電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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禹永植 著

圖書標籤:

• 電子技術
• 實驗
• 教程
• 電子信息
• 高等學校
• 電路
• 模擬電路
• 數字電路
• 實踐
• 教學
• 高等教育

齣版社： 哈爾濱工程大學齣版社

ISBN：9787566107770

版次：1

商品編碼：11473230

包裝：平裝

叢書名： 高等學校電子信息係列

開本：16開

齣版時間：2014-03-01

用紙：膠版紙

頁數：150

正文語種：中文

內容簡介

　　《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》為瞭適應近年來電子技術的飛速發展，滿足當前教學改革的需要。在以往的實驗教材基礎上，結閤多年的教學成果和教學經驗編寫而成。全書共7章分為兩部分，第一部分為1～4章，介紹電子技術實驗的基礎知識、常用儀器的操作、Multisim仿真軟件以及QuartusⅡ仿真軟件的使用；第二部分為5～7章，包含瞭電子技術基礎、綜閤及創新性的實驗內容。
　　《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》與理論教學緊密結閤，實驗內容包含電子技術的主要理論知識，提供瞭大量基礎實驗、綜閤及創新性實驗，不僅使學生易於學習、掌握理論知識，而且能夠更快地提高學生對電子電路設計及操作能力。基礎實驗以驗證性實驗為主，方便學生自主學習研究；綜閤性實驗幫助學生拓展設計思路。創新性實驗激發學生的學習熱情，提高工程實踐能力。《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》藉助Multisim及QuanusⅡ仿真軟件進行實驗設計，為學生今後的學習、適應技術發展和社會的需要打下良好的基礎。
　　《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》可作為高等學校通信、電子信息等專業課程的實驗教材，也可供教師及工程技術人員參考。

目錄

第1章 電子技術實驗基本理論
1.1 電子技術實驗的目的與要求
1.2 測量誤差基本知識
1.3 測量數據的處理

第2章 常用電子儀器及使用
2.1 DSll02E數字示波器
2.2 TFG3150L DDS函數信號發生器
2.3 HYl71-3S直流穩壓電源
2.4 SM2030數字交流毫伏錶
2.5萬用錶

第3章 Multisim 10基本功能及操作
3.1 Multisim 10基本界麵
3.2 Multisim 10電路創建及分析
3.3 Multisim 10常用虛擬儀器

第4章 QuartusⅡ基本功能及操作
4.1 Quartus Ⅱ基本界麵
4.2 Quartus Ⅱ基本操作

第5章 電子技術基礎實驗
5.1 共發射級單管放大電路
5.2 多級放大電路與負反饋
5.3 功率放大電路
5.4 集成運算放大器的綫性運算
5.5 門電路與組閤邏輯 電路
5.6 編碼器和譯碼器
5.7 觸發器
5.8 計數器
5.9 555集成定時器及應用
5.10 模數轉換

第6章 電子技術綜閤性實驗
6.1 單管交流放大電路的設計與實現
6.2 集成直流穩壓電源的設計與實現
6.3 集成運算放大器的非綫性應用
6.4 有源濾波器的設計與實現
6.5 正弦波振蕩電路的設計與實現
6.6 組閤、時序邏輯 電路的設計與實現
6.7 紅外報警器電路
6.8 定時報警電路的設計與實現
6.9 AD轉換與溫度傳感器

第7章 電子技術設計性實驗
7.1 心電信號放大器
7.2 函數信號發生器
7.3 8路智力競賽搶答器
7.4 多功能數字鍾
7.5 實用的傢用電器定時插座
參考文獻

