具体描述
内容简介
《集成基准源电路设计：从二极管到高阶带隙基准源》分为5章。第1章描述了参考源的基本原理以及模拟电路的基础知识；第2章分析了参考电流源的设计，包括基本的CMOSPTAT电路和复杂的biCMOS电流源；第3章在前两章的基础上，讲解了电压参考源的设计，包含了从零阶到高阶补偿电路的实现；第4章分析了高精度基准源设计的考虑因素，包括工艺偏差、负载效应和工作环境等；第5章从工程和应用的角度讨论了修调、版图设计和封装等对电路性能的影响。《集成基准源电路设计：从二极管到高阶带隙基准源》内容全面，包含了从参考源设计的理论基础到工程实践的全部内容。分析深刻、实用性强，具有一定的指导意义。目录
绪 论chapter 1 基础知识
1．1 二极管
1．1．1 击穿区域
1．1．2 正向偏置区域
1．2 电流镜
1．2．1 简单电流镜
1．2．2 共源共栅电流镜
设计实例 1．1
1．2．3 调整型共源共栅电流镜
1．3 小 结
附录二 极管电压的温度特性
参考文献
chapter 2 电流基准源
2．1 PTAT电流基准源
2．1．1 双极工艺实现方式
2．1．2 CMOS实现方式
2．2 启动电路和频率补偿
2．2．1 连续导通启动电路
2．2．2 与电路状态有关的启动电路
2．2．3 频率补偿
2．3 CTAT电流基准源
2．4 与温度无关的电流基准源
2．5 PTAT2电流源产生电路
2．5．1 双极工艺实现方式
2．5．2 CMOS工艺实现方式
设计实例 2．1
2．6 小结
参考文献
chapter 3 电压基准源
3．1 零阶基准源
3．1．1 正向偏置二极管基准源
3．1．2 齐纳电压基准源
设计实例 3．1
3．2 一阶基准源
3．2．1 正向偏置二极管基准源
3．2．2 齐纳基准源
设计实例 3．2
3．3 二阶电压基准源(曲率校正)
3．4 曲率校正技术当前的发展情况
3．4．1 与温度相关电阻比例技术
3．4．2 二极管环路技术
3．4．3 β补偿技术
3．4．4 分段线性电流模技术
3．4．5 非线性匹配校正(Matched―Nonlinear Correction)
3．4．6 精确补偿方法
3．5 小 结
参考文献
chapter 4 高精度基准源电路的设计
4．1 误差来源
4．1．1 定性的影响
设计实例 4．1
4．2 输出级
4．2．1 电压模式输出级
4．2．2 电流模式输出级
4．2．3 混合模式输出级
4．2．4 稳压基准源和未稳压基准源
设计实例 4．2
4．3 电源电压抑制和线性调整性能的设计
4．3．1 共源共栅技术
4．3．2 伪电源电压技术
设计实例 4．3
4．4 小结
附录1 典型一阶带隙基准源的误差来源
附录2 电阻温度系数对电流模式输出级基准源的影响
参考文献
chapter 5 系统和应用环境分析
5．1 修调网络的设计
5．1．1 修调范围
5．1．2 修调技术
设计实例 5．1
5．2 封装应力的影响
5．3 系统相关的问题
5．3．1 电路设计考虑
5．3．2 版图设计考虑
设计实例 5．2
5．4 特征描述
5．5 小结
附录1 带有混合模式(同时具有电压和电流模式)输出级的带隙基准源的修调流程
附录2 封装应力对带隙基准源电路的影响
附录3 基准源电路对输人阶跃信号的有限冲激响应所需时间的讨论
参考文献
前言/序言
用户评价
本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化IC 代替了设计使用离散晶体管。
评分IC 对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
评分第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。
评分MSI 英文全名为 Medium Scale Integration, 逻辑门11~100个 或 晶体管 101~1k个。
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评分第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。
评分IC 对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
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