CMOS射频集成电路设计（第二版） pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[美] 托马斯　H. 李（Thomas H. Lee） 著，余志平，周润德 等 译

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• CMOS射频
• 射频集成电路
• 模拟电路
• 无线通信
• 射频设计
• 集成电路设计
• 微电子学
• 通信电路
• 射频芯片
• 第二版

出版社： 电子工业出版社

ISBN：9787121175954

版次：2

商品编码：11084796

包装：平装

开本：16开

出版时间：2012-08-01

用纸：胶版纸

正文语种：中文

内容简介

　　《CMOS射频集成电路设计（第二版）》被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题。

目录

第1章 无线电发展历史的间断回顾
1.1 引言
1.2 麦克斯韦和赫兹
1.3 真空管发明前的电子学
1.4 真空管的诞生
1.5 armstrong和再生放大器／检波器／振荡器
1.6 其他无线电电路
1.7 armstrong和超再生电蹈
1.8 oleg losev及第一个固态电路放大器
1.9 结束语
1.10 附录a：真空管基础
1.11 附录b：究竟是谁发明了无线电
第2章 无线通信原理概述
2.1 无线系统的片段简史
2.2 非蜂窝无线通信的应用
2.3 香农定理、调制及其他
2.4 传播
2.5 结论
2.6 附录：其他无线系统的特性
第3章 无源rlc网络
.3.1 引言
3.2 并联rlc谐振回路
3.3 串联rlc网络
3.4 其他rlc谐振网络
3.5 作为阻抗变换器的rlc网络
3.6 实例
第4章 无源集成电路元件的特性
4.1 引言
4.2 射频情况下的互连线：趋肤效应
4.3 电阻
4.4 电容
4.5 电感
4.6 变压器
4.7 高频时的互连选择
4.8 小结
4.9 附录：电容方程总结
第5章 mos器件物理回顾
5.1 引言
5.2 简短历史
5.3 场效应管：一个小故事
5.4 mosfet物理：长沟道近似
5.5 弱反型区(亚阈值区)的工作情况
5.6 短沟情况下的mos器件物理
5.7 其他效应
5.8 小结
5.9 附录a：0.5μmlevel-3的spice模型
5.10 附录b：level-3spice模型
5.11 附录c：level-1mos模型
5.12 附录d：一些非常粗略的尺寸缩小规律
第6章 分布参数系统
6.1 引言
6.2 集总和分布参数范畴之间的联系
6.3 重复结构的策动点阻抗
6.4 关于传输线的更详细讨论
6.5 有限长度传输线的特性
6.6 传输线公式小结
6.7 人工传输线
6.8 小结
第7章 史密斯圆图和s参数
7.1 引言
7.2 史密斯圆图
7.3 s参数
7.4 附录a：关于单位的一些说明
7.5 附录b：为什么采用50ω(或75ω)
第8章 频带宽度估算方法
8.1 引言
8.2 开路时间常数方法
8.3 短路时间常数方法
8.4 补充读物
8.5 上升时间、延时及带宽
8.6 小结
第9章 高频放大器设计
9.1 引言
9.2 利用零点增大带宽
9.3 并联-串联放大器
9.4 采用ft倍频器增大带宽
9.5 调谐放大器
9.6 中和与单向化
9.7 级联放大器
9.8 调幅-调相(am-pm)的转换
9.9 小结
第10章 基准电压和偏置电路
10.1 引言
10.2 二极管特性回顾
10.3 cmos工艺中的二极管和双极型晶体管
10.4 独立于电源电压的偏置电路
10.5 带隙基准电压
10.6 恒gm偏置
10.7 小结
第11章 噪声
11.1 引言..
11.2 热噪声
11.3 散粒噪声
11.4 闪烁噪声
11.5 爆米噪声
11.6 经典的二端口网络噪声理论
11.7 噪声计算举例
11.8 一个方便的匡算规则
11.9 典型的噪声性能
11.10 附录：各种噪声模型
第12章 低噪声放大器设计
12.1 引言
12.2 mosfet二端口网络噪声参数的推导
12.3 lna的拓扑结构：功率匹配与噪声匹配
12.4 功耗约束噪声优化
12.5 设计举例
12.6 线性度与大信号性能
12.7 无乱真信号的动态范围
12.8 小结
第13章 混频器
13.1 引言
13.2 混频器基础
13.3 作为线性混频器的非线性系统
13.4 基于乘法器的混频器
13.5 采样混频器
13.6 附录：二极管环路混频器
第14章 反馈系统
14.1 引言
14.2 现代反馈理论的简短历史
14.3 一个令人费解的问题
14.4 负反馈系统灵敏度的降低
14.5 反馈系统的稳定性
14.6 衡量稳定性的增益与相位裕量
14.7 根轨迹技术
14.8 稳定性准则小结
14.9 反馈系统建模
14.10 反馈系统的误差
14.11 一阶和二阶系统的频域和时域特性
14.12 实用的匡算规则
14.13 根轨迹举例和补偿
14.14 根轨迹技术小结
14.15 补偿
14.16 通过降低增益获得补偿
14.17 滞后补偿
14.18 超前补偿
14.19 慢滚降补偿
14.20 补偿问题小结
第15章 rf功率放大器
15.1 引言
15.2 一般考虑
15.3 a类、ab类、b类和c类功率放大器
15.4 d类放大器
15.5 e类放大器
15.6 f类放大器
15.7 功率放大器的调制
15.8 功率放大器特性小结
15.9 rf功率放大器的几个设计范例
15.10 其他设计考虑
15.11 设计小结
第16章 锁相环
16.1 引言
16.2 pll简史
16.3 几种线性化的pll模型
16.4 pll的一些噪声特性
16.5 鉴相器
16.6 序列鉴相器
16.7 环路滤波器和电荷泵
16.8 pll设计实例
16.9 小结
第17章 振荡器与频率合成器
17.1 引言
17.2 纯线性振荡器存在的问题
17.3 描述函数
17.4 皆振器
17.5 调谐振荡器举例
17.6 负阻振荡器
17.7 频率合成
17.8 小结
第18章 相位噪声
18.1 引言
18.2 一般性考虑
18.3 详细讨论：相位噪声
18.4 线性性与时变在相位噪声中的作用
18.5 电路实例
18.6 振幅响应
18.7 小结
18.8 附录：有关模拟的说明
第19章 系统结构
19.1 引言
19.2 动态范围
19.3 亚采样
19.4 发射机系统结构
19.5 振荡器的稳定性
19.6 芯片设计实例
19.7 小结
第20章 射频电路历史回顾
20.1 引言
20.2 armstrong
20.3 “全美”5管超外差收音机
20.4 regency tr-1晶体管收音机
20.5 三管玩具民用波段对讲机