《微納電子器件的物理機製與工藝優化》 內容梗概 本書深入剖析瞭當前微納電子器件領域的核心物理機製，並在此基礎上探討瞭先進的工藝製造技術如何對器件性能進行精細化優化。全書旨在為讀者構建一個係統、前沿的知識體係，理解從基本的半導體物理到復雜的量子效應如何在微觀尺度上影響著電子器件的功能與可靠性。 第一篇 基礎理論與器件模型 第一章 半導體物理基礎迴顧 本章旨在梳理並鞏固讀者在半導體物理領域的基礎知識，為後續深入理解微納器件的物理行為奠定堅實基礎。內容涵蓋： 能帶理論： 詳細闡述晶體中電子的能帶結構，包括價帶、導帶、禁帶以及費米能級。著重講解本徵半導體和摻雜半導體的能帶差異，以及溫度、應力等因素對能帶結構的影響。 載流子統計： 深入分析在不同溫度和摻雜濃度下，電子和空穴的分布統計規律，包括麥剋斯韋-玻爾茲曼分布、費米-狄拉剋分布等。推導本徵載流子濃度、雜質電離、以及外延層摻雜濃度與載流子濃度的關係。 導電機製： 重點講解半導體中的電導率來源，包括漂移電流和擴散電流。分析載流子遷移率的溫度依賴性、濃度依賴性以及散射機製（如聲子散射、雜質散射、錶麵散射等）對遷移率的影響。 PN結理論： 係統介紹PN結的形成、內建電場、耗盡區寬度、以及在外加電壓下的行為。詳細推導PN結的正嚮導通、反嚮截止特性，並分析其與載流子擴散和復閤的關係。 第二章 經典MOSFET工作原理 本章將聚焦於金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET），這是現代集成電路中最基本的構建模塊。 MOS結構及其電容特性： 詳細分析MOS電容器的結構，包括金屬柵極、絕緣層（通常是二氧化矽或高介電常數材料）和半導體基底。深入講解在不同柵電壓下，半導體錶麵齣現的積纍、平帶和反型等狀態，並推導MOS電容-電壓（C-V）特性麯綫。 NMOS與PMOS器件結構與溝道形成： 詳細介紹NMOS和PMOS的結構差異，以及其工作原理。重點闡述在柵電壓作用下，如何形成導電溝道，以及溝道電荷的産生和運動。 MOSFET的伏安特性： 詳細分析MOSFET的輸齣特性麯綫（漏極電流$I_D$與漏源電壓$V_{DS}$的關係）和轉移特性麯綫（$I_D$與柵源電壓$V_{GS}$的關係）。區分亞閾值區、綫性區和飽和區的物理機製，並推導相應的電流方程。 短溝道效應與二維效應： 隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統的二維模型已不足以準確描述器件行為。本章將引入短溝道效應（如閾值電壓降低、溝道長度調製）和二維效應（如垂直電場對橫嚮電場的影響），為後續更復雜的器件模型打下基礎。 第三章 先進MOSFET結構與工作機製 為瞭剋服短溝道效應和提高器件性能，研究人員開發瞭多種先進的MOSFET結構。 多柵器件（FinFET, Tri-gate）： 詳細介紹FinFET和Tri-gate等三維柵極結構的原理，分析其相對於平麵MOSFET在柵控能力、漏電流抑製、亞閾值擺幅方麵的優勢。 體矽CMOS與SOI CMOS： 對比體矽（Bulk Silicon）工藝和絕緣體上矽（Silicon-on-Insulator, SOI）工藝在器件性能、寄生效應、功耗等方麵的差異，並分析SOI器件在高性能計算和射頻應用中的優勢。 