1.7.1 扩散方程的建立
评分2.2.3 正向PN结电流一电压方程式
评分1.1.3 半导体的晶体结构
评分本书较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括:半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO(2)/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录,附录A是《半导体物理与器件》的主要符号表,附录B是常用物理常数表,附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表,附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对《半导体物理与器件》各章内容可以单独选择或任意组合使用。
评分2.1 平衡PN结的机理与特性
评分1.4.3 杂质半导体的载流子浓度
评分1.5.2 非平衡载流子的寿命
评分2.3 反向PN结的机理与特性
评分1.7.2 根据相应的边界条件确定△p(x)的特解
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