第二章：线性系统动力学分析线性系统是机械系统动力学研究的基石。本章将深入探讨线性系统的运动方程求解、特征分析以及时域和频域响应。首先，介绍常系数线性微分方程的解析解法和数值解法，包括齐次方程和非齐次方程的求解技巧。随后，重点阐述特征值与特征向量在系统模态分析中的作用，即如何通过求解系统的固有频率和振型来揭示系统的振动特性。这将帮助读者理解系统在受到外部激励或初始扰动时，将以何种方式振荡。本章还将详细介绍系统在不同激励下的时域响应，包括瞬态响应和稳态响应，并引入阻尼比、阻尼系数等参数对响应的影响。在频域分析方面，将重点讲解频率响应函数（FRF）的概念，包括幅频特性和相频特性，并介绍如何利用FFT（快速傅里叶变换）等技术从实验数据中提取FRF。最后，将讨论线性系统在工程应用中的常见问题，如共振现象及其规避方法。第三章：非线性系统动力学导论现实世界中的许多机械系统并非严格线性的，非线性效应的存在往往会带来许多独特的动力学现象，如多稳态、分岔、混沌等。本章旨在介绍非线性系统动力学分析的基本概念和常用方法。首先，将区分线性系统与非线性系统的本质差异，并列举一些常见的非线性因素，如曲柄滑块机构中的摩擦、弹簧的非线性特性、齿轮传动中的间隙等。随后，将介绍非线性方程的求解方法，包括数值积分方法（如Runge-Kutta法）和近似解析方法（如多尺度法、平均法）。重点将放在非线性系统的定性分析上，包括相平面分析、极限环、吸引子等概念。本章还将初步介绍分岔理论，解释系统参数变化如何导致系统运动状态的剧烈改变。最后，将探讨混沌现象及其在机械系统中的表现形式，并简要介绍混沌系统的基本判定方法。第四章：稳定性分析理论系统的稳定性是衡量其可靠性和可预测性的关键指标。本章将系统地介绍机械系统稳定性分析的理论基础和常用判据。首先，将从能量的角度出发，阐述系统的平衡点和稳定性的物理意义。随后，将重点介绍李亚普诺夫稳定性理论，包括直接法（能量法）和间接法（线性化方法）。直接法将利用能量函数来判断系统的稳定性，而间接法则通过分析系统的线性化模型来预测非线性系统的稳定性。本章还将介绍赫尔维茨判据、劳斯-赫尔维茨判据等线性系统稳定性判据，以及它们在判断系统根分布方面的应用。对于非线性系统，将深入讨论极限环的稳定性、吸引子的稳定性以及多稳态系统的稳定性判别。此外，还将涉及实际应用中常见的稳定性问题，如振动抑制、动态失稳等，并给出分析思路。第五章：状态空间方法与反馈控制状态空间方法是现代控制理论的核心工具，它为系统分析和控制设计提供了统一的框架。本章将介绍状态空间方程的建立、解耦以及基于状态反馈的控制设计。首先，将详细讲解如何将二阶或高阶的微分方程转化为一组一阶线性微分方程组，即状态方程。重点介绍状态向量的选取原则以及状态方程的物理意义。随后，将讨论状态方程的解，并引入系统能控性与能观性概念，这是设计状态反馈控制器的重要前提。本章将重点介绍极点配置（极点配置）方法，即如何通过设计状态反馈增益矩阵，将闭环系统的极点配置到期望的位置，从而实现对系统动态特性的精确控制，如改善响应速度、抑制振动等。此外，还将介绍线性二次型调节器（LQR）等最优控制方法，以及它们在实现系统性能最优化方面的应用。第六章：观测器设计与状态估计在许多实际应用中，系统的所有状态变量并非都能直接测量得到。因此，状态估计技术应运而生。本章将详细介绍状态观测器的设计原理与方法，用于从系统的输出信息中估计出系统的内部状态。首先，将介绍状态观测器的基本结构，并阐述其工作原理。重点将放在卡尔曼滤波器（Kalman Filter）上，作为最常用和最有效的状态估计方法之一。本章将从概率统计的角度，深入剖析卡尔曼滤波器的递推算法，包括状态预测和状态更新两个核心步骤，并讨论其在处理噪声和不确定性方面的优势。此外，还将介绍其他类型的观测器，如李昂观测器（Luenberger Observer）及其设计方法。本章将通过实际算例，展示如何设计状态观测器以提高系统的控制精度和鲁棒性。第七章：鲁棒控制与模型不确定性处理现实世界的机械系统往往存在模型参数的摄动、外部干扰以及未建模动态等不确定性。鲁棒控制技术旨在设计能够有效应对这些不确定性的控制器。本章将深入探讨鲁棒控制的设计理论与方法。首先，将介绍模型不确定性的几种典型形式，如参数不确定性、结构不确定性等。随后，将引入H∞控制理论，详细讲解如何通过最小化系统在最坏情况下的性能指标来设计鲁棒控制器。本章将重点介绍H∞控制器设计的几种常用方法，如凸优化方法和线性矩阵不等式（LMI）方法。此外，还将讨论μ-分析等用于评估系统在特定不确定性下的鲁棒性。最后，将结合机械系统实例，展示如何应用鲁棒控制技术提高系统的可靠性和稳定性，即使在存在较大的模型误差或外部干扰的情况下。第八章：先进控制策略与应用案例本章将进一步扩展机械系统控制的视野，介绍一些先进的控制理论和技术，并结合实际工程应用案例进行深入阐述。首先，将简要介绍自适应控制和智能控制（如模糊控制、神经网络控制）的基本思想，以及它们在处理复杂非线性系统和时变系统方面的潜力。随后，将聚焦于模型预测控制（MPC），详细讲解其基于模型、滚动优化和反馈校正的控制原理，并分析其在实现高精度跟踪和约束优化方面的优势。本章将包含多个来自不同领域的机械系统控制案例，例如：高精度机器人运动控制、航空航车动力学稳定控制、复杂传动系统减振降噪控制、以及微机电系统（MEMS）的精密位移控制等。通过对这些案例的分析，读者将能够深刻理解前面各章所介绍的理论如何应用于解决实际工程问题，并掌握将理论知识转化为工程实践的有效途径。本书旨在为读者构建一个完整、系统且具有前瞻性的机械系统动力学与稳定性控制知识体系，帮助读者深入理解机械系统的内在运动规律，并掌握设计高可靠性、高性能控制系统的关键技术。