精彩书摘

　　第5章 MOS器件物理回顾
　　5.1 引言
　　本章的注意力集中在直接与RF电路设计者有关的管子特性上，强调了一阶和高阶现象的差别，因此为了深入揭示一些问题而进行粗略近似的时候会举出许多例子来说明，所以本章的回顾是试图作为对这一内容的传统叙述的补充，而不是去替代它。特别是我们必须承认，当今的深亚微米MOSFET是非常复杂的器件，因此简单的公式事实上不可能提供任何其他比一阶（甚至可能是零阶）更精确的近似。本章的基本理念在于提供一种可以进行初步设计的简单隋形，然后通过复杂得多的模型来验证它。借助零阶模型建立起来的定性观察可以使设计者对从模拟器得到的不好结果做出正确的反应。因此，我们用一组比较简单的模型而不是用于验证的模型来进行设计。
　　基于这个目的，我们现在先回顾一段历史，然后再进行一系列的推导。
　　5.2 简短历史
　　人们制作场效应管（FET）的想法实际上要比双极器件的开发早20年。事实上，Julius Lilienfeld在1926年就获得了第一个类似于场效应晶体管的专利，但他从来也没有做成功过一个能够工作的器件。①wlluam Shockley在与别人合作发明双极型管之前也曾试图通过调制半导体的电导率来构成场效应管。与Lilienfeld一样，由于他使用的材料系统的问题（他采用了铜化合物②，因此没有获得成功。甚至在把目标转向锗（一种比氧化铜更简单因而更易于理解的半导体）之后，Shockley也仍然不能做出一个能够工作的场效应管。在试图分析不成功的原因的过程中，Shockley的贝尔实验室的同事John Bardeen及Walter Brattain偶然发现了点接触双极型晶体管，即第一个实际的半导体放大器。这个器件的一些没有解决的秘密（例如其中的负β）促使Shockley发明了结型场效应晶体管，这三个人由于他们的工作最终赢得了诺贝尔物理奖。
　　到1950年，一个基于改变半导体等效截面积的晶体管[即结型场效应管（JFET）]演示成功，它是一个很有用的器件，但却不是Shockley最初打算构造的器件。
　　10年后，贝尔实验室的Kahng和Atalla最终研制成功了一个硅MOSFET，他们利用一个偶然的发现，即硅自己的氧化物能够极好地控制难以解决的表面状态问题，而这些问题曾经使早期采用其他材料时所做的种种努力屡屡受挫。但是直到发现钠离子的污染是主要的罪魁祸首并且在相应的补救办法出现之前，器件特性的神秘（而且严重）漂移一直阻止了MOS工艺的商业化。
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前言/序言

