凝聚态物理学丛书·典藏版：晶体生长科学与技术（上册 第2版） epub pdf mobi txt 电子书 下载 2024

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内容简介

　　《晶体生长科学与技术（上册 第2版）》是一部在1981年出版的《晶体生长》基础上进行扩充和改写而成的集体创作，书中比较深入地论述了晶体生长的理论和技术，总结了国内外的主要实践经验和成果，重点介绍了我国在晶体领域中所取得的突出成就。全书共14章，分上、下册出版。
　　《晶体生长科学与技术（上册 第2版）》是上册（第1章至第7章），主要介绍晶体生长的热力学、动力学，溶液法，水热法，高温溶液法和从熔体中生长晶体及半导体晶体的生长。每章末尾提供了大量参考文献，书末还附有主题词索引和后记。
　　《晶体生长科学与技术（上册 第2版）》可供大专院校有关专业师生和从事晶体生长研究、晶体开发、应用的科技人员参考。

内页插图

目录

上册
《凝聚态袖理学丛书》出版说明
第二版序
第一版序
第一章 晶体生长热力学
§1．1 相平衡及相变
1．1．1 热平衡
1．1．2 力学平衡
1．1．3 传质平衡
1．1．4 相律
1．1．5 相变
§1．2 相图
1．2．1 单元系相图
1．2．2 二元系相图
1．2．3 三元系相图
1．2．4 参阅或绘制相图时的注意事项
1．1．3 相图在晶体生长中的应用
1．3．1 生长配料
1．3．2 生长方式的选择
1．3．3 晶体完整性与生长速率
1．3．4 生长后的热处理工艺
1．3．5 相图在晶体生长中的一个应用实例
参考文献
第二章 晶体生长动力学
§2．1 晶体生长形态
2．1．1 晶体生长形态与生长速率问的联系
2．1．2 晶体生长的理想形态
2．1．3 晶体生长的实际形态
2．1．4 晶体几何形态与其内部结构间的联系
2．1．5 环境相对晶体形态影响
§2．2 晶体生长的输运过程
2．2．1 输运的类型
2．2．2 边界层理论
§2．3 晶体生长界面的稳定性
2．3．1 研究界面稳定性应遵循的几个原则
2．3．2 生长界面稳定性的判据
2．3．3 界面稳定性动力学理论
§2．4 晶体生长界面结构理论模型
2．4．1 完整光滑面理论模型
2．4．2 非完整光滑面理论模型
2．4．3 粗糙界面理论模型
2．4．4 扩散界面理论模型
§2．5 晶体生长界面动力学
2．5．1 完整光滑面的生长
2．5．2 非完整光滑面的生长
2．5．3 粗糙界面的生长
2．5．4 扩散界面的生长
2．5．5 BOF体扩散理论和GGC体-表面耦合扩散理论
2．5．6 高聚物晶体生长
§2．6 晶体生长动力学研究实验方法
2．6．1 等组分方法
2．6．2 原位实时观祭法
2．6．3 显微照相法
2．6．4 光散射法
2．6．5 计算机模拟法
§2．7 空间晶体生长的微重力效应
2．7．1 微重力概念
……
参考文献
第三章 溶液法生长晶体
§3．1 溶液的概念
……
§3．2 溶液中晶体生长的平衡
§3．3 从溶液中生长晶体的方法
§3．4 溶液中培养单晶生长条件的控制和单晶的完整性
§3．5 凝胶法晶体生长
参考文献
第四章 水热法生长晶体
第五章 高温溶液法生长晶体
第六章 从熔体中生长晶体
第七章 半导体晶体生长
主题词索引
后记

下册
第八章 分子束外延及相关的单晶薄膜生长技术
第九章 人工宝石
第十章 合成云母
第十一章 人造金刚石
第十二章 有机晶体
第十三章 新型非线性光学晶体
第十四章 晶体的品质鉴定

前言/序言

　　我们正处在一个伟大历程的起点，要在本世纪内，实现我国农业、工业、国防和科学技术的现代化，把我们的国家建设成为社会主义的现代化强国，这是我们人民所肩负的伟大而光荣的历史使命。
　　我们认为，一个国家要解决工业发展问题，必须同时解决两个重大的课题：一个是能源问题；另一个是材料问题。能源问题是显而易见的，世界上正在大力研究从传统能源寻求新能源。而材料问题包括两方面。一方面是提供工农业建设所必需的一般传统材料，这部分材料的重要性是大家都知道的，包括钢铁、特种合金及合成材料等等，所有的机械、造船、桥梁、铁道、钻探等工业都需要它们；另一方面是研制特种材料，这些材料在数量方面虽则比较起来并不很大，但在各种现代化的技术中，如自动化技术、激光技术、计算机技术以及遥感及空间技术等方面都有特殊应用的范围。可以说，这些材料质量的好坏决定着技术水平的高低，而且只有在材料方面有所突破，才能希望技术本身有所突破。
　　我们认为材料问题的核心是晶体学问题。晶体学通过对固态物质的内部结构及缺陷的系统研究，可以了解到各种物质的组成规律以及这些结构和缺陷与各种物理性质的关系；它还通过研究在各种物理条件下晶体生长的规律，从而有可能生长出满足人们要所求的各种性能的单晶体。
　　晶体生长是指要生长出配比成分准确而又很少杂质及缺陷或甚至无杂质和无缺陷的单晶体，近年来，对于固态的理解在很大程度上是以单晶为基础的。由于单晶的研究，发现了许多金属的新性质。例如在单晶状态下，铁、钛和铬实际上都是软金属，而晶须的力学强度要比同一物质在多晶情况下的大一千倍。物理学家需要完整的单晶来研究辐射损伤、超导性、核磁共振、电子顺磁共振等，而化学家则往往需要完整的单品来研究晶体结构，固体的各向异性也只能靠单晶来测定。
　　以工业而论，对于单晶的需要恐怕再也没有比半导体更为迫切了。所以人们可以毫不夸张地说，半导体技术的发展实际上取决于晶体生长工作的发展。它一方面朝着难度较大的材料方面发展。而从锗到硅的过渡，使半导体器件在性能方面发生了一次革命，这一过渡是由于晶体生长工作者掌握了如何处理反应性较强而熔点较高的硅而完成的，半导体发展的另一方面是生长大面积的高完整性单晶。我们知道，电子计算机的最主要部件是大规模集成电路，而大规模集成电路的基本部件是大面积、高完整性的硅单晶。毫无疑问，提高计算机的科学技术水平，关键问题还是在晶体生长方面，今后大面积集成电路在密度及失效率方面的改进，相当的一部分将取决于所用晶体的质量。
　　关于磁性材料的情况也是如此。目前正在发展的一种电子计算机存储系统是石榴石磁泡系统。必须着重指出，晶体生长工作对这一特殊磁性材料起着无比重要的作用，因为首先要生长出符合理想配比成分而缺陷密度很低的稀土镓石榴石单晶，然后在此衬底材料上用液相取向附生（LPE）或化学气相淀积（CVD）的方法附生缺陷密度很低而无硬磁泡形成的稀土铁石榴石薄膜，这是先进的电子计算机存储系统的关键问题。
　　其它在激光材料、电光材料、铁电材料等方面的情况也是如此。

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