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内容简介

　　《宽禁带化合物半导体材料与器件》共9章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、ZnO和GaN的研究现状。

目录

第1章 绪论
1.1 宽带隙半导体概念
1.2 常见宽禁带化合物半导体
参考文献
第2章 化合物半导体材料基础
2.1 半导体
2.2 半导体材料的分类
2.2.1 元素半导体
2.2.2 化合物半导体
2.2.3 半导体固溶体
2.3 化合物半导体的特性
2.3.1 化合物半导体的晶体结构和化合键
2.3.2 化合物半导体的能带结构
参考文献
第3章 化合物半导体中的缺陷
3.1 缺陷理论基础
3.1.1 点缺陷的分类
3.1.2 点缺陷的符号表示方法
3.1.3 点缺陷在半导体中的施主或受主作用及它们的能级位置
3.2 ZnO中的杂质与缺陷
3.2.1 ZnO中的本征点缺陷
3.2.2 ZnO中绿色发光起源
3.2.3 ZnO中的故意掺杂
参考文献
第4章 宽带隙半导体发光
4.1 半导体中的光跃迁
4.1.1 半导体吸收跃迁
4.1.2 半导体中的带间跃迁辐射复合发光
4.2 激子
4.3 半导体发光光谱和辐射复合
4.4 激子复合
4.5 深能级中心相关的发光跃迁
4.6 时间分辨发光光谱
4.7 宽带隙半导体材料发光研究实例
参考文献
第5章 pn结
5.1 同质结
5.1.1 热平衡状态下的pn结
5.1.2 pn结的伏安特性
5.2 异质结
5.2.1 异质结的能带图
5.2.2 异型异质结的电学特性
参考文献
第6章 超晶格与量子阱
6.1 超晶格和量子阱发展概况
6.2 量子阱
6.3 超晶格
6.3.1 复合超晶格
6.3.2 掺杂超晶格
6.3.3 应变超晶格
6.3.4 多维超晶格
6.4 量子阱与超晶格的实验制备方法
6.5 超晶格和量子阱中的物理基础
6.5.1 半导体中的两类栽流子：电子(n)与空穴(p)
6.5.2 超晶格和量子阱的能带结构
6.5.3 量子阱与超晶格中的电子态
6.5.4 超晶格中的电子状态
6.6 超晶格和量子阱中的物理效应
6.6.1 量子约束效应
6.6.2 量子阱中的激子效应
6.6.3 量子受限的斯塔克效应(QCSE)
6.6.4 电场下超晶格中的Wannier—Stark局域态
6.6.5 二维电子气
6.7 超晶格和量子阱器件
6.7.1 量子阱激光器发展历程
6.7.2 垂直腔面发射激光器
6.7.3 新型的量子阱激光器
6.7.4 主要应用
参考文献
第7章 SiC
7.1 SiC的基本性质
7.1.1 物理性质和化学性质
7.1.2 晶体结构
7.1.3 电学性能和能带结构
7.2 SiC材料生长、掺杂与缺陷
7.2.1 SiC体单晶生长
7.2.2 SiC薄膜生长
7.2.3 SiC纳米结构
7.2.4 SiC的掺杂
7.2.5 SiC材料中的缺陷
7.3 SiC电子器件
7.3.1 SiC肖特基接触理论
7.3.2 肖特基势垒二极管(SBD)及其改进结构器件(JBD、MPS)
7.3.3 SiC场效应晶体管
7.3.4 SiC双极型晶体管(BJT)
7.4 SiC传感器件
7.4.1 SiC的压阻效应
7.4.2 SiC材料在气敏传感器中的应用
7.4.3 SiC材料在光电探测器中的应用
参考文献
第8章 GaN
8.1 概述
8.2 GaN的基本性质
8.2.1 物理和化学特性
8.2.2 晶体结构
8.2.3 电学性质和掺杂
8.2.4 光学性质
8.2.5 GaN与其他Ⅲ族氮化物合金
8.3 GaN材料制备
8.3.1 GaN体单晶的生长
8.3.2 GaN薄膜外延生长衬底材料的选择
8.3.3 GaN外延生长技术
8.4 GaN光电器件
8.4.1 GaN基LED
8.4.2 GaN基LD
8.4.3 GaN基紫外探测器
8.4.4 GaN基电子器件
参考文献
第9章 ZnO
9.1 ZnO材料概述
9.1.1 ZnO的基本性质和能带工程
9.1.2 ZnO中的杂质与缺陷
9.1.3 ZnO的电学性能及p型掺杂
9.1.4 ZnO的p型掺杂研究现状
9.2 传统及新颖的ZnO制备技术
9.2.1 ZnO体单晶
9.2.2 ZnO薄膜
9.2.3 ZnO纳米结构
9.3 ZnO基光电器件
9.3.1 纳米结构的掺杂与接触
9.3.2 同质结LED
9.3.3 异质结LED
9.3.4 激光二极管(LDs)
9.3.5 光电探测器(PDs)
9.3.6 光伏太阳能电池
9.4 ZnO基透明导电薄膜和场效应器件
9.5 ZnO基压电器件
9.6 ZnO基传感器件
9.7 ZnO基自旋器件
9.8 ZnO基光催化材料
9.9 小结
参考文献
缩略词

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