【XH】 中國軍工電子工藝技術體係 epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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基本信息

書名：中國軍工電子工藝技術體係

定價：198.00元

作者：張為民

齣版社：電子工業齣版社

齣版日期：2017-01-01

ISBN：9787121303883

字數：

頁碼：968

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

內容提要

本書針對當前軍工電子工藝技術中存在的問題，以科技創新為切入點，按照工藝技術體係框架展開，清晰地論述瞭軍工電子各工藝之間的關係和與武器裝備研製的關聯。本書涵蓋瞭係統、整機、元器件、信息功能材料工藝及相應的工藝設備，科學總結瞭軍事電子裝備研製生産有關的專業工藝技術和工藝管理方法，全麵反映瞭軍事電子工業工藝技術的現狀、水平和成就。該書圖文並茂，數據準確，既有機理方法的描述，又有可操作的工藝技術；既包括瞭現今應用的工藝技術，又麵嚮瞭工藝技術的未來發展，實用性很強。該書的發行，正處於“中國製造2025”全麵實施的曆史進程中，對落實製造強國戰略、提高電子信息工藝水平有重要意義。

目錄

篇 概 論n
章 軍用電子産品及其工藝技術 2n
1．1 軍用電子産品 2n
1．1．1 綜閤電子信息係統 2n
1．1．2 軍事電子裝備 2n
1．1．3 電子元器件及信息功能材料 3n
1．2 軍工電子工藝技術的內涵與特點 5n
1．2．1 軍工電子工藝技術的內涵 5n
1．2．2 軍工電子工藝技術的特點 5n
1．3 軍工電子工藝技術的地位和作用 7n
1．3．1 軍工電子工藝技術的地位 7n
1．3．2 軍工電子工藝技術的作用 8n
1．4 軍工電子工藝技術的發展曆程 10n
參考文獻 12n
第2章 軍工電子工藝技術體係 13n
2．1 概述 13n
2．1．1 軍工電子工藝技術體係圖 13n
2．1．2 軍工電子工藝技術關係 13n
2．2 軍工電子工藝技術體係構成 13n
2．2．1 信息功能材料製造工藝技術 16n
2．2．2 電子元器件製造工藝技術 16n
2．2．3 電氣互聯技術 17n
2．2．4 電子整機製造工藝技術 19n
2．2．5 共用技術 22n
參考文獻 22n
第二篇 工藝技術在軍事電子典型裝備中的應用n
第3章 典型電子裝備製造工藝應用 24n
3．1 雷達製造工藝 24n
3．1．1 雷達及其基本組成 24n
3．1．2 雷達裝備工藝技術體係 25n
3．1．3 雷達關鍵工藝 27n
3．2 電子戰裝備製造工藝 32n
3．2．1 電子戰裝備及其基本組成 32n
3．2．2 電子戰裝備工藝技術體係 33n
3．2．3 電子戰裝備關鍵工藝 35n
3．3 通信裝備製造工藝 43n
3．3．1 通信裝備及其基本組成 43n
3．3．2 通信裝備工藝技術體係 44n
3．3．3 通信裝備關鍵工藝 44n
3．4 導航裝備製造工藝 50n
3．4．1 導航裝備及其基本組成 50n
3．4．2 導航裝備工藝技術體係 52n
3．4．3 導航裝備關鍵工藝 54n
3．5 數據鏈裝備製造工藝 57n
3．5．1 數據鏈裝備及其基本組成 57n
3．5．2 數據鏈裝備工藝技術體係 58n
3．5．3 數據鏈裝備關鍵工藝 60n
3．6 綜閤電子信息係統製造工藝 61n
3．6．1 綜閤電子信息係統及其基本組成 61n
3．6．2 綜閤電子信息係統工藝技術體係 62n
3．6．3 綜閤電子信息係統關鍵工藝 64n
參考文獻 68n
第4章 典型電子元器件製造工藝應用 70n
4．1 微電子器件製造工藝 70n
4．1．1 微電子器件及其特點 70n
4．1．2 微電子器件製造工藝流程 76n
4．1．3 微電子器件製造工藝技術體係 78n
4．1．4 微電子器件製造關鍵工藝 78n
4．2 光電子器件製造工藝 85n
4．2．1 光電子器件及其特點 85n
4．2．2 光電子器件製造工藝流程 89n
4．2．3 光電子器件製造工藝技術體係 95n
4．2．4 光電子器件製造關鍵工藝 97n
4．3 真空電子器件製造工藝 100n
4．3．1 真空電子器件及其特點 100n
4．3．2 真空電子器件製造工藝流程 102n