《 CMOS 射频集成电路设计（第二版） 》 内容概述 本书是射频集成电路设计领域的一部经典著作，全面深入地介绍了 CMOS 技术在射频集成电路设计中的应用。第二版在第一版的基础上，根据技术的最新发展和前沿趋势进行了大量更新和补充，力求为读者提供最前沿、最实用的设计知识和方法。 全书结构与核心内容 本书共分为 xx 个章节，系统地涵盖了射频前端、中频处理、频率综合以及相关主题。 射频前端设计： 低噪声放大器 (LNA)：深入探讨了 LNA 的各种拓扑结构（如共源、共栅、Cascode）、噪声分析与优化、增益控制、线性度以及阻抗匹配技术。重点介绍了基于 CMOS 的 LNA 设计策略，包括如何权衡增益、噪声系数、功耗和线性度，以及在高频下的寄生效应处理。 混频器 (Mixer)：详细阐述了不同类型的混频器，如 Gilbert 混频器、MOSFET 混频器等，并分析了它们的性能指标，包括转换增益、噪声系数、本振泄漏、阻塞和互调失真。着重讲解了提高混频器性能的技术，如电流驱动、低压差设计和高动态范围设计。 振荡器 (Oscillator)：覆盖了各种振荡器拓扑，如 LC 振荡器、环形振荡器、压控振荡器 (VCO) 和晶体振荡器。重点分析了相位噪声、调谐范围、功耗和启动问题，并提供了提高振荡器性能的设计技巧，包括寄生参数的建模与补偿，以及使用电感和电容进行频率调谐。 开关与滤波器 (Switches and Filters)：介绍了射频开关的设计原理和常用结构，以及 CMOS 滤波器（如 SAW、BAW、MEMS 滤波器）的原理与实现。讨论了如何在 CMOS 工艺中实现高性能的射频开关，以及如何设计低损耗、高选择性的滤波器。 中频处理与基带电路： 中频放大器 (IF Amplifier)：探讨了中频放大器的增益控制、线性度、噪声和功耗问题。 滤波器 (Filters)：详细介绍了低通、高通、带通和带阻滤波器的设计，以及数字滤波器和模拟滤波器的实现。 频率合成与PLL： 锁相环 (PLL)：这是本书的核心内容之一。详细介绍了 PLL 的基本原理、组成部分（压控振荡器 VCO、鉴相器 PD、电荷泵 CP、环路滤波器 LF），以及不同类型的 PLL（如电荷泵 PLL、全数字 PLL）。深入分析了 PLL 的性能指标，如相位噪声、抖动、锁定时间和杂散响应，并提供了优化 PLL 性能的设计方法，包括环路滤波器的设计、鉴相器的选择以及 VCO 的优化。 频率合成器 (Frequency Synthesizer)：在此基础上，本书讲解了如何利用 PLL 构建频率合成器，实现精确的频率生成。介绍了小数分频 PLL (Fractional-N PLL) 和小数/整数分频 PLL 的原理和设计，以及如何克服小数分频带来的杂散问题。 其他重要主题： 匹配网络设计：详细讲解了阻抗匹配的基本原理，以及使用史密斯圆图和 ADS 等工具进行匹配网络的设计。涵盖了 L 匹配、Pi 匹配、T 匹配等常用匹配拓扑。 噪声与线性度分析：深入分析了射频电路中的噪声源和线性度限制因素，并提供了相应的分析模型和优化策略，如 NF 最小化、IP3 提升等。 功耗管理：探讨了在 CMOS 射频设计中如何实现低功耗，包括动态电压频率调整 (DVFS)、亚阈值设计和睡眠模式等技术。 工艺偏差与寄生效应：分析了 CMOS 工艺的偏差对射频电路性能的影响，以及高频下的寄生效应（如寄生电容、寄生电感）如何影响电路性能，并提供了相应的建模和补偿方法。 测试与验证：介绍了射频集成电路的测试方法和流程，包括 S 参数测试、噪声系数测试、线性度测试等，以及如何使用仿真工具进行设计验证。 CMOS 工艺的特点与局限性：对 CMOS 工艺在射频领域的优势（如低成本、高集成度、易于与数字电路集成）和劣势（如低 Q 值电感、高损耗等）进行了全面的分析，并探讨了如何克服这些局限性。 目标读者与学习价值 本书适合电子工程、通信工程、微电子学等相关专业的本科生、研究生，以及从事射频集成电路设计、通信系统开发和相关领域研究的工程师。通过学习本书，读者将能够： 掌握射频集成电路设计的基本原理和核心技术。 深入理解 CMOS 技术在射频设计中的优势与挑战。 学会使用现代设计工具和方法进行射频电路的仿真与优化。 能够独立设计和分析各种射频集成电路模块，如 LNA、混频器、振荡器和 PLL。 为进一步研究更复杂的射频系统和前沿技术打下坚实的基础。 本书的特色 系统性与全面性：从基本概念到高级主题，内容覆盖广泛，结构清晰。 理论与实践相结合：在深入讲解理论知识的同时，也提供了大量的实际设计案例和技巧。 前沿性与时效性：紧跟技术发展步伐，介绍了最新的设计方法和技术趋势。 图文并茂，易于理解：配有丰富的图表和电路示意图，帮助读者更好地理解抽象概念。 面向 CMOS 工艺：所有设计方法和分析都紧密围绕 CMOS 工艺的特性展开，具有极强的实践指导意义。 通过阅读《 CMOS 射频集成电路设计（第二版） 》，读者将能够深刻理解射频集成电路的设计艺术，掌握在日新月异的通信技术浪潮中设计高性能、低功耗、低成本射频芯片的关键技术。

