具体描述
内容简介
原德文版畅销书Halbleiter-Schaltungstechnik（《半导体电路技术》）是为学生、工程原德文版畅销书?Halbleiter???Schaltungstechnik?（《半导体电路技术》）是为学生、工程师和科学工作者而写作的，内容包含了电子电路设计的所有主要方面，其宗旨是帮助读者通晓实际应用的电路，并进而有能力自己设计电路。该书德文版自1969年以来已发行了14版，其中第12版已译为英文，以Electronic Circuits Handbook for Design and Appli
cations?为书名出版，为德文版完整英译第2版。本中文译本译自该英译本。为适应不同读者的需求，中文译本分为3卷出版。其中，卷I为器件模型和基本电路，卷II为应用电路，卷III为通信电路。
目录
卷I 器件模型和基本电路目录
第1章 二极管
1.1 二极管特性
1.1.1 特性曲线
1.1.2 方程描述
1.1.3 开关特性
1.1.4 小信号响应
1.1.5 极限值和反向电流
1.1.6 热性能
1.1.7 二极管参数的温度敏感性
1.2 二极管结构
1.2.1 分立二极管
1.2.2 集成二极管
1.3 二极管模型
1.3.1 静态特性
1.3.2 动态特性
1.3.3 小信号模型
1.4 特殊二极管及其应用
1.4.1 齐纳二极管
1.4.2 pin二极管
1.4.3 变容二极管
1.4.4 桥式整流器
1.4.5 混频器
第2章 双极型晶体管
2.1 双极型晶体管的特性
2.1.1 特性曲线
2.1.2 用公式法描述
2.1.3 电流增益特性
2.1.4 工作点和小信号响应
2.1.5 极限参数和反向电流
2.1.6 热性能
2.1.7 晶体管参数的温度敏感性
2.2 双极型晶体管的设计
2.2.1 分立晶体管
2.2.2 集成晶体管
2.3 双极型晶体管的模型
2.3.1 静态特性
2.3.2 动态特性
2.3.3 小信号模型
2.3.4 噪声
2.4 基本电路
2.4.1 共发射极电路
2.4.2 共集电极电路
2.4.3 共基极电路
2.4.4 达林顿电路
第3章 场效应晶体管
3.1 场效应管特性
3.1.1 特性曲线
3.1.2 用方程描述
3.1.3 场效应管作为可调电阻
3.1.4 工作点和小信号特性
3.1.5 最大额定值和漏电流
3.1.6 热性能
3.1.7 FET参数的温度敏感性
3.2 场效应管结构
3.2.1 集成MOSFET
3.2.2 分立MOSFET
3.2.3 结型FET
3.2.4 封装
3.3 场效应管模型
3.3.1 静态特性
3.3.2 动态特性
3.3.3 小信号模型
3.3.4 噪声
3.4 基本电路
3.4.1 共源极电路
3.4.2 共漏极电路
3.4.3 共栅极电路
第4章 放大器
4.1 电路
4.1.1 电流源和镜像电流源
4.1.2 cascode电路
4.1.3 差分放大器
4.1.4 阻抗变换器
4.1.5 工作点设置电路
4.2 性能和参数
4.2.1 特性曲线
4.2.2 小信号特性
4.2.3 非线性参数
4.2.4 噪声
第5章 运算放大器
5.1 概述
5.1.1 运算放大器的类型
5.1.2 负反馈原理
5.2 标准运算放大器（VV OPA）
5.2.1 原理
5.2.2 多用途放大器
5.2.3 工作电压
5.2.4 单电源放大器
5.2.5 轨到轨放大器
5.2.6 宽带运算放大器
5.2.7 频率矫正
5.2.8 运算放大器的参数
5.3 互导放大器（VC OPA）
5.3.1 内部结构
5.3.2 典型应用
5.4 互阻放大器（CV OPA）