用户评价

评分☆☆☆☆☆

作为一名在高校从事相关研究的学者，我一直关注半导体材料与器件领域的前沿进展。特别是近些年来，随着国家在航空航天、国防科技等领域的投入不断加大，对高性能、高可靠性电子元器件的需求日益迫切，其中硅半导体器件的抗辐射能力是其中的一个核心难题。当看到《[按需印刷] 硅半导体器件辐射效应及加固技术》这本书时，我感到非常欣喜。我希望能在这本书中找到对硅半导体器件在各类辐射场（如电离辐射、粒子辐射）下的损伤机理的深入阐述，包括总剂量效应（TID）和位移损伤效应（DD）。更重要的是，我对书中提到的“加固技术”部分寄予厚望。我希望它能系统地梳理现有和前沿的抗辐射加固策略，例如通过材料改性（如采用宽禁带半导体材料或具有良好抗辐射性能的绝缘层）、器件结构优化（如采用SOI技术、先进的CMOS工艺），以及电路设计层面的防护（如冗余设计、纠错码、低功耗设计等）。我期望这本书能够提供一些理论计算模型和实验验证方法，为我们进一步的研究提供理论指导和技术参考，从而推动我国在抗辐射半导体器件领域的自主创新能力。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计给我一种专业而严谨的感觉，尤其是“硅半导体器件辐射效应及加固技术”这个书名，立刻吸引了我作为一名对前沿科技领域有所了解的读者的注意。我一直对半导体行业的发展，特别是其在极端环境下的可靠性问题感到好奇。想象一下，那些在太空探索、核能利用、甚至是军事通信等关键领域工作的电子设备，它们所承受的辐射环境是何其严苛，而我们依赖的半导体器件又是如何在这种环境下生存并正常工作的？这本书无疑提供了一个深入探讨这些问题的绝佳窗口。我非常期待能够从中了解到，当高能粒子轰击硅晶片时，究竟会发生什么？这些效应又是如何一步步影响到器件的性能，甚至导致其失效的。更重要的是，书中提到的“加固技术”让我燃起了浓厚的兴趣。这是否意味着我们有办法让这些脆弱的硅基元器件变得更坚固，更能抵御恶劣的辐射环境？我脑海中浮现出各种可能的加固策略，或许是通过改变材料、优化设计，又或者是通过特殊的制造工艺。我迫切地想知道，这些技术是如何实现的，又有哪些是目前最前沿、最有效的。这本书的出现，让我看到了一个可以系统性地学习和理解这个复杂且至关重要的技术领域的可能。