评分☆☆☆☆☆

这本书对于混频器设计的阐述，确实为我打开了新的思路。我一直觉得混频器是射频前端的一个“神秘”模块，它的非线性特性既是实现变频功能的关键，也是引入噪声和失真（如镜像抑制、互调失真）的根源。本书在这一章节中，对不同类型的CMOS混频器，如Gilbert Cell混频器、LCM混频器等，进行了详细的介绍和对比分析。它不仅仅给出了这些电路的基本结构和工作原理，更深入地探讨了影响混频器性能的关键因素，比如开关失真、载波馈通、以及不同失配引起的性能下降。我特别欣赏书中关于“电荷泵混频器”的讲解，它提供了一种在低压CMOS工艺下实现高效混频的方法，并详细分析了其驱动电荷泵的电容大小、开关频率等对性能的影响。此外，书中还花了相当大的篇幅来讨论如何提高混频器的线性度和镜像抑制比，这对于设计高性能的接收机至关重要。它介绍了例如使用差分结构、优化开关管尺寸、以及采用特殊的偏置技术等方法。书中还通过具体的仿真实例，展示了如何评估混频器的性能指标，比如变频增益、噪声系数、IP3、LO馈通等，并给出了如何通过调整电路参数来优化这些指标的指导。这种既有深度又有广度的讲解，让我对混频器的设计有了更全面的认识，也帮助我理解了在实际设计中需要权衡的各种因素。