5.4.1 内部设计
5.4.2 频率响应
5.4.3 典型应用
5.5 电流放大器（CC OPA）
5.5.1 内部设计
5.5.2 典型应用
5.6 比较
5.6.1 实际安装使用
5.6.2 不同类型的运算放大器
本书的主要符号
参考文献
……
用户评价
这本书在“器件模型”方面的讲解，我只能用“震撼”来形容。我之前以为自己对半导体器件已经有了比较好的理解，但看了这本书之后，才发现自己只是“知其然”，而“不知其所以然”。 作者在讲解PN结时，深入到能带理论，详细解释了本征半导体、杂质半导体、PN结的形成机理、以及载流子在电场作用下的漂移和扩散。这些基础的物理概念，对于理解更复杂的器件模型至关重要。 我特别喜欢书中对“少数载流子注入”和“少数载流子扩散”的详细分析，以及它们如何影响PN结的电流。这些过程对于理解BJT的放大作用至关重要。 在BJT模型部分，作者不仅介绍了Ebers-Moll模型，还详细讲解了Gummel-Poon模型，以及如何考虑基区电阻、集电区电阻、发射区电阻、以及结电容对BJT性能的影响。这些参数的引入，使得BJT模型更加贴近实际。 对于MOSFET，本书的讲解更是细致入微。从MOS电容的物理结构，到表面势的形成，再到沟道电荷的累积，以及不同工作区（截止区、线性区、饱和区）的电流表达式推导，每一步都清晰明了。而且，作者还详细讨论了短沟道效应、热电子效应等在现代工艺中的重要影响，这对于理解高性能CMOS电路非常有帮助。 书中对寄生参数的讲解也非常到位。比如，在介绍BJT模型时，就包含了发射区电阻、基区电阻、集电区电阻、结电容等参数，并解释了它们对电路性能的影响。在MOSFET部分，也详细讲解了沟道电阻、栅极电容、漏区/源区电阻等。 我注意到，作者在介绍各种器件模型时，都非常强调模型的适用范围和局限性。他会明确指出，在什么条件下，某个简化模型是足够精确的，而在什么条件下，则需要使用更复杂的模型。这种严谨的态度，对于培养学生建立科学的工程分析方法非常有价值。 即使是看似简单的电阻、电容、电感等无源器件，书中也对其物理特性、材料选择、以及在不同频率下的行为进行了探讨。这为理解更复杂的电路性能提供了坚实的基础。 而且，书中还引入了SPICE模型的一些概念，虽然没有深入讲解SPICE的语法，但通过介绍一些关键参数的物理意义，让读者能够理解实际电路仿真软件是如何工作的，以及这些模型在仿真中的作用。 我觉得这本书最大的价值在于，它能够让你真正“理解”电子器件，而不是仅仅“记住”它们的模型。这种深入的理解，是进行复杂电路设计和故障排除的基础。 我非常期待书中后面关于基本电路部分的讲解，相信有了如此扎实器件模型的基础，对后面电路的分析会更加得心应手。
评分这本书在“器件模型”部分的深度和广度都让我印象深刻。我之前接触过不少电子学教材，但很少有能像这本书这样，将半导体器件的工作原理剖析得如此透彻。 作者从最基本的能带理论入手，详细解释了PN结的形成、载流子的注入与扩散，以及由此产生的伏安特性。这些基础的物理概念，为理解后续的器件模型打下了坚实的基础。 在BJT模型方面，书中不仅介绍了经典的Ebers-Moll模型，还深入探讨了Gummel-Poon模型，并详细分析了基区电阻、集电区电阻、发射区电阻以及各种结电容对BJT性能的影响。这些参数的引入，使得BJT模型更加贴近实际，能够更准确地预测其行为。 对于MOSFET，本书的讲解同样细致入微。从MOS电容的形成，到不同工作区（截止区、线性区、饱和区）的电流表达式推导，作者都进行了清晰的阐述。特别让我惊喜的是，书中还详细讨论了短沟道效应、热电子效应等在现代CMOS工艺中的重要影响，这些对于理解高性能集成电路设计至关重要。 