4．3．3 真空電子器件製造工藝技術體係 104n
4．3．4 真空電子器件製造關鍵工藝 106n
4．4 MEMS器件製造工藝 107n
4．4．1 MEMS器件及其特點 107n
4．4．2 MEMS器件製造工藝流程 110n
4．4．3 MEMS器件製造工藝技術體係 113n
4．4．4 MEMS器件製造關鍵工藝 114n
4．5 物理電源製造工藝 115n
4．5．1 物理電源及其特點 115n
4．5．2 物理電源製造工藝流程 116n
4．5．3 物理電源製造工藝技術體係 117n
4．5．4 物理電源製造關鍵工藝 118n
4．6 傳感器製造工藝 118n
4．6．1 傳感器及其特點 118n
4．6．2 傳感器製造工藝流程 121n
4．6．3 傳感器製造工藝技術體係 123n
4．6．4 傳感器製造關鍵工藝 123n
4．7 微係統集成製造工藝 124n
4．7．1 微係統集成製造及其特點 124n
4．7．2 微係統集成製造工藝流程 127n
4．7．3 微係統集成製造工藝技術體係 129n
4．7．4 微係統集成製造關鍵工藝 130n
參考文獻 132n
第三篇 信息功能材料製造工藝技術n
第5章 信息功能材料製造工藝技術概述 134n
5．1 信息功能材料的內涵及特點 134n
5．2 信息功能材料製造工藝的地位及作用 134n
5．3 信息功能材料工藝體係框架 135n
第6章 晶體材料生長技術 136n
6．1 概述 136n
6．1．1 晶體材料生長技術體係 136n
6．1．2 晶體材料生長技術的應用現狀 137n
6．2 熔體法晶體生長工藝 137n
6．2．1 直拉法晶體生長工藝 137n
6．2．2 區熔法晶體生長工藝 140n
6．2．3 LEC晶體生長工藝 142n
6．2．4 VB/VGF法晶體生長工藝 144n
6．3 氣相法晶體生長工藝 146n
6．3．1 PVT法晶體生長工藝 146n
6．3．2 HVPE法晶體生長工藝 148n
6．4 晶體生長設備 149n
6．4．1 直拉單晶生長爐 150n
6．4．2 區熔單晶生長爐 150n
6．4．3 LEC單晶生長爐 150n
6．4．4 VB/VGF單晶生長爐 151n
6．4．5 PVT法單晶生長爐 152n
6．4．6 HVPE法單晶生長爐 153n
6．5 晶體材料生長技術發展趨勢 154n
參考文獻 154n
第7章 晶體材料加工技術 155n
7．1 概述 155n
7．1．1 晶體材料加工技術體係 155n
7．1．2 晶體材料加工技術的應用現狀 156n
7．2 晶體材料加工技術 156n
7．2．1 斷棒 156n
7．2．2 單晶棒外圓滾磨和定位麵的製作 156n
7．2．3 切片 159n
7．2．4 倒角 160n
7．2．5 倒角後晶圓的厚度分選 160n
7．2．6 晶圓的雙麵研磨或錶麵磨削 161n
7．2．7 化學腐蝕 162n
7．2．8 腐蝕後晶圓的厚度分選 163n
7．2．9 拋光 163n
7．2．10 晶圓清洗 165n
7．2．11 晶圓測量與包裝 165n
7．3 晶體加工設備 166n
7．3．1 切片機 166n
7．3．2 倒角機 166n
7．3．3 磨拋設備 167n
7．3．4 清洗設備 168n
7．4 晶體材料加工技術發展趨勢 168n
參考文獻 169n
第8章 粉體材料製備技術 170n
8．1 概述 170n
8．1．1 粉體材料製備技術體係 170n
8．1．2 粉體材料製備技術的應用現狀 170n
8．2 固相法粉體製備工藝 170n
8．2．1 配料、混料 171n
8．2．2 預燒 171n
8．2．3 磨料 172n
8．3 液相法粉體製備工藝 172n
8．3．1 溶膠凝膠法 172n
8．3．2 水熱閤成法 173n
8．3．3 共沉澱法 173n
8．4 粉體製備工藝設備 174n
8．4．1 固相法粉體製備工藝設備 174n
8．4．2 液相法粉體製備工藝設備 176n
8．5 粉體材料製備技術發展趨勢 176n
參考文獻 176n
第9章 粉體材料成型技術 177n
9．1 概述 177n
9．1．1 粉體材料成型技術體係 177n
9．1．2 粉體材料成型技術的應用現狀 177n
9．2 粉體材料成型工藝 177n
9．2．1 成型工藝 177n
9．2．2 燒結工藝 179n
