半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

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齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677523

商品編碼：29699151317

包裝：平裝

齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名:半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊

定價：230.00元

售價：156.4元,便宜73.6元,摺扣68

作者:全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

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版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

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編輯推薦

內容提要

半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶嚮測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷麵夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎麯度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹麯度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片錶麵平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片錶麵質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外乾涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑嚮電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考麵長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考麵結晶學取嚮X射綫測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑嚮變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片錶麵顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光緻發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片錶麵Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射綫衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片錶麵的有機汙染物
GB/T 24578-2009 矽片錶麵金屬沾汙的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽錶麵金屬汙染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾汙的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦閤等離子質譜儀測定多晶矽錶麵金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子復閤壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化閤物半導體拋光晶片亞錶麵損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、锡、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦錶麵的錶麵粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料錶麵金屬雜質含量的電感耦閤等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹麯度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片錶麵粗糙度及切割綫痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法

作者介紹

文摘

序言

《半導體材料標準匯編：方法標準 國標分冊》（2014版）內容介紹 本《半導體材料標準匯編：方法標準 國標分冊》（2014版）是一部係統、權威的半導體材料檢測方法標準集閤，旨在為我國半導體材料行業提供統一、規範的檢測依據，確保産品質量，促進技術進步與國際交流。本書收錄瞭截至2014年為止，國傢質量監督檢驗檢疫總局、國傢標準化管理委員會批準發布的、與半導體材料相關的國傢標準（GB）中屬於“方法標準”類彆的所有重要文件。 本書的編寫，緊密圍繞半導體材料的種類、性能錶徵、雜質分析、結構檢測等關鍵技術環節，力求全麵覆蓋行業內最常用、最核心的檢測技術。它不僅是科研機構、生産企業、檢驗檢測機構必備的工具書，也是相關領域從業人員、技術研發人員、質量控製人員以及高等院校相關專業師生學習和研究的重要參考資料。 核心內容概覽： 本書的結構按照國傢標準（GB）的編號順序和分類進行編排，每一部分都代錶著一項或一組針對特定半導體材料或特定性能指標的檢測方法。其核心內容涵蓋但不限於以下幾個關鍵領域： 一、 基礎材料特性檢測方法： 高純度材料製備與分析： 涉及用於製備高純半導體材料（如矽、鍺、砷化鎵等）過程中的關鍵雜質控製和痕量分析方法。例如，可能包含電感耦閤等離子體發射光譜法（ICP-AES）、電感耦閤等離子體質譜法（ICP-MS）、石墨爐原子吸收光譜法（GFAAS）等用於檢測材料中微量金屬雜質的技術標準。這些標準對於確保半導體器件的電學性能至關重要，因為即使是ppm（百萬分之一）甚至ppb（十億分之一）級彆的雜質也可能嚴重影響器件的性能和可靠性。 晶體生長與結構錶徵： 針對半導體單晶材料的生長過程以及晶體結構的檢測方法。這包括對晶體取嚮、晶界、位錯、缺陷等進行錶徵的標準。可能包含X射綫衍射（XRD）用於晶麵取嚮和晶格常數測定，光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡（SEM）等用於觀察材料錶麵形貌和微觀結構的標準。對於生長高質量的單晶材料，這些檢測方法是必不可少的。 晶片尺寸與錶麵質量檢測： 涵蓋對半導體矽片、鍺片等基片材料的尺寸精度（如直徑、厚度、翹麯度、平麵度）以及錶麵質量（如劃痕、麻點、汙物、錶麵粗糙度）的檢測方法。這些標準直接關係到後續芯片製造工藝的良率和器件的可靠性。可能包含光學測量、接觸式測量等多種標準。 電阻率與載流子濃度測量： 這是半導體材料最基本也是最重要的電學性能指標。本書收錄瞭針對不同半導體材料（如矽、砷化鎵等）測量電阻率和載流子濃度的方法標準。可能包含四探針法、範德堡法、霍爾效應測量法等多種標準，這些方法在不同材料、不同形狀以及不同濃度範圍內具有各自的適用性。 二、 特種半導體材料檢測方法： 化閤物半導體材料： 隨著化閤物半導體（如砷化鎵、氮化鎵、磷化銦等）在高速通信、光電子器件等領域的廣泛應用，本書也專門收錄瞭針對這類材料的檢測方法標準。這可能包括其化學成分的精確測定、禁帶寬度、遷移率等光電性能的錶徵方法。 寬禁帶半導體材料： 針對碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料的檢測方法。這些材料在高溫、高壓、高頻器件領域具有巨大潛力，其檢測方法通常需要適應更高的溫度和更苛刻的測試條件。 有機半導體材料： 隨著有機電子學的興起，對於有機半導體材料的檢測方法標準也逐漸被納入。這些標準可能涉及其分子結構、電荷傳輸特性、光電響應等方麵的檢測。 三、 光電性能與器件相關檢測方法： 光電性能測量： 針對半導體材料的光學吸收、透射、反射特性，以及光緻發光、電緻發光等光電性能的測量方法。這些標準對於開發光電器件（如LED、光伏電池、光探測器）至關重要。 雜質與缺陷的深度剖析： 除瞭錶麵和整體的雜質分析，本書還可能包含一些深度分析技術在半導體材料中的應用標準，例如二次離子質譜法（SIMS）、拉曼光譜法等，用於分析材料內部的雜質分布和缺陷結構。 四、 環境與可靠性測試方法： 可靠性測試： 針對半導體材料在不同環境條件下的穩定性和可靠性進行評估的檢測方法。這可能包括高溫、低溫、濕熱、光照、電應力等條件下的性能變化測試。 失效分析： 一旦器件齣現失效，需要對失效的半導體材料進行分析以找齣失效原因。本書可能包含相關的失效分析方法標準，如電子探針微區分析（EPMA）、透射電子顯微鏡（TEM）等。 本書的價值與意義： 1. 規範化與統一性： 本書匯集瞭國傢發布的權威方法標準，為國內半導體材料的檢測提供瞭一套統一、規範的語言和操作規程。這有助於減少檢測結果的差異性，提高可比性，為行業內的信息交流和技術協同奠定基礎。 2. 質量保障： 嚴格按照標準進行的檢測，能夠有效地評估半導體材料的各項性能指標，從而保障産品質量。這對於減少不閤格産品流入市場，提高客戶滿意度，維護企業聲譽具有重要意義。 3. 促進技術創新： 標準的製定與更新，往往反映瞭行業最新的技術發展水平。通過學習和應用這些標準，相關技術人員可以更好地理解行業發展趨勢，並在此基礎上進行創新和突破。 4. 提升國際競爭力： 許多國傢標準與國際標準（如IEC、ISO標準）進行對接或等效采用，本書的齣版有助於我國半導體材料行業與國際接軌，提升産品的國際競爭力。 5. 指導科研與教學： 對於從事半導體材料研究的科研人員，本書提供瞭可靠的實驗方法和數據參考。對於高等院校相關專業的教學，本書是學生學習和掌握半導體材料檢測技術的寶貴教材。 《半導體材料標準匯編：方法標準 國標分冊》（2014版）的齣版，是國傢在推動半導體産業健康發展方麵的重要舉措。本書以其內容的權威性、全麵性和實用性，必將為我國半導體材料行業的質量提升、技術進步和可持續發展提供堅實的技術支撐。本書的每一項標準都經過瞭嚴謹的論證和實踐檢驗，是從事半導體材料相關工作不可或缺的參考工具。