书中对寄生参数的讲解也非常全面，无论是BJT的各种电阻和电容，还是MOSFET的沟道电阻、栅极电容、漏区/源区电阻，都进行了详细的说明，并解释了它们对电路性能的影响。 我特别赞赏作者强调模型的适用范围和局限性。他会明确指出，在什么条件下，某个简化模型就足够精确，而在什么情况下，则需要使用更复杂的模型。这种严谨的态度，有助于培养学生科学的工程分析方法。 即使是无源器件，书中也对其物理特性、材料选择以及在不同频率下的行为进行了探讨，为理解复杂的电路性能打下了坚实的基础。 而且，书中还引入了SPICE模型的一些概念，通过介绍关键参数的物理意义，让读者能够理解实际电路仿真软件的工作原理。 这本书最大的价值在于，它让你真正“理解”电子器件，而不是仅仅“记住”它们的模型。这种深入的理解，是进行复杂电路设计和故障排除的基础。 我非常期待书中后面关于基本电路部分的讲解，相信有了如此扎实的器件模型基础，对后面电路的分析会更加得心应手。
评分拿到这本书，第一感觉是厚重，打开一看，果然内容非常充实，尤其是在“基本电路”这部分，作者的讲解方式非常有启发性。本书没有采用那种“罗列公式”的死板方式，而是通过大量的实例，将抽象的电路原理具象化。以电压跟随器为例，它不仅仅是简单地给出一个“增益为1”的结论，而是通过分析输入输出阻抗、带宽限制等实际工程中更为关注的参数，来阐述电压跟随器的作用和局限性。 我特别喜欢作者在分析不同电路结构时，会引入“为什么”的概念。比如，在讲解差分放大器时，作者不仅会介绍其基本结构和增益计算，还会深入分析其共模抑制比（CMRR）的原理，以及如何通过改变器件参数来提高CMRR。这种“追根溯源”的讲解方式，让我能够真正理解电路设计的“道”，而不是仅仅记住“术”。 书中对各种反馈结构（正反馈和负反馈）的讲解也让我受益匪浅。作者不仅仅是介绍了反馈的定义，而是通过具体的电路示例，如负反馈在放大器中的应用，详细分析了它如何降低失真、改善频率响应，同时也指出了可能存在的稳定性问题。 我个人尤其关注书中关于有源滤波器的部分。很多教材对此只是浅尝辄止，而这本书则用了相当大的篇幅，详细介绍了巴特沃斯（Butterworth）、切比雪夫（Chebyshev）等不同类型滤波器的设计原理和实现方式，并给出了具体的元器件选择和计算方法。 而且，作者在讲解这些电路时，非常注重理论与实践的结合。他会在讲解完一个电路的基本原理后，立刻给出实际电路设计中的注意事项，比如元器件的容差、温度漂移、噪声等因素对电路性能的影响，这些都是在实际工作中非常宝贵的经验。 这本书不仅仅是“教你如何搭建电路”，更是“教你如何思考电路”。它培养的是一种“工程思维”，一种能够分析问题、解决问题的能力。 对于一些经典的模拟电路，如振荡器、比较器等，书中也进行了深入的剖析。作者在讲解振荡器时，并没有局限于单一的RC或LC振荡器，而是对不同类型的振荡器（如哈特莱、科尔皮兹、维恩桥等）的原理、起振条件、频率稳定性等都进行了细致的讨论。 我个人非常期待书中关于多级放大器设计的章节。多级放大器往往是许多复杂模拟系统（如射频前端、传感器接口等）的核心，理解其级联效应、阻抗匹配、带宽扩展等问题，对于完成实际项目至关重要。 另外，书中对偏置电路的讲解也让我耳目一新。它不仅仅是简单地给出几种偏置电路的结构图，而是深入分析了各种偏置电路的稳定性、电流源的精度等问题，并为如何选择合适的偏置电路提供了指导。 整体来说，这本书在“基本电路”这部分的讲解，既有深度又不失广度，而且始终贯穿着工程实践的导向，是我认为非常值得推荐的电子电路设计教材。
