1.7.1 擴散方程的建立
評分2.2.3 正嚮PN結電流一電壓方程式
評分2.2.6 正嚮PN結空間電荷區復閤電流
評分1.7.1 擴散方程的建立
評分外麵包裹瞭層膜,膜不平整,把書角都摺瞭,整個書都歪的
評分1.7.4 擴散長度的物理意義
評分本書較係統全麵地闡述瞭半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。具體內容包括:半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件製備技術、Ga在SiO(2)/Si結構下的開管摻雜共6章。每章後附有內容小結、思考題和習題。書後有附錄,附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號錶,附錄B是常用物理常數錶,附錄c是鍺、矽、砷化鎵主要物理性質錶,附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖錶和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組閤使用。
評分2.2 正嚮PN結機理與特性
評分1.3.3 本徵載流子濃度
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