评分☆☆☆☆☆

在阅读《CMOS射频集成电路设计（第二版）》过程中，关于锁相环（PLL）合成器设计的部分，给我留下了极其深刻的印象。PLL是现代通信系统中实现频率合成和精确时钟分发的关键模块，它的性能直接影响着系统的整体稳定性和精度。本书对PLL的讲解，可以说是从原理到实践都进行了详尽的阐述。它详细介绍了PLL的基本组成部分，包括压控振荡器（VCO）、鉴相器（PD）、电荷泵（CP）、以及环路滤波器（LF），并深入剖析了每个模块的工作原理和关键参数。我尤其对书中关于VCO设计的部分感到惊喜，它不仅讲解了不同类型的VCO（如LC振荡器、环形振荡器），还详细分析了影响VCO的调谐范围、相位噪声、调谐灵敏度等关键指标的因素，并提供了优化这些指标的策略，例如通过改变LC Tank的电感和电容、调整有源器件的偏置等。此外，书中关于鉴相器和电荷泵的设计，也给了我很多启发，它解释了如何选择合适的鉴相器类型来满足不同的相位噪声和抖动要求，以及如何设计高效率、低噪声的电荷泵。环路滤波器的设计部分，更是将理论计算与实际的动态性能分析相结合，让读者能够理解如何通过调整滤波器参数来控制PLL的锁定时间和稳定度。书中还列举了多个PLL设计实例，展示了如何在不同的应用场景下，根据具体要求来设计和优化PLL。这种系统性的讲解，让我对PLL的设计有了从宏观到微观的全面理解。

评分☆☆☆☆☆

在阅读《CMOS射频集成电路设计（第二版）》的章节中，关于RF收发信机（Transceiver）架构的探讨，让我受益匪浅。收发信机是整个无线通信系统的核心，它集成了信号的接收和发射功能，是实现双向通信的关键。本书对RF收发信机架构的讲解，不仅仅局限于单一的超外差架构，而是深入分析了零中频（Zero-IF）和低中频（Low-IF）架构的优缺点，以及它们在CMOS工艺下的实现方式。它详细阐述了零中频架构在简化滤波器设计和提高集成度方面的优势，但也指出了其在IQ不匹配、本振泄漏和DC偏移等方面的挑战。书中还对这些挑战提出了相应的解决方法，例如采用自动校准电路来补偿IQ不匹配。我尤其对书中关于“多模收发信机”设计的讨论感到兴奋，它解释了如何在同一颗芯片上集成不同通信标准的收发信机，并如何通过软件控制来切换工作模式。书中还提及了诸如“数字预失真”（DPD）等技术在现代收发信机中的应用，这对于提高线性度和发射功率至关重要。通过这一章节的阅读，我不仅对RF收发信机的工作原理有了更深入的理解，也对现代无线通信系统的复杂性和集成度有了更直观的认识，为我今后深入研究和设计RF收发信机奠定了坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

当我深入到《CMOS射频集成电路设计（第二版）》的最后几章时，关于RF系统性能的分析和优化部分，给我带来了醍醐灌顶的感觉。前面章节对各个模块的讲解都非常到位，而这部分则将这些模块串联起来，从一个更高的层面来审视整个RF系统的表现。书中详细阐述了如何从噪声系数、增益、线性度、功耗、以及整体效率等多个维度来评估一个RF系统的性能。它不仅仅是提供了一些基础的计算公式，而是深入分析了各个子模块的性能如何相互影响，以及如何通过系统级的优化来达到最佳的整体性能。我特别欣赏书中关于“级联噪声系数”和“级联IP3”的计算和分析，它清晰地展示了前端模块的噪声和非线性对整个接收机灵敏度和线性度的决定性影响。此外，书中还讨论了关于“功耗优化”和“动态范围”的权衡，这对于现代低功耗、高性能的RF系统设计至关重要。它介绍了例如功率控制、动态偏置等技术，以在不同的工作条件下实现最优的功耗和性能。书中还提及了射频版图的布局和布线对系统性能的影响，以及如何通过合理的版图设计来减小串扰和寄生效应。这种从系统级出发，深入分析和优化RF系统性能的方法，让我对RF集成电路设计的理解从“单个模块”提升到了“整体协同”，为我今后进行更复杂、更完善的RF系统设计打下了坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

在翻阅《CMOS射频集成电路设计（第二版）》时，关于RF开关和阻抗匹配网络的讨论，给我留下了深刻的印象。RF开关在多频段、多功能的射频系统中起着至关重要的作用，而阻抗匹配则是保证信号高效传输的关键。本书对RF开关的讲解，不仅仅局限于其基本结构，而是深入探讨了不同类型RF开关（如p-i-n二极管开关、FET开关）在CMOS工艺下的实现方式，以及它们各自的插入损耗、隔离度、开关速度和功耗等关键参数。它详细分析了如何通过优化开关管的尺寸、偏置点以及寄生参数来降低插入损耗和提高隔离度。我特别喜欢书中关于“寄生效应”在RF开关中的影响以及如何减弱这些影响的讨论。在阻抗匹配网络部分，本书超越了简单的Lumped Element匹配，深入讲解了如Distributed Element匹配、Stub匹配等在CMOS射频电路设计中的应用。它详细阐述了如何利用微带线、带状线等传输线结构来构建匹配网络，并如何考虑其长度、宽度以及与衬底参数的关系。书中还通过大量的图示和仿真实例，展示了如何利用Smith圆图等工具来设计和优化宽带匹配网络，以及如何处理不同工作频段下的阻抗变化。这种将理论知识与实际工程设计紧密结合的方式，让我能够更有效地理解RF开关和阻抗匹配在射频系统中的重要性，也为我今后设计高性能射频前端提供了重要的指导。