评分刚翻阅了这本书的“器件模型”部分，我的感受是，作者简直是在“掰开揉碎”了讲。我之前看过一些电子学教材，很多在讲二极管时，直接就抛出PN结的伏安特性曲线，然后就讲各种简化模型，根本不解释为什么会有这样的特性。而这本书，则从半导体的基本能带理论讲起，一步步分析PN结的形成，载流子的注入和扩散，这些基础的概念理解透了，后面的模型推导自然就水到渠成了。 我尤其欣赏作者在讲解BJT模型时，对载流子在基区复合、发射区注入等过程的详细描述。他不仅给出了理想的Ebers-Moll模型，还详细讲解了Gummel-Poon模型的引入，以及它如何更好地描述BJT在高电流密度下的行为。这些细节的讲解，对于真正理解BJT的内在工作机制至关重要。 对于MOSFET，本书的讲解更是细致入微。从MOS电容的物理结构，到表面势的形成，再到沟道电荷的累积，以及不同工作区（截止区、线性区、饱和区）的电流表达式推导，每一步都清晰明了。而且，作者还详细讨论了短沟道效应、热电子效应等在现代工艺中的重要影响，这对于理解高性能CMOS电路非常有帮助。 书中对寄生参数的讲解也非常到位。比如，在介绍BJT模型时，就包含了发射区电阻、基区电阻、集电区电阻、结电容等参数，并解释了它们对电路性能的影响。在MOSFET部分，也详细讲解了沟道电阻、栅极电容、漏区/源区电阻等。 我注意到，作者在介绍各种器件模型时，都非常强调模型的适用范围和局限性。他会明确指出，在什么条件下，某个简化模型是足够精确的，而在什么条件下，则需要使用更复杂的模型。这种严谨的态度，对于培养学生建立科学的工程分析方法非常有价值。 即使是看似简单的电阻、电容、电感等无源器件，书中也对其物理特性、材料选择、以及在不同频率下的行为进行了探讨。这为理解更复杂的电路性能提供了坚实的基础。 而且，书中还引入了SPICE模型的一些概念，虽然没有深入讲解SPICE的语法，但通过介绍一些关键参数的物理意义，让读者能够理解实际电路仿真软件是如何工作的，以及这些模型在仿真中的作用。 我觉得这本书最大的价值在于，它能够让你真正“理解”电子器件，而不是仅仅“记住”它们的模型。这种深入的理解，是进行复杂电路设计和故障排除的基础。 我非常期待书中后面关于基本电路部分的讲解，相信有了如此扎实器件模型的基础，对后面电路的分析会更加得心应手。
评分这本书在“基本电路”部分的讲解，给了我耳目一新的感觉。它不像其他教材那样，上来就堆砌公式，而是从更宏观的角度，比如“信号处理”和“能量传输”，来阐述电路的功能和设计理念。 在介绍放大器时，作者并没有直接给出BJT或MOSFET的放大电路，而是先讨论了“信号放大”的必要性，以及如何通过“能量转换”来实现信号的增强。这种宏观的视角，让我能更深刻地理解放大器在整个电子系统中的定位和作用。 书中对“输入阻抗”和“输出阻抗”的讲解也非常深入。作者不仅解释了它们的定义和计算方法，还通过大量的实例，展示了如何通过调整电路结构来优化阻抗匹配，以及这对信号传输效率和系统性能的影响。 我特别欣赏书中对“带宽”和“频率响应”的分析。作者详细阐述了器件的寄生参数（如结电容、栅极电容）是如何限制电路的带宽的，并且介绍了几种常用的频率补偿技术，如极点、零点配置等。这些内容对于设计高速电路至关重要。 关于“稳定性”，书中也进行了非常详尽的讲解。作者引入了奈奎斯特判据和伯德图，并细致地分析了如何通过这些工具来判断电路的稳定性。他还列举了一些在实际电路设计中容易出现的稳定性问题，以及相应的解决方法。 此外，书中还花了很大篇幅来讨论“非线性失真”的产生机理，以及如何通过选择合适的器件、采用线性化技术或引入负反馈来减小失真。这对于追求高保真度的模拟电路设计尤为重要。 我注意到，书中还专门辟出了章节来讨论“电源抑制比”（PSRR）和“噪声分析”。