高遷移率溝道材料（SiGe, Ge）： 探討引入SiGe（矽鍺）或Ge（鍺）作為溝道材料對提高空穴或電子遷移率的機理。分析閤金摻雜、應力工程等對能帶結構和載流子輸運的影響。 高介電常數柵介質（High-k）與金屬柵： 解釋使用高介電常數材料替代SiO2作為柵介質的必要性，分析其在高柵極漏電流和等效氧化層厚度（EOT）方麵的優勢。同時，討論金屬柵的引入如何解決多晶矽柵的Fermi-level pinning問題。 第四章 存儲器器件物理 本章將重點關注構成現代數字信息存儲基石的各類存儲器器件。 DRAM（動態隨機存取存儲器）： 闡述DRAM的基本存儲單元（電容器與MOSFET開關）的工作原理，包括電荷存儲、讀齣和刷新機製。分析電容器的漏電、讀齣乾擾等限製因素。 SRAM（靜態隨機存取存儲器）： 介紹SRAM的基本存儲單元（通常是六晶體管交叉耦閤的鎖存器）工作原理，分析其讀寫操作的邏輯。探討SRAM的功耗特性和陣列設計。 NAND Flash與NOR Flash： 詳細講解浮柵（Floating Gate）或電荷陷阱（Charge Trap）作為存儲節點的原理。分析NAND Flash的頁操作（寫入、擦除、讀取）和NOR Flash的串行/並行讀寫機製，以及它們的優缺點和應用場景。 相變存儲器（PCM）與磁阻隨機存取存儲器（MRAM）： 介紹新興存儲器技術，如PCM利用材料相變（晶態與非晶態）進行存儲，MRAM利用磁隧穿結（MTJ）的磁阻效應存儲信息。分析它們的存儲機製、速度、功耗和耐久性。 第五章 量子效應在微納器件中的體現 隨著器件尺寸進入納尺度，量子力學效應變得愈發顯著，不可忽視。 量子囚禁效應（Quantum Confinement）： 講解當器件尺寸小於載流子的德布羅意波長時，載流子在特定方嚮上的運動會被限製，導緻能級離散化。分析其對量子阱、量子綫、量子點器件的影響。 隧穿效應（Tunneling）： 詳細闡述量子隧穿現象，即載流子能夠穿過經典力學不允許的勢壘。分析其在隧道二極管、閃存器件（ Fowler-Nordheim 隧穿）、以及未來隧道FET（TFET）中的關鍵作用。 量子乾涉與相乾輸運： 探討載流子在納米尺度下錶現齣的波動性，以及由此産生的乾涉效應。介紹相乾輸運在某些新型器件概念中的應用潛力。 量子退相乾與器件性能： 分析環境因素（如聲子、雜質、錶麵缺陷）如何導緻量子態的退相乾，從而影響器件的量子性能。 第二篇 工藝技術與性能優化 第六章 關鍵微納電子器件製造工藝 本章將係統介紹構成現代集成電路的係列核心製造工藝。 矽片製備與外延生長： 詳細介紹單晶矽生長（直拉法）、晶圓切割、拋光等製備過程。闡述化學氣相沉積（CVD）、分子束外延（MBE）等外延生長技術，以及如何控製薄膜的厚度、組分和晶體質量。 光刻技術（Photolithography）： 深入分析光刻技術是微電子製造中最核心的圖形轉移技術。介紹其發展曆程，從紫外光刻到深紫外（DUV）光刻，再到極紫外（EUV）光刻。詳細講解掩模版製作、光刻膠塗覆、曝光、顯影等步驟，以及關鍵參數如分辨率、套刻精度、景深等。 刻蝕技術（Etching）： 講解乾法刻蝕（等離子體刻蝕，如RIE、DRIE）和濕法刻蝕的原理、優缺點。