具体描述
内容简介
《集成基准源电路设计：从二极管到高阶带隙基准源》分为5章。第1章描述了参考源的基本原理以及模拟电路的基础知识；第2章分析了参考电流源的设计，包括基本的CMOSPTAT电路和复杂的biCMOS电流源；第3章在前两章的基础上，讲解了电压参考源的设计，包含了从零阶到高阶补偿电路的实现；第4章分析了高精度基准源设计的考虑因素，包括工艺偏差、负载效应和工作环境等；第5章从工程和应用的角度讨论了修调、版图设计和封装等对电路性能的影响。《集成基准源电路设计：从二极管到高阶带隙基准源》内容全面，包含了从参考源设计的理论基础到工程实践的全部内容。分析深刻、实用性强，具有一定的指导意义。目录
绪 论chapter 1 基础知识
1．1 二极管
1．1．1 击穿区域
1．1．2 正向偏置区域
1．2 电流镜
1．2．1 简单电流镜
1．2．2 共源共栅电流镜
设计实例 1．1
1．2．3 调整型共源共栅电流镜
1．3 小 结
附录二 极管电压的温度特性
参考文献
chapter 2 电流基准源
2．1 PTAT电流基准源
2．1．1 双极工艺实现方式
2．1．2 CMOS实现方式
2．2 启动电路和频率补偿
2．2．1 连续导通启动电路
2．2．2 与电路状态有关的启动电路
2．2．3 频率补偿
2．3 CTAT电流基准源
2．4 与温度无关的电流基准源
2．5 PTAT2电流源产生电路
2．5．1 双极工艺实现方式
2．5．2 CMOS工艺实现方式
设计实例 2．1
2．6 小结
参考文献
chapter 3 电压基准源
3．1 零阶基准源
3．1．1 正向偏置二极管基准源
3．1．2 齐纳电压基准源
设计实例 3．1
3．2 一阶基准源
3．2．1 正向偏置二极管基准源
3．2．2 齐纳基准源
设计实例 3．2
3．3 二阶电压基准源(曲率校正)
3．4 曲率校正技术当前的发展情况
3．4．1 与温度相关电阻比例技术
3．4．2 二极管环路技术
3．4．3 β补偿技术
3．4．4 分段线性电流模技术
3．4．5 非线性匹配校正(Matched―Nonlinear Correction)
3．4．6 精确补偿方法
3．5 小 结
参考文献
chapter 4 高精度基准源电路的设计
4．1 误差来源
4．1．1 定性的影响
设计实例 4．1
4．2 输出级
4．2．1 电压模式输出级
4．2．2 电流模式输出级
4．2．3 混合模式输出级
4．2．4 稳压基准源和未稳压基准源
设计实例 4．2
4．3 电源电压抑制和线性调整性能的设计
4．3．1 共源共栅技术
4．3．2 伪电源电压技术
设计实例 4．3
4．4 小结
附录1 典型一阶带隙基准源的误差来源
附录2 电阻温度系数对电流模式输出级基准源的影响
参考文献
chapter 5 系统和应用环境分析
5．1 修调网络的设计
5．1．1 修调范围
5．1．2 修调技术
设计实例 5．1
5．2 封装应力的影响
5．3 系统相关的问题
5．3．1 电路设计考虑
5．3．2 版图设计考虑
设计实例 5．2
5．4 特征描述
5．5 小结
附录1 带有混合模式(同时具有电压和电流模式)输出级的带隙基准源的修调流程
附录2 封装应力对带隙基准源电路的影响
附录3 基准源电路对输人阶跃信号的有限冲激响应所需时间的讨论
参考文献
前言/序言
用户评价
VLSI 英文全名为 Very large scale integration, 逻辑门1,001~10k个 或 晶体管 10,001~100k个。
评分经典教材~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
评分而根据处理信号的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路、和兼具模拟与数字的混合信号集成电路。最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心，可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。
评分本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化IC 代替了设计使用离散晶体管。
评分超大规模集成电路
评分这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage current）。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。
评分还可以，有些内容，可以看看
评分VLSI 英文全名为 Very large scale integration, 逻辑门1,001~10k个 或 晶体管 10,001~100k个。
评分MSI 英文全名为 Medium Scale Integration, 逻辑门11~100个 或 晶体管 101~1k个。
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