评分☆☆☆☆☆

这本书的书名——《[按需印刷] 硅半导体器件辐射效应及加固技术》——本身就散发出一种解决实际问题的力量感。我是一名硬件工程师，经常需要在一些对可靠性有极高要求的场合使用半导体器件。我们深知，在某些特定的应用场景下，比如地下工程、核电站或者高海拔地区，来自环境的辐射是不可忽视的因素，它可能会导致器件性能的衰减甚至突然失效，给整个系统带来灾难性的后果。因此，我对书中关于“辐射效应”的部分非常感兴趣，想了解具体有哪些类型的辐射会对硅半导体器件造成影响，这些影响是如何在微观层面发生的，以及它们最终会体现在哪些宏观的电气参数上。更令我关注的是“加固技术”这一部分。我渴望知道，工程师们是如何通过各种手段来提升器件的抗辐射能力的？是改进材料的配方？是改变制造的工艺？还是在电路设计上增加一些“保险丝”？我希望这本书能够提供一些切实可行、可操作性的技术方案，甚至是一些案例分析，能够帮助我们理解如何选择和应用合适的加固技术，从而在我们的设计中构建出更加健壮、更能抵御恶劣环境的电子系统。

评分☆☆☆☆☆

对于我这样一名在电子工程领域摸爬滚打了多年的从业者来说，半导体器件的辐射效应是一个绕不开的技术难题。尤其是在航天航空、高能物理实验等领域，辐射环境的严峻性远超普通消费电子产品，这就对器件的可靠性提出了极高的要求。看到《[按需印刷] 硅半导体器件辐射效应及加固技术》这个书名，我立刻联想到我曾经在项目中遇到的各种奇奇怪怪的器件失效案例，很多时候我们都怀疑是辐射引起的，但却苦于没有系统性的理论指导和实践经验来解决。这本书的出现，无疑是雪中送炭。我非常希望它能详细阐述不同类型的辐射（例如质子、伽马射线、重离子等）对硅半导体器件（如MOSFET、BJT、CMOS电路等）产生的具体影响，比如单粒子效应（SEU, SEL）和总剂量效应（TID）。更令我期待的是，书中关于“加固技术”的部分。我希望能了解到目前行业内有哪些成熟的加固方法，例如材料选择、工艺改进、电路设计层面的防护措施，甚至是软件层面的纠错机制。这本书能否为我们提供一套完整的技术体系，让我们能够从根本上理解并解决辐射效应带来的挑战，从而设计出更加可靠、更具韧性的半导体器件和系统？这正是我所急切需要找到的答案。

评分☆☆☆☆☆

读到《[按需印刷] 硅半导体器件辐射效应及加固技术》这个书名，我的脑海中立刻浮现出那些在高科技前沿不断突破的场景。我是一名科技爱好者，尤其关注那些能够改变我们生活、拓展人类边界的技术。太空探索、深空探测器、人造卫星，这些伟大的工程背后，离不开性能稳定、可靠性极高的电子设备。而这些设备，几乎无一例外地都面临着严酷的宇宙辐射环境的考验。硅半导体器件作为现代电子技术的基石，在这样的环境中是如何工作的？它们会受到怎样的影响？又是如何被保护起来的？这本书所描绘的“辐射效应”让我好奇，它是否会深入浅出地讲解那些我们看不到的、微观层面的物理现象，比如电荷积累、缺陷产生，以及这些对器件性能造成的具体改变。而“加固技术”这个词，则充满了希望和解决之道。我期待这本书能够详细介绍那些让硅半导体器件变得“坚不可摧”的方法，或许是新型材料的研发，或许是特殊的工艺流程，又或者是巧妙的电路设计。我希望能从中了解到，科学家和工程师们是如何攻克这些难关，让我们的技术能够安全地走向更远、更严酷的未知领域。

评分☆☆☆☆☆