分析它們在圖形轉移、材料去除、器件結構形成中的作用，以及對器件側壁形貌、刻蝕速率、選擇性等關鍵指標的要求。 薄膜沉積技術（Thin Film Deposition）： 介紹物理氣相沉積（PVD，如濺射）、化學氣相沉積（CVD，如 LPCVD、PECVD）、原子層沉積（ALD）等技術。分析它們在製備金屬、介質、半導體薄膜中的應用，以及如何控製薄膜的均勻性、密度、附著力等。 摻雜技術（Doping）： 詳細介紹離子注入（Ion Implantation）和擴散（Diffusion）兩種摻雜方式。分析它們在精確控製雜質濃度、分布深度、摻雜均勻性方麵的能力。介紹退火（Annealing）過程在激活雜質、修復損傷、改善界麵質量中的作用。 第七章 互連技術與可靠性 高質量的互連是實現復雜集成電路功能和保證長期可靠性的關鍵。 金屬互連材料： 介紹從鋁互連到銅互連的發展曆程。分析銅互連的高導電性、低電阻率優勢，以及在化學機械拋光（CMP）技術中的應用。討論阻擋層（如TaN/Ta）和擴散阻擋層的重要性。 介質層（Interlayer Dielectrics, ILD）： 闡述低介電常數（Low-k）材料在降低互連綫電容、提高信號傳輸速度方麵的作用。介紹各種Low-k材料的種類、製備方法及其挑戰。 3D互連技術（TSV）： 講解矽通孔（Through-Silicon Via, TSV）技術在構建三維集成電路中的重要性。分析TSV的製作工藝、電性能影響以及散熱挑戰。 互連可靠性問題： 深入探討互連綫中的金屬遷移（Electromigration, EM）、應力遷移（Stress Migration, SM）等可靠性失效機製。分析提高互連可靠性的工藝和設計策略。 第八章 工藝集成與器件性能優化 將不同的製造工藝巧妙地集成起來，纔能製造齣高性能、高密度的集成電路。 CMOS工藝集成流程： 詳細介紹從矽片到最終芯片的完整CMOS工藝流程，包括前端工藝（器件製造）和後端工藝（互連）。 應力工程（Stress Engineering）： 分析在器件溝道中引入應力（拉伸或壓縮）如何提高載流子遷移率，從而提升器件的速度。介紹應力工程的實現方法，如SiGe應變源極區、SiN應力層等。 錶麵處理與界麵控製： 強調界麵質量對MOSFET性能的決定性影響。介紹各種錶麵處理技術（如化學清洗、退火）和界麵鈍化技術（如氮化、氧化）如何減少界麵陷阱密度，提高載流子復閤率。 先進封裝技術： 簡述先進封裝技術（如晶圓級封裝、倒裝焊、扇齣封裝）在提高集成度、改善散熱、降低封裝成本方麵的作用。 第九章 器件建模與仿真 精確的器件模型和仿真工具是設計和優化微納電子器件不可或缺的環節。 半經驗模型與物理模型： 介紹用於電路仿真的半經驗模型（如BSIM係列模型）的構建原理，以及基於物理定律的器件仿真方法。 TCAD（Technology Computer-Aided Design）工具： 介紹TCAD工具在模擬器件結構、材料特性、工藝步驟和電學性能方麵的應用。分析TCAD在預測器件行為、指導工藝開發、優化設計參數中的作用。 量子效應建模： 討論在TCAD工具中如何引入量子力學效應，以實現對納米尺度器件的精確模擬。 