这些都是实际电路设计中不可忽视的挑战，而作者的讲解不仅清晰，而且提供了许多实用的设计建议。 而且，本书在讲解每一个电路时，都会穿插一些“设计心得”和“工程实例”，这些经验之谈往往是课堂上学不到的，对于帮助初学者快速成长非常有价值。 我感觉这本书不仅仅是在教授知识，更是在培养一种“工程师的思维方式”，一种能够从更高层面理解问题，并能将其转化为具体设计方案的能力。 我对后面关于“滤波器”、“振荡器”等章节充满了期待，相信这本书的讲解一定能给我带来新的思考和启发。
评分这本书的“基本电路”部分，给我的感觉是“既熟悉又陌生”。熟悉，是因为里面讲的都是我学过的基本电路概念；陌生，是因为作者的讲解角度非常新颖，让我看到了很多以前从未注意到的细节。 以放大器为例，这本书没有一开始就讲BJT或MOSFET的放大电路，而是先从“信号传输”和“功率传输”这两个更宏观的角度来阐述放大器的作用。然后，才逐步引入不同器件的特性，来解释如何实现放大。 我特别欣赏书中对“输入阻抗”和“输出阻抗”的深入分析。这些参数在实际电路设计中至关重要，但很多教材只是简单带过。这本书则通过大量的例子，展示了如何计算和设计合适的输入输出阻抗，以及它们对电路性能的影响。 书中关于“频率响应”的讲解也让我印象深刻。它不仅讲解了RC网络的截止频率，还深入分析了器件的寄生电容和电感是如何影响放大器的带宽的。作者还介绍了几种改善频率响应的技术，比如多级放大器的频率补偿。 对于“稳定性”这个复杂的概念，书中也给出了非常直观的讲解。它引入了奈奎斯特图和伯德图，并详细解释了如何通过分析这些图来判断电路的稳定性。我还注意到，书中还讨论了一些实际电路中可能出现的振荡问题，并给出了相应的解决方法。 本书对“非线性失真”的讲解也相当到位。它不仅仅是给出了谐波失真的定义，而是通过分析器件的非线性特性，解释了为什么会出现失真，以及如何通过线性化技术和反馈来减小失真。 我个人尤其关注书中关于“电源抑制比”（PSRR）的章节。很多时候，电源噪声是模拟电路性能下降的重要原因，而这本书则系统地讲解了PSRR的原理，以及如何设计高PSRR的电路。 而且，书中还引入了一些“信号完整性”的概念，比如传输线的效应、串扰、反射等，这对于设计高速数字电路和射频电路非常重要。 这本书的另一个亮点是，它在讲解每一个基本电路时，都会穿插一些“设计技巧”和“工程经验”，这些都是课堂上很难学到的宝贵知识。 我感觉这本书不仅仅是一本教材，更像是一位经验丰富的工程师在手把手地教你如何设计电路。它让你不仅仅学会“怎么做”，更能理解“为什么这么做”。 我对后面关于“滤波器”、“振荡器”等章节充满了期待，相信这本书的讲解一定会给我带来新的启发。
评分拿到这本书，我最先被吸引的是它对“器件模型”的讲解方式。它不是简单地给出一堆公式，而是从最基本的物理原理出发，逐步构建起器件的模型。 例如，在介绍PN结时，作者详细解释了能带理论、载流子的漂移和扩散等概念，并通过这些来推导出PN结的伏安特性。这种循序渐进的讲解方式，让我这个之前对物理概念有些模糊的人，也能逐步理解二极管的工作原理。 我对书中对BJT的建模讲解尤为满意。作者不仅介绍了Ebers-Moll模型，还详细阐述了Gummel-Poon模型的优势，以及如何考虑基区电阻、集电区电阻、发射区电阻以及各种结电容的影响。这些详细的参数，让我能够更准确地预测BJT在不同工作条件下的行为。 对于MOSFET，本书的讲解同样深入。作者从MOS电容的形成讲起，逐步分析了不同工作区（截止区、线性区、饱和区）的电流表达式。特别让我惊喜的是，作者还详细讨论了短沟道效应、热电子效应等对现代CMOS工艺的影响，这对于理解高性能集成电路设计至关重要。 