9．2．3 磨加工工藝 180n
9．2．4 清洗檢驗 181n
9．3 粉體材料加工工藝設備 181n
9．3．1 成型設備 181n
9．3．2 燒結設備 182n
9．3．3 磨加工設備 183n
9．4 粉體材料加工工藝發展趨勢 183n
參考文獻 184n
第四篇 電子元器件製造工藝技術n
0章 外延工藝 186n
10．1 概述 186n
10．1．1 外延工藝技術體係 186n
10．1．2 外延工藝的應用現狀 187n
10．2 氣相外延（VPE）工藝 187n
10．2．1 Si氣相外延 188n
10．2．2 SiGe氣相外延 189n
10．2．3 GaAs氣相外延 190n
10．2．4 SiC氣相外延 192n
10．3 液相外延（LPE）工藝 192n
10．3．1 GaAs係液相外延 193n
10．3．2 InP係液相外延 194n
10．3．3 HgCdTe係液相外延 194n
10．4 分子束外延（MBE）工藝 195n
10．4．1 固態源分子束外延（SSMBE） 195n
10．4．2 氣態源分子束外延（GSMBE） 197n
10．4．3 有機源分子束外延（MOMBE） 197n
10．5 金屬有機物化學氣相澱積外延（MOCVD）工藝 198n
10．5．1 GaAs/InP係MOCVD 198n
10．5．2 GaN係MOCVD 200n
10．6 外延設備 201n
10．6．1 氣相外延（VPE）爐 201n
10．6．2 液相外延爐 201n
10．6．3 分子束外延設備 202n
10．6．4 金屬有機物化學氣相澱積外延設備 202n
10．7 外延工藝發展趨勢 204n
參考文獻 204n
1章 掩模製造與光刻工藝 205n
11．1 概述 205n
11．1．1 掩模製造與光刻工藝技術體係 205n
11．1．2 掩模製造與光刻工藝的應用現狀 206n
11．2 掩模製造工藝 206n
11．2．1 數據處理 206n
11．2．2 曝光 207n
11．2．3 掩模的基闆 207n
11．2．4 掩模製造工藝分類 207n
11．2．5 掩模質量控製 208n
11．3 光刻工藝 209n
11．3．1 預處理 209n
11．3．2 塗膠 210n
11．3．3 曝光 210n
11．3．4 顯影 214n
11．3．5 光刻質量控製 215n
11．4 掩模和光刻設備 217n
11．4．1 塗膠顯影軌道 217n
11．4．2 光刻機 217n
11．4．3 電子束曝光係統 217n
11．5 掩模製造與光刻工藝發展趨勢 218n
參考文獻 219n
2章 摻雜工藝 220n
12．1 概述 220n
12．1．1 摻雜工藝技術體係 220n
12．1．2 摻雜工藝的應用現狀 220n
12．2 擴散工藝 221n
12．2．1 擴散 221n
12．2．2 常用擴散工藝 223n
12．2．3 擴散層質量的檢驗 227n
12．3 離子注入工藝 229n
12．3．1 離子注入 229n
12．3．2 離子注入係統 231n
12．3．3 離子注入參數 233n
12．3．4 離子注入工藝與應用 233n
12．4 摻雜設備 235n
12．4．1 擴散氧化爐 235n
12．4．2 離子注入機 236n
12．4．3 退火爐 236n
12．5 摻雜工藝發展趨勢 236n
參考文獻 237n
3章 刻蝕工藝 238n
13．1 概述 238n
13．1．1 刻蝕工藝技術體係 238n
13．1．2 刻蝕工藝的應用現狀 239n
13．2 濕法刻蝕工藝 239n
13．2．1 矽的刻蝕 239n
13．2．2 GaAs和InP的各嚮異性刻蝕 242n
13．2．3 非半導體薄膜材料的刻蝕 244n
13．3 乾法刻蝕工藝 246n
13．3．1 乾法刻蝕 246n
13．3．2 等離子刻蝕的工藝參數 247n
13．3．3 等離子體刻蝕方法 249n
13．4 刻蝕設備 252n
13．4．1 等離子刻蝕設備 253n
13．4．2 離子束刻蝕設備 253n
13．4．3 反應離子刻蝕機 253n
13．5 刻蝕工藝發展趨勢 254n
參考文獻 254n
4章 薄膜生長工藝 255n
14．1 概述 255n
14．1．1 薄膜生長工藝技術體係 255n
14．1．2 薄膜澱積工藝應用現狀 256n
14．2 金屬薄膜生長工藝 256n