多物理場仿真： 強調在設計復雜器件時，需要考慮電、熱、應力等多物理場的耦閤效應，以及相應的仿真方法。 第十章 未來微納電子器件發展趨勢 展望微納電子器件的未來發展方嚮，探索新的材料、新的結構和新的原理。 超越CMOS的器件： 討論現有CMOS技術麵臨的物理極限，以及可能替代CMOS的新型器件，如憶阻器（Memristor）、新型量子器件等。 新材料的應用： 探討二維材料（如石墨烯、過渡金屬硫化物）在下一代電子器件中的應用潛力，以及它們獨特的物理性質。 人工智能與AI硬件： 分析當前人工智能技術對電子器件提齣的新需求，以及如何設計專門的AI硬件加速器。 可持續電子學（Sustainable Electronics）： 關注電子器件的環境影響，探索低功耗、可迴收、環保的電子材料和製造工藝。 本書內容廣泛，緊密結閤瞭半導體物理、材料科學、工藝工程以及器件設計等多個學科的最新進展，旨在為讀者提供一個全麵深入的視角，理解微納電子器件的奧秘，並為相關領域的研究與開發提供堅實的理論基礎和技術指導。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》的時候，我抱著一種既期待又有些忐忑的心情。畢竟，電子技術這門學科，在很多人眼中都顯得尤為抽象和枯燥。然而，翻開書的第一頁，我就被它吸引住瞭。它並沒有像我預想的那樣，上來就拋齣大量復雜的理論公式或者晦澀難懂的術語。相反，它以一種循序漸進、由淺入深的方式，巧妙地引導著我進入電子世界的奇妙旅程。 我尤其欣賞書中對基礎概念的解釋。那些在課堂上可能一筆帶過，或者讓我聽得雲裏霧裏的概念，在這裏卻被拆解得淋灕盡緻。作者似乎非常有耐心，總是能找到最恰當的比喻和最生動的例子，將抽象的電子元件和電路行為形象化。比如，在講解電阻的作用時，它用自來水龍頭來比喻，將電流比作水流，電壓比作水壓，而電阻則是水龍頭開的大小。這樣的類比，一下子就讓我在腦海中建立起瞭清晰的物理模型，不再感到概念上的生疏和睏惑。 這本書的另一大亮點，在於它對實驗環節的重視。它不僅僅是理論的羅列，更強調動手實踐的重要性。每一個實驗都被設計得既具有啓發性，又能夠有效地鞏固所學的理論知識。從簡單的電阻串並聯電路，到稍微復雜一些的放大電路，每一個實驗步驟都寫得非常詳細，配以清晰的電路圖和必要的注意事項。這對於我這樣的初學者來說，簡直是福音。我再也不用擔心在動手操作時會因為疏忽而導緻實驗失敗，甚至損壞設備。 而且，它在實驗設計上，也充分考慮到瞭實際應用的可能。很多實驗並非停留在理論層麵，而是會模擬一些實際應用場景，讓我能夠感受到電子技術在生活中的實際意義。比如，在學習到濾波器的時候，它設計瞭一個簡單的音頻濾波實驗，讓我親手製作瞭一個能夠濾除部分噪音的裝置。那一刻，我仿佛看到瞭理論知識轉化為實際産品的過程，內心充滿瞭成就感和學習的動力。 總而言之，這本《電子技術實驗教程》給我的感覺是，它是一本真正懂學生、懂學習的書。它沒有故作高深，也沒有敷衍瞭事，而是用一種負責任的態度，帶領我們一步步深入電子技術的世界。它的語言通俗易懂，邏輯清晰，實踐性強，是所有想要學習電子技術的朋友們的理想選擇。即使是那些之前對電子技術感到畏懼的人，我相信在閱讀這本書之後，也會重新燃起學習的熱情，發現電子世界的樂趣。

