目前,SiC器件已被用於混閤動力汽車和電動汽車設備中。2008年9月日本豐田公司開發齣瞭SiC二極管逆變器,應用於X-TRAIL FCV型汽車進行道路行駛實驗。同月,本田汽車公司已用SiC器件製齣瞭電源模塊。2009年日本開發的SiC變頻空調在市場上銷售。日本大阪的關西電力公司,開發齣SiC逆變器,用於陽光發電。歐洲意法半導體公司用於電源的SiC二極管目前已大批量市售。德國英飛淩公司批量生産體積小的SiC二極管和SiC型MOS場效應晶體管,2009年3月推齣瞭第三代薄型 SiC肖特基二極管。據日本三菱公司的試驗錶明,電力變換器中使用的矽基耐壓600V快速恢復二極管和IGBT。如果用SiC SBD(肖特基勢壘二極管)和MOSFET管代替,功耗可降50%,甚至70%。SiC的工作環境可穩定地提高至300℃,而矽不超過200℃。因此可減少散熱器或不用散熱器。此外,SiC器件可在高頻下工作,在100KHz下使用的SiC器件已問世。
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評分目前影響SiC晶體管量産的兩個因素是其動態電阻稍大和氧化層的可靠性。前者是由於SiC晶體管溝道移動性低,後者則可影響到晶體管的可靠性。
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