2008年日本罗姆公司开发出了300A,耐压660V的10毫米见方的SiC二极管样品。传统产品因成品率低,只有几毫米见方的。一般情况下要扩大电流量就要增大芯片面积,然而芯片面积大则由于衬底质量的限制,成品率会降低。
评分SiC器件的基础材料是SiC衬底。决定SiC器件能否普及的是器件价格。影响价格的是器件成品率。而器件成品率受到衬底质量的制约。2009年世界最大的SiC衬底厂商美国Cree公司,已可批量生产高质量6英寸SiC衬底。2008年起,Cree公司已可量产无中空贯穿缺陷(微管)的SiC衬底。从2008年5月开始,其微管基本为零的4英寸衬底能批量供应。日本新日本制铁2008年也生产出同样基本无微管缺陷的4英寸衬底。
评分美国Cree公司和日本罗姆公司在业界领先生产SiC的MOS场效应晶体管。SiC功率晶体管分3类:MOSFET、结型场效应及IGBT那样的双极型器件。前两者为单极型器件。SiC晶体管的结构比SiC二极管复杂、因此成品率低、价格贵、影响其普及。然而对于耐压1200伏的应用,SiC晶体管对于硅基晶体管的成本优势己很明显。
评分目前影响SiC晶体管量产的两个因素是其动态电阻稍大和氧化层的可靠性。前者是由于SiC晶体管沟道移动性低,后者则可影响到晶体管的可靠性。
评分专家指出,对于耗电大户的信息业的数据中心,目前采用SiC器件在一年内可收回投资。
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