評分☆☆☆☆☆

說實話，拿到《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》時，我內心是有些許壓力的。畢竟，“電子技術”這四個字，對我而言，常常伴隨著復雜的公式和令人望而生畏的電路圖。然而，這本書卻用一種令人驚喜的方式，顛覆瞭我過去的認知。它並沒有給我一種“高高在上”的學術感，而是像一位循循善誘的良師益友，耐心地引導我一步步探索電子世界的奧秘。 我特彆欣賞它在講解理論知識時的“可視化”處理。很多枯燥的概念，通過圖示、流程圖甚至是簡單的類比，變得生動有趣起來。比如，在講解二極管的單嚮導電性時，作者並沒有僅僅給齣P-N結的能帶圖，而是用一個“單行道”的比喻，形象地說明瞭電子隻能朝一個方嚮流動。這種巧妙的解釋方式，讓我能夠迅速抓住核心要點，並且深刻理解其物理意義，而不是死記硬背。 更讓我感到驚喜的是，本書在實驗部分的設計上，充分考慮到瞭循序漸進的原則。它不會一開始就拋齣過於復雜的電路，而是從最基礎的元器件和電路入手，逐步增加難度。每一個實驗都附有詳細的步驟說明、器件清單以及操作注意事項，這對於像我這樣動手能力相對較弱的學生來說，無疑是極大的福音。我不再擔心因為操作失誤而導緻實驗的失敗，而是可以更加自信地去嘗試。 書中的實驗設計，也充滿瞭實際應用的導嚮性。很多實驗並不是為瞭做實驗而做實驗，而是能夠模擬一些實際工程中的典型應用場景，讓我能夠直觀地感受到電子技術在生活中的重要性和廣泛性。例如，在學習到穩壓電路時，它設計瞭一個簡單的可調穩壓電源實驗，讓我能夠親手製作齣一個能夠穩定輸齣電壓的裝置。那一刻，我體會到瞭理論知識轉化為實際價值的成就感。 總而言之，《電子技術實驗教程》是一本真正能夠幫助讀者建立起紮實電子技術基礎的寶藏。它的內容豐富，講解清晰，實踐性強，並且充滿瞭人文關懷。它讓我從最初的畏懼，轉變為現在的熱愛，並且對未來的學習充滿瞭信心。它不僅僅是一本教程，更像是一把鑰匙，為我打開瞭通往電子技術廣闊世界的大門。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》的時候，我第一眼就被它厚重的質感和精美的印刷所吸引。翻開書頁，一股嚴謹的學術氣息撲麵而來，但隨之而來的，卻是一種意想不到的親切感。我一直認為，好的技術書籍，應該在保證科學嚴謹性的前提下，能夠讓讀者感到輕鬆和愉悅，而這本書，恰恰做到瞭這一點。 書中對基礎概念的梳理，可謂是匠心獨運。作者並沒有將大量的公式堆砌在讀者麵前，而是通過深入淺齣的講解，將復雜的理論概念轉化為易於理解的知識點。我尤其欣賞它對一些關鍵原理的闡釋，比如在解釋基爾霍夫定律時，作者並沒有僅僅給齣數學錶達式，而是用一個生動的“電流分配”的比喻，讓我們能夠直觀地理解電流和電壓在電路中的流動規律。 本書的實驗部分，是我最看重的一環。它不僅僅是簡單地羅列一些實驗項目，而是將每一個實驗都設計得富有條理和邏輯性。從實驗目的、實驗原理，到實驗器材、實驗步驟，再到實驗現象和數據分析，都寫得非常詳盡。我曾經嘗試過許多電子實驗，但往往因為細節的缺失而倍感睏惑。然而，在這本書中，我幾乎找不到這樣的情況。它就像一位經驗豐富的工程師，詳細地指導你完成每一個操作，讓你能夠事半功倍。 更讓我感到驚喜的是，本書的實驗設計，非常注重實踐性和探索性。它不僅能夠幫助我們鞏固課本上的理論知識，還能引導我們去思考和探索一些新的可能性。比如，在學習放大電路時，它設計瞭一個能夠通過調整元器件參數來觀察輸齣信號變化的實驗，這讓我能夠直觀地理解不同參數對電路性能的影響，從而培養瞭我的創新思維。 總而言之，《電子技術實驗教程》是一本真正意義上的“教程”。它不僅僅是一本知識的堆砌，更是一本引導讀者進行學習和探索的寶典。它的內容全麵，講解清晰，實踐性強，能夠幫助我們建立起紮實的電子技術基礎，並且培養我們科學的思維方式。對於所有想要深入瞭解電子技術的朋友們來說，這絕對是一本不可多得的優秀教材。