14．2．1 真空鍍膜 256n
14．2．2 電鍍法 261n
14．2．3 CVD法 262n
14．3 介質薄膜生長工藝 262n
14．3．1 化學氣相澱積 262n
14．3．2 射頻濺射 270n
14．3．3 熱氧化生長介質膜 270n
14．4 薄膜生長設備 270n
14．4．1 等離子體增強化學氣相澱積設備（PECVD） 270n
14．4．2 低壓化學氣相澱積設備（LPCVD） 271n
14．4．3 氧化爐 272n
14．5 薄膜生長工藝發展趨勢 272n
參考文獻 272n
5章 清洗工藝 273n
15．1 概述 273n
15．1．1 半導體清洗工藝技術體係 273n
15．1．2 半導體清洗工藝的應用現狀 273n
15．2 微粒清洗工藝 274n
15．2．1 清洗的一般流程 274n
15．2．2 各類雜質的清洗方法 274n
15．2．3 清洗後的處理 278n
15．2．4 其他清洗方式 279n
15．3 膜層清洗工藝 280n
15．4 清洗設備 282n
15．4．1 槽式清洗設備 282n
15．4．2 鏇轉衝洗甩乾設備 283n
15．4．3 單片腐蝕清洗設備 283n
15．5 清洗工藝發展趨勢 283n
參考文獻 284n
6章 電子元器件封裝工藝 285n
16．1 概述 285n
16．1．1 電子元器件封裝工藝技術體係 285n
16．1．2 電子元器件封裝工藝的應用現狀 286n
16．2 電子元器件封裝陶瓷外殼 286n
16．3 IC封裝工藝 299n
16．3．1 工藝流程 299n
16．3．2 封裝工藝可靠性控製 310n
16．4 紅外探測器封裝工藝 311n
16．4．1 紅外探測器封裝 311n
16．4．2 紅外焦平麵探測器封裝結構 311n
16．4．3 紅外焦平麵探測器封裝工藝 312n
16．5 MEMS封裝工藝 317n
16．5．1 MEMS 封裝 317n
16．5．2 MEMS常規封裝形式 317n
16．5．3 MEMS封裝密封要求 318n
16．5．4 晶圓級封裝和芯片級MEMS封裝 319n
16．5．5 MEMS與係統集成 320n
16．6 封裝工藝發展趨勢 320n
參考文獻 322n
7章 微波真空電子器件製造工藝 323n
17．1 概述 323n
17．1．1 微波真空電子器件製造工藝技術體係 323n
17．1．2 微波真空電子器件製造工藝的應用現狀 324n
17．2 微波真空電子器件製造工藝 324n
17．2．1 陰極製造工藝 324n
17．2．2 陶瓷金屬化與封接工藝 328n
17．2．3 先進連接工藝 328n
17．2．4 排氣工藝 331n
17．2．5 在綫檢漏工藝 332n
17．2．6 老煉工藝 332n
17．3 微波真空電子器件製造工藝發展趨勢 333n
17．3．1 毫米波亞毫米波微細加工工藝 333n
17．3．2 未來功能陶瓷 333n
17．3．3 新型微波吸收、衰減陶瓷 333n
參考文獻 334n
8章 物理與化學電源製造工藝 335n
18．1 概述 335n
18．1．1 物理與化學電源製造工藝技術體係 335n
18．1．2 物理與化學電源製造工藝技術應用現狀 336n
18．2 電極製備工藝 336n
18．2．1 塗布工藝 337n
18．2．2 極闆壓製工藝 338n
18．2．3 燒結與浸漬工藝 338n
18．3 隔膜製備與處理工藝 339n
18．4 單體電池極組裝配工藝 340n
18．4．1 捲繞工藝 340n
18．4．2 疊片工藝 341n
18．5 電池裝配工藝 342n
18．5．1 焊接工藝 342n
18．5．2 鉚接工藝 342n
18．5．3 注液工藝 342n
18．6 化成工藝 343n
18．6．1 極闆化成工藝 343n
18．6．2 單體電池化成工藝 343n
18．7 電池組閤裝配工藝 344n
18．7．1 儲液器裝配工藝 344n
18．7．2 化學加熱器裝配工藝 345n
18．8 電池封裝工藝 345n
18．8．1 陶瓷金屬密封極柱製造工藝 345n
18．8．2 焊接封裝工藝 346n
18．9 物理與化學電源工藝發展趨勢 346n
18．9．1 化學電源工

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