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美 Steven H Voldman 著，来萍恩云飞肖庆中译

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发表于2024-11-27

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商品介绍

店铺：互动创新图书专营店

出版社：机械工业出版社

ISBN：9787111463658

商品编码：27156804747

丛书名：电子与嵌入式系统设计译丛

出版时间：2014-06-01

页数：159

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书籍描述

书[0名0]：	ESD揭秘：静电防护原理和典型应用\|3770243
图书定价：	59元
图书作者：	(美)Steven H. Voldman
出版社：	[1机1] 械工业出版社
出版日期：	2014/6/1 0:00:00
ISBN号：	9787111463658
开本：	16开
页数：	159
版次：	1-1

作者简介

Steven H. Voldman博士是静电放电（ESD）[0领0]域[0首0]位IEEE[0会0]士，其主要贡献在于CMOS、绝缘体上硅和硅锗技术的静电放电防护。他于1979年获得巴[0法0]罗[0大0][0学0]工程[0学0][0学0]士[0学0]位；1981年获得麻省理工[0学0]院电气工程硕士[0学0]位；在IBM固定员工研究[0学0]者进修计划的资助下，先后于1986年和1991年获得佛蒙特[0大0][0学0]工程物理[0学0]硕士[0学0]位和电气工程博士[0学0]位。在IBM开发部门工作的25年间，Voldman一直致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性研究（如软错误率（SER）、热电子、漏电 [1机1] 理、闩锁和静电放电等）。他进行闩锁及其抑制技术研究的时间更是长达27年。研究涉及[0[0双0]0][0极0]SRAM、CMOS DRAM、CMOS逻辑电路、绝缘体上硅（SOI）、BiCMOS、锗硅（SiGe）、射频CMOS、射频SOI、智能电源和图像处理等。2008年，进入Qimonda DRAM研发团队，从事70nm、58nm和48nm CMOS技术研究。同年，创办了自己的公司，并作为台积电（TSMC）45nm静电放电与闩锁开发团队的一员在[亲斤]竹总部工作。2009～2011年，他担任Intersil公司静电放电与闩锁研发的资深高级工程师。自2011年起，他开始在自己的公司进行专职工作，提供咨询顾问、教[0学0]和专利诉讼专家证人的服务。 1995～2000年间，Voldman博士担任美[0国0]半导体行业技术联盟（SEMATECH）ESD工作组主席，[0领0]导该组建立ESD技术基准，成立传输线脉冲（TLP）标准开发小组，制定长期发展规划，与JEDEC-ESD协[0会0]协调人体模型（HBM）标准。2000～2010年，他担任ESD协[0会0]TLP和[0超0]快TLP（VF-TLP）工作组主席，起草TLP和VF-TLP的[0第0]一份规程及标准。Voldman还是ESD协[0会0]董事[0会0]和教育委员[0会0]成员。他发起并开展了“ESD在校园”活动，该活动旨在将ESD课程带入全球各[0大0]校园，并与[0学0]校教职员工和[0学0]生开展互动。如今，该活动已在美[0国0]、[亲斤]加坡、中[0国0]台湾、马来西亚、菲律宾、泰[0国0]、印度和中[0国0]等[0国0]家或地区40多所[0大0][0学0]校园内开展。 Voldman博士在美[0国0]、中[0国0]、[亲斤]加坡、马来西亚、中[0国0]台湾、斯里兰卡和以色列等[0国0]家或地区多次举办了有关ESD、闩锁等方面的短期课程或专题报告。他还获得了240多个有关ESD和CMOS闩锁效应的美[0国0]授[0[0权0]0]专利，亦是该[0领0]域专利诉讼案中的专家证人。 Voldman博士也是《科[0学0]美[0国0]人》杂志的撰稿人，并编写了[0首0]套ESD与闩锁系列丛书，包括《ESD物理与器件》、《ESD电路与器件》、《ESD射频技术与电路》、《闩锁效应》、《ESD失效 [1机1] 理与模型》和《ESD设计与综合》。同时，他也是《锗硅——技术、建模及设计》和《纳米电子[0学0]——纳米线、分子电子[0学0]与纳米器件》等书籍的撰稿人。目前，《ESD电路与器件》和《ESD射频技术与电路》中译本已出版发行。来萍，毕业于南京电子器件研究所，是工业和信息化部电子[0第0]五研究所研究员，电子[0学0][0会0][0会0]员，IEEE[0会0]员，广东省信息技术标准化技术委员[0会0]委员。承担过十几项电子元件可靠性科研项目，在电子产[0品0]可靠性[0领0]域拥有丰富的经验。主要技术研究方向包括电子元器件失效分析、微波器件可靠技术及应用、集成电路静电放电检测与[0评0]价、电子产[0品0]制造过程中的静电防护技术等。