评分☆☆☆☆☆

本书中关于射频前端（RFFE）系统级集成的论述，为我提供了一个全新的视角。过去我更多地关注单个模块的设计，而这本书则让我认识到，在复杂的射频系统中，各个模块之间的相互作用和系统整体的优化同样至关重要。书中详细分析了RFFE的架构，包括发射和接收通路，以及它们之间如何通过滤波器、开关等组件进行有效隔离和切换。它深入探讨了在CMOS工艺下实现高集成度RFFE所面临的挑战，例如不同模块之间的串扰、功耗的优化、以及版图的布局等。我尤其对书中关于“射频前端模块”（RF Front-End Module, FEM）的介绍感到兴趣，它展示了如何将LNA、PA、开关、滤波器等模块集成到一个封装中，以减小PCB面积并提高性能。书中还讨论了在多模多频（MM/MF）系统中，如何设计灵活可重构的RFFE，以支持不同的通信标准（如GSM、WCDMA、LTE、5G等）。它介绍了例如软件定义的射频前端、动态调谐滤波器等概念，并分析了在CMOS工艺中实现这些功能的技术难点。通过阅读这一章节，我不仅对RFFE的整体架构有了更清晰的认识，也对未来射频系统设计的发展趋势有了更深入的理解，这对我规划未来的学习方向非常有帮助。

评分☆☆☆☆☆

书中关于功率放大器（PA）设计的章节，对于我这个正在攻克PA难关的人来说，简直是雪中送炭。PA是射频发射链路的核心，它的效率和线性度直接决定了系统的发射功率和通信质量。本书对CMOS PA设计的阐述，涵盖了从基本概念到高级优化的全过程。它详细介绍了不同PA拓扑结构，例如单端、差分、回馈式等，以及它们的优劣势，并结合CMOS工艺的特点，给出了如何根据功率、效率、线性度等要求来选择合适的拓扑。我尤其关注书中关于PA匹配网络设计的讨论。它不仅仅是给出了阻抗变换的公式，而是深入剖析了如何针对不同的PA工作模式（如A类、AB类、C类）来设计最优的输出匹配网络，以实现最大功率传输或最优效率。书中还详细阐述了“包络跟踪”（Envelope Tracking）和“数字预畸变”（Digital Predistortion）等高级技术，这对于实现高效率、高线性的PA至关重要。它解释了这些技术的原理，以及如何在CMOS电路中实现这些功能。我印象深刻的是，书中通过一个具体的PA设计案例，详细演示了如何进行小信号和大幅度信号的分析，如何进行谐波和杂散信号的抑制，以及如何通过仿真工具来验证PA的性能指标。这种从原理推导到工程实践的完整流程，让我对PA设计有了更深入的理解，也为我今后的PA设计积累了宝贵的实战经验。

评分☆☆☆☆☆

在深入阅读《CMOS射频集成电路设计（第二版）》的过程中，我被书中关于低噪声放大器（LNA）设计的那一章节深深吸引。LNA是射频接收链路中至关重要的一环，它的噪声系数（NF）和增益直接决定了整个接收机的灵敏度。这本书并没有止步于理论公式的讲解，而是详细剖析了不同LNA拓扑结构，例如共源、共栅、Cascode等，以及它们各自的优缺点，并结合CMOS工艺的特点，给出了在不同设计目标下的选择依据。我特别关注了书中关于如何优化LNA的噪声系数和输入阻抗匹配的部分。它不仅仅是给出了匹配网络的公式，而是深入讲解了使用Smith圆图等工具进行阻抗匹配的实际操作，以及如何考虑器件自身的噪声源和寄生参数。书中还讨论了多种噪声降减策略，比如使用大栅极电流、优化偏置点、以及一些高级的噪声优化技术。我印象深刻的是，书中举例分析了一个典型的LNA设计案例，从器件选择、偏置点设定，到噪声系数和增益的仿真验证，每一步都讲解得十分细致，让我能够清晰地看到一个LNA设计是如何从概念走向实现的。此外，书中还提及了LNA设计中常见的挑战，比如增益平坦度、线性度（IP3）以及功耗控制等，并提供了相应的解决方案。这种将理论与实际应用紧密结合的讲解方式，让我能够更深刻地理解LNA设计的精髓，也为我今后实际设计LNA积累了宝贵的经验。