評分☆☆☆☆☆

從一名質量控製工程師的角度來看，這套標準匯編無疑是製定內部SOP（標準操作程序）的絕佳藍本。它提供瞭詳盡的儀器校準流程、試劑純度要求和測量不確定度的評估方法，這對於確保不同批次、不同産綫的産齣物具有高度一緻性至關重要。然而，當我試圖尋找一套針對特定汙染物（比如，光刻膠殘留物或清洗液中的離子汙染）的超靈敏、痕量分析標準時，我發現書中更多的是通用的化學分析方法，例如ICP-MS的常規流程。雖然這些是基礎，但麵對亞十納米級的製程，我們需要的是能夠檢測到PPT（萬億分之一）級彆的汙染控製標準，包括如何排除環境背景乾擾、如何確保樣品轉移過程的絕對潔淨。這本書在對“通用”和“基礎”標準的強調上做得無可挑剔，但在那些決定最終良率的“極端敏感”和“高精度”的定製化檢測方法上，則顯得保守和不夠深入，缺乏對未來極限檢測要求的預見性布局。

評分☆☆☆☆☆

我所在的實驗室最近在攻剋第三代半導體（如GaN/SiC）的界麵鈍化技術，急需一套權威且全麵的測試規範來驗證我們新工藝的可靠性和重復性。因此，《半導體材料標準匯編(2014版)》自然成瞭我們采購清單上的首選。然而，在查閱與寬禁帶材料相關的部分時，我發現盡管它涵蓋瞭基礎的形貌分析和成分檢測標準，但在針對高溫、高頻工作環境下特有的可靠性評估標準方麵，內容相對單薄。例如，我們目前最頭疼的是高功率密度下的熱管理和應力分布，這需要用到復雜的耦閤測試方法和標準化的熱阻標定流程。這本書更多地側重於對原材料本身純度、晶圓平整度等靜態指標的量化，對於材料在極端動態條件下的實際錶現，似乎沒有給齣足夠前瞻性的指導意見。這感覺就像是，它提供瞭一套非常精密的尺子來量度一塊磚頭有多平整，但對於這塊磚頭壘成高樓後能不能抗震，則沒有給齣明確的驗收標準，這對於追求極緻性能的我們來說，是一個明顯的短闆。

評分☆☆☆☆☆

這本書，拿到手裏沉甸甸的，那種厚實的紙張和嚴謹的裝幀，讓人一看就知道不是什麼泛泛之談的科普讀物，而是真正的專業工具書。我原本是抱著一種“希望能找到一些關於新一代半導體材料製備工藝的最新進展”的期望來翻閱的。說實話，當我看到目錄裏密密麻麻排列的那些標準號和標準名稱時，第一感覺是“官方”得讓人有點敬畏，但也略微感到一絲絲的失落。我期待的是那種能夠深入解析材料物理機製、探討不同晶圓缺陷對器件性能影響的深度論述，最好能配上大量的實驗數據圖錶和前沿理論推導。然而，這本書給我的感覺更像是一部法律條文的匯編，它詳盡地規定瞭“應該怎麼做”和“什麼是閤格的”，但對於“為什麼”以及“如何超越現有標準”的探討，則顯得有些意猶未盡。特彆是關於超高純度金屬有機源的檢測方法那一章節，雖然步驟描述得一絲不苟，但對於背景信號的抑製和痕量雜質的歸一化處理，缺乏更具操作性的細緻指導，這對於一綫研發人員來說，可能需要結閤更多的實驗手冊纔能真正落地應用。它更像是給已經非常成熟的生産綫提供瞭一個可以嚴格遵循的“憲法”，而不是給探索未知領域的科研人員指明“星辰大海”的方嚮。

評分☆☆☆☆☆

坦白講，這本書的齣版年份（2014版）在快速迭代的半導體行業中，已經帶上瞭一絲“曆史感”。我本想藉此梳理一下當時主流矽基CMOS技術中，關於柵氧質量和介電常數測量的權威流程，畢竟打好基礎至關重要。但翻閱過程中，我明顯感覺到內容主要聚焦於成熟的矽材料體係，對於當時已經嶄露頭角的SOI技術（絕緣體上矽）以及先進的摻雜劑深度剖析技術（如次納米級的離子注入剖麵分析標準），其覆蓋的深度和廣度，明顯不如我對最新的IEEE或SEMI標準的期待。很多我們現在日常使用的先進TEM（透射電鏡）樣品製備規範和高分辨成像分析方法，在書中找不到對應的官方指導標準。這讓我感覺，這本書更像是對一個特定曆史階段（2014年前後）半導體材料檢測方法的一次“大封存”，雖然曆史價值無可替代，但對於指導當前正在進行的、麵嚮更小節點和新型異質結構的研究來說，其時效性已經不能完全滿足要求瞭，很多關鍵步驟需要我們自己去查閱後續發布的新標準或行業指南來補充。

評分☆☆☆☆☆

對於我這種非直接從事半導體生産，而是進行材料性能建模和模擬工作的研究人員來說，我更看重的是標準中提供的那些經過同行廣泛驗證的、可靠的物理參數和實驗數據獲取流程。我本希望這本書能提供一份詳盡的、基於不同溫度和應力條件下的關鍵材料屬性查找錶（如熱導率隨摻雜濃度的變化麯綫，或者載流子遷移率在不同晶嚮上的標準值）。但很遺憾，這本書的核心價值顯然在於“方法論”的規範，即“如何測量”的流程文件，而不是“測量結果”的數據庫。它告訴我們用哪種A法去測電阻率，用哪種B法去測載流子濃度，但這些測量方法最終得齣的具體數值，可能需要我們去翻閱其他專門的材料參數手冊或數據庫纔能獲取。因此，這本書更像是一本“操作手冊大全”，而非一本“材料參數參考詞典”，這使得它在輔助我們進行高精度數值模擬時，需要額外的交叉引用工作，降低瞭直接應用其數據的便捷性。