評分☆☆☆☆☆

收到《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》這本書時，我的第一感受是它非常“實在”。沒有華麗的辭藻，沒有故弄玄虛的理論，而是以一種樸實無華的姿態，將電子技術的精髓呈現在讀者麵前。這對於我這樣希望踏踏實實學習一門技術的人來說，無疑是一劑強心劑。 這本書最讓我感到欣慰的是，它對基礎概念的講解非常到位。很多時候，我們學習一門新的學科，都會被那些聽起來高深莫測的術語所睏擾。而這本書，卻用一種非常平易近人的方式，將這些概念一一破解。比如，在講解“場效應管”時，作者並沒有上來就談論半導體物理，而是用一個“水龍頭”的比喻，形象地說明瞭柵極電壓是如何控製漏極電流的。這樣的類比，一下子就讓我在腦海中建立瞭清晰的物理模型，從而能夠更好地理解後麵的內容。 在實驗設計方麵，這本書可以說做到瞭極緻的嚴謹和細緻。每一個實驗都包含詳細的原理介紹、元器件列錶、實驗步驟以及注意事項。而且，它還針對實驗過程中可能齣現的常見問題，給齣瞭相應的解決方案，這極大地降低瞭我們動手實驗的門檻。我曾經在做其他電子實驗的時候，因為不熟悉某個操作而導緻實驗失敗，但在這本書裏，我幾乎很少遇到這種情況，因為作者已經把所有可能遇到的坑都幫我們填好瞭。 更重要的是，本書的實驗設計，充分體現瞭“學以緻用”的原則。很多實驗都與實際應用緊密結閤，讓我們能夠真切地感受到電子技術在生活中的重要性。比如，在學習到數字電路時，它設計瞭一個簡單的交通燈控製器的實驗，讓我能夠親手製作齣一個模擬的交通信號燈係統。那一刻，我不僅鞏固瞭課堂上的知識，更體會到瞭理論與實踐相結閤的樂趣。 總而言之，《電子技術實驗教程》是一本非常優秀的技術教材。它內容詳實，講解清晰，實踐性強，並且充滿瞭對讀者的關懷。它不僅能夠幫助我們掌握電子技術的基本知識和操作技能，更能培養我們嚴謹的科學態度和解決問題的能力。我相信，這本書將成為我在電子技術學習道路上不可或缺的夥伴。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本《電子技術實驗教程/高等學校電子信息係列》的時候，我第一眼就被它厚重的封麵和整齊的排版所吸引。我一直認為，一本好的技術書籍，不僅要有紮實的理論內容，還要有清晰的結構和良好的閱讀體驗。《電子技術實驗教程》在這方麵做得相當齣色。它將龐雜的電子技術知識，通過精心設計的章節劃分，變得井然有序，易於檢索和理解。 在我看來，這本書最值得稱贊的地方在於它對實驗設計的科學性與實用性的平衡。它沒有為瞭追求實驗的“有趣”而犧牲掉對基礎原理的嚴謹性，也沒有因為強調理論的“深度”而忽略瞭實踐操作的便利性。每一個實驗都仿佛經過瞭反復的推敲和優化，既能夠幫助我們理解抽象的電路概念，又能讓我們通過親手搭建和測量，獲得直觀的感受。 特彆是書中對實驗所需器件的詳細說明，以及操作過程中可能遇到的問題和解決方案的提示，都體現瞭作者對讀者的細緻關懷。我曾經在做其他實驗的時候，因為不瞭解某個器件的特殊性而浪費瞭很多時間，但在這本書裏，這類情況齣現的概率大大降低。它就像一位經驗豐富的老教授，總能在你犯錯之前，給你一些善意的提醒，讓你少走彎路。 此外，它對實驗數據的分析和討論部分，也給我留下瞭深刻的印象。不僅僅是簡單地給齣實驗結果，而是引導我們思考實驗結果的意義，並與理論值進行比較，分析誤差産生的原因。這種訓練，對於培養我們的科學思維和分析能力，有著至關重要的作用。它讓我明白，電子實驗不僅僅是“搭起來能用”，更重要的是“理解它為什麼能用，以及如何做得更好”。 總的來說，《電子技術實驗教程》是一本非常優秀的教材。它以一種嚴謹又不失靈活的方式，為我打開瞭電子技術的大門。它不僅教會瞭我如何去“做”，更重要的是教會瞭我如何去“想”。我相信，無論是對於專業課學生，還是對於對電子技術感興趣的業餘愛好者，這本書都能提供寶貴的指導和幫助。它就像一座堅實的橋梁，連接著理論與實踐，讓我們能夠真正地掌握這門學科。