评分☆☆☆☆☆

书中关于RF滤波器设计的讨论，为我解开了不少困惑。滤波器在射频链路中扮演着“守护者”的角色，它负责滤除噪声和干扰，保证信号的纯净。本书对CMOS RF滤波器的讲解，非常细致。它介绍了不同类型的RF滤波器，如LC滤波器、SAW滤波器、BAW滤波器等，并重点阐述了在CMOS工艺下如何实现这些滤波器。我特别关注了书中关于“有源滤波器”的设计，它解释了如何利用MOSFET的跨导来模拟电感和电容，从而构建紧凑的有源滤波器，并分析了有源滤波器在功耗、噪声和线性度方面的权衡。此外，书中还深入讨论了滤波器设计中的关键指标，如插入损耗、阻带衰减、Q值、以及它们如何影响整个RF系统的性能。它还详细讲解了如何处理滤波器的寄生参数和非理想效应，并提供了优化滤波器性能的策略，例如通过调整滤波器阶数、选择合适的拓扑结构，以及采用先进的滤波技术。书中还通过实例展示了如何利用仿真工具来设计和验证RF滤波器，并如何将其集成到整个RF系统中。这种既有理论深度又有实践指导的讲解方式，让我对RF滤波器设计有了更全面的认识，也为我今后在实际设计中遇到滤波器问题提供了有效的参考。

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我拿到这本《CMOS射频集成电路设计（第二版）》的时候，内心是充满期待的。作为一名射频领域的初学者，我深知理论基础的重要性，而市面上关于射频IC设计的书籍，要么过于晦涩难懂，要么内容陈旧，难以跟上技术发展的步伐。这本书的第二版，让我看到了希望。我最开始翻阅的是关于CMOS器件模型的那部分。我一直对MOSFET在射频频段的特性感到好奇，尤其是高频下的寄生效应和噪声特性，这些往往是决定射频电路性能的关键。书中对这些内容的讲解，不仅仅是罗列公式，而是深入浅出地剖析了物理原理，并将其与实际的电路设计联系起来。它详细阐述了不同工艺下MOSFET的跨导、输出电阻、结电容等参数如何影响射频性能，以及如何根据这些参数选择合适的器件尺寸和偏置点。对于一些复杂的模型，比如BSIM等，书中也给出了清晰的推导过程和应用指导，这对我这种需要从零开始建立理解的人来说，简直是及时雨。而且，书中还穿插了一些工程上的考量，比如如何通过仿真工具来验证模型，以及模型参数的提取方法，这使得理论知识能够更好地落地。我特别喜欢书中关于“模型不匹配”的讨论，它解释了为什么实际测试结果与仿真模型会有差异，以及如何通过一些技巧来减弱这种影响。这种注重实践的细节，让这本书显得格外实用。总的来说，在器件模型部分，我看到了扎实的理论功底和丰富的工程经验的结合，这为后续的学习打下了坚实的基础。

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讲得详细到位，值得推荐购买。有时候一直在想，为啥国产书总是读起来这么费劲？

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还是觉得李智群和池保勇的书更加详细一点，这本书整体上很系统的。

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aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

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看着像正版，就是稍微有点薄

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《包豪斯》为引进德国h．f．ullmann出版社出版的《包豪斯》专著，为目前研究包豪斯以及发展史的最新成果，书中记载有大量从未发表过的历史资料，国际出版有五种语言的版本读物。编者队伍强设计、绘画等综合设计院校作为学术顾问、教授任教的个人和学术团队

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不错！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

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书的内容很好，印刷质量也很好。

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帮同事买的，一次买了18本，就是送货前后几批不是很方便，质量OK

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还没看，应该是正版吧