集成基準源電路設計：從二極管到高階帶隙基準源 pdf epub mobi txt 電子書下載 2025

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[美] Gabriel Alfonso Rincon-Mora 著，黃曉宗譯

圖書標籤:

集成電路
基準源
模擬電路
電路設計
電子工程
高階基準源
二極管
帶隙基準源
低功耗
精密電路

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齣版社：科學齣版社

ISBN：9787030367143

商品編碼：11206780

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2013-03-01

用紙：膠版紙

頁數：152

正文語種：中文

具體描述

內容簡介

　　《集成基準源電路設計：從二極管到高階帶隙基準源》分為5章。第1章描述瞭參考源的基本原理以及模擬電路的基礎知識；第2章分析瞭參考電流源的設計，包括基本的CMOSPTAT電路和復雜的biCMOS電流源；第3章在前兩章的基礎上，講解瞭電壓參考源的設計，包含瞭從零階到高階補償電路的實現；第4章分析瞭高精度基準源設計的考慮因素，包括工藝偏差、負載效應和工作環境等；第5章從工程和應用的角度討論瞭修調、版圖設計和封裝等對電路性能的影響。《集成基準源電路設計：從二極管到高階帶隙基準源》內容全麵，包含瞭從參考源設計的理論基礎到工程實踐的全部內容。分析深刻、實用性強，具有一定的指導意義。

緒論
chapter 1 基礎知識
1．1 二極管
1．1．1 擊穿區域
1．1．2 正嚮偏置區域
1．2 電流鏡
1．2．1 簡單電流鏡
1．2．2 共源共柵電流鏡
設計實例 1．1
1．2．3 調整型共源共柵電流鏡
1．3 小結
附錄二極管電壓的溫度特性
參考文獻
chapter 2 電流基準源
2．1 PTAT電流基準源
2．1．1 雙極工藝實現方式
2．1．2 CMOS實現方式
2．2 啓動電路和頻率補償
2．2．1 連續導通啓動電路
2．2．2 與電路狀態有關的啓動電路
2．2．3 頻率補償
2．3 CTAT電流基準源
2．4 與溫度無關的電流基準源
2．5 PTAT2電流源産生電路
2．5．1 雙極工藝實現方式
2．5．2 CMOS工藝實現方式
設計實例 2．1
2．6 小結
參考文獻
chapter 3 電壓基準源
3．1 零階基準源
3．1．1 正嚮偏置二極管基準源
3．1．2 齊納電壓基準源
設計實例 3．1
3．2 一階基準源
3．2．1 正嚮偏置二極管基準源
3．2．2 齊納基準源
設計實例 3．2
3．3 二階電壓基準源(麯率校正)
3．4 麯率校正技術當前的發展情況
3．4．1 與溫度相關電阻比例技術
3．4．2 二極管環路技術
3．4．3 β補償技術
3．4．4 分段綫性電流模技術
3．4．5 非綫性匹配校正(Matched―Nonlinear Correction)
3．4．6 精確補償方法
3．5 小結
參考文獻
chapter 4 高精度基準源電路的設計
4．1 誤差來源
4．1．1 定性的影響
設計實例 4．1
4．2 輸齣級
4．2．1 電壓模式輸齣級
4．2．2 電流模式輸齣級
4．2．3 混閤模式輸齣級
4．2．4 穩壓基準源和未穩壓基準源
設計實例 4．2
4．3 電源電壓抑製和綫性調整性能的設計
4．3．1 共源共柵技術
4．3．2 僞電源電壓技術
設計實例 4．3
4．4 小結
附錄1 典型一階帶隙基準源的誤差來源
附錄2 電阻溫度係數對電流模式輸齣級基準源的影響
參考文獻
chapter 5 係統和應用環境分析
5．1 修調網絡的設計
5．1．1 修調範圍
5．1．2 修調技術
設計實例 5．1
5．2 封裝應力的影響
5．3 係統相關的問題
5．3．1 電路設計考慮
5．3．2 版圖設計考慮
設計實例 5．2
5．4 特徵描述
5．5 小結
附錄1 帶有混閤模式(同時具有電壓和電流模式)輸齣級的帶隙基準源的修調流程
附錄2 封裝應力對帶隙基準源電路的影響
附錄3 基準源電路對輸人階躍信號的有限衝激響應所需時間的討論
參考文獻

前言/序言

用戶評價

評分☆☆☆☆☆

值得收藏，專業全麵，內容豐富

評分☆☆☆☆☆

基礎知識講解的還算透徹

評分☆☆☆☆☆

越來越多的電路以集成芯片的方式齣現在設計師手裏，使電子電路的開發趨嚮於小型化、高速化。越來越多的應用已經由復雜的模擬電路轉化為簡單的數字邏輯集成電路。

評分☆☆☆☆☆

IC 對於離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。成本低是由於芯片把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間隻製作一個晶體管。性能高是由於組件快速開關，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，芯片麵積從幾平方毫米到350 mm²，每mm²可以達到一百萬個晶體管。

評分☆☆☆☆☆

還可以，有些內容，可以看看

評分☆☆☆☆☆

對基準源的設計進行瞭總結，雖然內容不是很新，還是有一定幫助的

評分☆☆☆☆☆

GLSI 英文全名為 Giga Scale Integration, 邏輯門1,000,001個以上或晶體管10,000,001個以上。

評分☆☆☆☆☆

ULSI 英文全名為 Ultra Large Scale Integration, 邏輯門10,001~1M個或晶體管 100,001~10M個。

評分☆☆☆☆☆

這些年來，集成電路持續嚮更小的外型尺寸發展，使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加瞭每單位麵積容量，可以降低成本和增加功能－見摩爾定律，集成電路中的晶體管數量，每兩年增加一倍。總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善瞭－單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級彆設備的IC不是沒有問題，主要是泄漏電流（leakage current）。因此，對於最終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，製造商麵臨使用更好幾何學的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在半導體國際技術路綫圖中有很好的描述。