内容简介

《ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》是Steven H．Voldman博士在半导体器件静电放电(ESD)[0领0]域20多年研究和工作经验的结晶，对ESD的基本原理、现实中的ESD环境、半导体器件制造、处理和组装过程的ESD现象、半导体器件片上和片外保护技术，以及对未来纳米结构中的ESD问题展望等，进行了系统而全面的阐述，是帮助了解半导体器件ESD及其所有相关问题的一本非常好的基础性书籍。
《ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》在介绍[0当0]今所面临的半导体芯片制造问题、ESD半导体芯片设计和系统问题，以及描述未来纳米技术的ESD现象方面是的。
《ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》是作者在ESD保护方面系列书籍的补充。对刚进入这个[0领0]域的人员来说，本书是一个重要的参考，也可以帮助了解进入纳米电子时代后现代技术所面临的问题。
《ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》主要内容
深入阐释静电和摩擦起电的基础，以及与[0当0]今微纳电子技术制造环境的关系；
防止ESD失效的半导体制造操作及监测工艺；
ESD、EOS、EMI、EMC及闩锁效应的半导体器件级及系统级测试，以确定产[0品0]对人体模型(HBM)、传输线模型(TLP)、放电器件模型(CDM)、人体金属模型(HMM)、电路放电事件(CDE)到系统级IEC61000-4-2测试的抵抗力；
服务器、笔记本电脑、磁盘驱动器、手 [1机1] 、数码相 [1机1] 、手持设备、汽车和空间应用的系统级问题；
[亲斤]技术的ESD设计案例，包括CMOS、BiCMOS、SOl、[0[0双0]0][0极0]工艺、高压CMOS(HVCMOS)、RF CMOS、智能电源、磁记录技术、微电 [1机1] 械(MEM)和纳米结构。

《ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》
译者序
前言
致谢
作者简介
[0第0]1章静电[0学0]基本原理 1
1.1 引言 1
1.2 静电[0学0] 1
1.2.1 泰勒斯和静电引力 1
1.2.2 静电[0学0]和摩擦生电序列 2
1.2.3 摩擦生电序列和吉尔伯特 3
1.2.4 摩擦生电序列和格雷 4
1.2.5 摩擦生电序列和达菲 4
1.2.6 摩擦生电序列和富兰克林 4
1.2.7 静电[0学0]——西莫和人体模型 4
1.2.8 静电[0学0]——库仑和卡文迪许 5
1.2.9 静电[0学0]——[0法0]拉[0第0]和冰桶实验 5
1.2.10 静电[0学0]——[0法0]拉[0第0]和麦克斯韦 5
1.2.11 静电[0学0]——帕邢 5
1.2.12 静电[0学0]——斯托尼与“电子” 5
1.3 摩擦生电——它是怎么发生的 6
1.4 导体、半导体和绝缘体 7
1.5 静电耗散材料 7
1.6 静电放电和材料 7
1.7 充电和库仑定律 8
1.7.1 摩擦生电 8
1.7.2 感应生电 8
1.7.3 传导生电 9
1.8 电磁[0学0]和电动力[0学0] 9
1.9 电击穿 9
1.9.1 静电放电与击穿 9
1.9.2 击穿与帕邢定律 10
1.9.3 击穿和汤森德 10
1.9.4 击穿与托普勒定律 11
1.9.5 雪崩击穿 11
1.10 电准静态和磁准静态 12
1.11 电动力[0学0]与麦克斯韦方程 13
1.12 静电放电 13
1.13 电磁兼容 13
1.14 电磁干扰 13
1.15 本章小结 14
参考文献 14
[0第0]2章生产和静电的基本原理 18
2.1 材料、工具、人为因素和静电放电 19
2.2 制造环境和工具 19
2.3 生产设备和ESD生产问题 19
2.4 生产材料 20
2.5 测量和测试设备 20
2.6 接地及连接系统 22
2.7 工作台面 22
2.8 防静电腕带 22
2.9 在线监测仪 23
2.10 鞋类 23
2.11 地板 23
2.12 人员服装接地 23
2.13 空气离子化 24
2.14 座椅 25
2.15 推车 25
2.16 包装和运输 25
2.16.1 运输包装管 25
2.16.2 托盘 26
2.17 ESD识别 26
2.18 ESD程序管理——12步构建ESD战略 26
2.19 ESD程序审核 27
2.20 防静电片上保护 27
2.21 本章小结 28
参考文献 28
[0第0]3章 ESD、EOS、EMI、EMC和闩锁效应 32
3.1 ESD、EOS、EMI、EMC和闩锁效应 32
3.1.1 ESD 32
3.1.2 过电应力 33
3.1.3 电磁干扰 33
3.1.4 电磁兼容 33
3.1.5 闩锁效应 33
3.2 ESD模型 33
3.2.1 人体模型 34
3.2.2 [1机1] 器模型 35
3.2.3 盒式模型 36
3.2.4 充电器件模型 36
3.2.5 传输线脉冲 37
3.2.6 [0超0]快传输线脉冲 39
3.3 过电应力 39
3.3.1 EOS来源——雷击 40
3.3.2 EOS来源——电磁脉冲 40
3.3.3 EOS来源—— [1机1] 械装置 41
3.3.4 EOS来源——配电装置 41
3.3.5 EOS来源——开关、继电器和线圈 41
3.3.6 EOS设计流程和产[0品0]定义 41
3.3.7 EOS来源——设计问题 42
3.3.8 EOS失效 [1机1] 理 43
3.4 电磁干扰 45
3.5 电磁兼容 45
3.6 闩锁 45
3.7 本章小结 46
参考文献 47
[0第0]4章系统级ESD 52
4.1 系统级测试 52
4.1.1 系统级测试目标 52
4.1.2 系统级与元器件级测试失效判据的区别 53
4.2 系统与芯片何时相互影响 54
4.3 ESD和系统级失效 54
4.3.1 ESD电流和系统级失效 55
4.3.2 ESD感应电场/感应磁场和系统级失效 55
4.4 电子系统 56
4.4.1 卡和板 56
4.4.2 系统 [1机1] 架和屏蔽 56
4.5 [0当0]前的系统级问题 57
4.5.1 便携系统 57
4.5.2 移动电话 57
4.5.3 服务器和电缆 58
4.5.4 笔记本电脑和电缆 59
4.5.5 磁盘驱动器 59
4.5.6 数码相 [1机1] 60
4.6 汽车、ESD、EOS和EMI 61
4.6.1 汽车和ESD——点火系统 61
4.6.2 汽车和EMI——电子脚踏装置 61
4.6.3 汽车和油箱起火 61
4.6.4 混合动力汽车和电动汽车 62
4.6.5 未来的汽车 62
4.7 航空航天应用 63
4.7.1 飞 [1机1] 、局部放电和闪电 63
4.7.2 卫星、飞船充电和单粒子翻转 63
4.7.3 太空登陆任务 64
4.8 ESD和系统级测试模型 65
4.9 IEC 61000-4-2 65
4.10 人体金属模型 66
4.11 带电板模型 68
4.12 电缆放电事件 69
4.12.1 电缆放电事件和范围 70
4.12.2 电缆放电事件——电缆测量设备 71
4.12.3 电缆构形——测试放置 72
4.12.4 电缆构形——移动电缆 72
4.12.5 电缆构形——手持电缆 72
4.12.6 电缆放电事件——峰值电流和充电电压的关系 72
4.12.7 电缆放电事件——电流幅度和充电电压的关系 72
4.13 本章小结 72
参考文献 73
[0第0]5章元器件级问题——问题与解决方[0法0] 76
5.1 ESD芯片保护——问题与解决方[0法0] 76
5.2 ESD芯片级设计方案——设计综合的基本要素 76
5.2.1 ESD电路 79
5.2.2 ESD信号引脚保护网络 79
5.2.3 ESD电源钳位保护网络 80
5.2.4 ESD电源域——域电路 81
5.2.5 ESD内部信号线域——域保护电路 81
5.3 ESD芯片平面设计——设计布局和综合基础 82
5.3.1 ESD信号引脚HBM电路的布置 83
5.3.2 ESD信号引脚CDM电路布置 83
5.3.3 ESD电源钳位电路的放置 84
5.3.4 ESD VSS-VSS电路布置 85
5.4 ESD模拟电路设计 86
5.4.1 ESD模拟电路对称和共质心设计 86
5.4.2 模拟信号引脚到电源线的ESD网络 87
5.4.3 共质心模拟信号引脚到电源线的ESD网络 87
5.4.4 共质心模拟电路和ESD网络的协同综合 88
5.4.5 信号引脚到信号

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