书中对寄生参数的讲解也非常全面。无论是BJT的各种电阻和电容，还是MOSFET的沟道电阻、栅极电容、漏区/源区电阻，都进行了详细的说明，并解释了它们对电路性能的影响。 我特别赞赏作者强调模型的适用范围和局限性。他会明确指出，在什么条件下，某个简化模型就足够精确，而在什么情况下，则需要使用更复杂的模型。这种严谨的态度，有助于培养学生科学的工程分析方法。 即使是无源器件，书中也对其物理特性、材料选择以及在不同频率下的行为进行了探讨，为理解复杂的电路性能打下了坚实的基础。 而且，书中还引入了SPICE模型的一些概念，通过介绍关键参数的物理意义，让读者能够理解实际电路仿真软件的工作原理。 这本书最大的价值在于，它让你真正“理解”电子器件，而不是仅仅“记住”它们的模型。这种深入的理解，是进行复杂电路设计和故障排除的基础。 我非常期待书中后面关于基本电路部分的讲解，相信有了如此扎实的器件模型基础，对后面电路的分析会更加得心应手。
评分我刚开始阅读这本书的“基本电路”部分，就已经被其独到的讲解方式深深吸引。与我之前读过的许多教材不同，这本书并没有急于罗列公式和电路图，而是从更基础的“信号”和“能量”的视角出发，来阐述电路的功能和原理。 例如，在介绍放大器时，作者并没有直接给出BJT或MOSFET的放大电路，而是先讨论了“信号放大”的必要性，以及如何通过“能量转换”来实现信号的增强。这种宏观的视角，让我能更深刻地理解放大器在整个电子系统中的定位和作用。 书中对“输入阻抗”和“输出阻抗”的讲解也非常深入。作者不仅解释了它们的定义和计算方法，还通过大量的实例，展示了如何通过调整电路结构来优化阻抗匹配，以及这对信号传输效率和系统性能的影响。 我特别欣赏书中对“带宽”和“频率响应”的分析。作者详细阐述了器件的寄生参数（如结电容、栅极电容）是如何限制电路的带宽的，并且介绍了几种常用的频率补偿技术，如极点、零点配置等。这些内容对于设计高速电路至关重要。 关于“稳定性”，书中也进行了非常详尽的讲解。作者引入了奈奎斯特判据和伯德图，并细致地分析了如何通过这些工具来判断电路的稳定性。他还列举了一些在实际电路设计中容易出现的稳定性问题，以及相应的解决方法。 此外，书中还花了很大篇幅来讨论“非线性失真”的产生机理，以及如何通过选择合适的器件、采用线性化技术或引入负反馈来减小失真。这对于追求高保真度的模拟电路设计尤为重要。 我注意到，书中还专门辟出了章节来讨论“电源抑制比”（PSRR）和“噪声分析”。这些都是实际电路设计中不可忽视的挑战，而作者的讲解不仅清晰，而且提供了许多实用的设计建议。 而且，本书在讲解每一个电路时，都会穿插一些“设计心得”和“工程实例”，这些经验之谈往往是课堂上学不到的，对于帮助初学者快速成长非常有价值。 我感觉这本书不仅仅是在教授知识，更是在培养一种“工程师的思维方式”，一种能够从更高层面理解问题，并能将其转化为具体设计方案的能力。 我对后面关于“滤波器”、“振荡器”等章节充满了期待，相信这本书的讲解一定能给我带来新的思考和启发。
评分终于拿到这本书了，虽然还未深入研读，但仅凭前几章的粗略翻阅，我就能感受到作者在“器件模型”这个基础中的基础上下了多少苦功。不同于很多教材一上来就抛出复杂公式，这本书循序渐进，从最简单的二极管模型入手，详细剖析了PN结的形成、载流子行为，再到各种简化模型（如理想二极管模型、恒压降模型、指数模型）的推导和适用范围，每一步都解释得非常清晰透彻。我尤其欣赏作者在介绍不同模型时，不仅给出了数学表达式，还结合了大量的物理图示和直观的类比，比如在解释二极管的电容效应时，用了类似“水库蓄水”的比喻，让我这个非物理专业背景的读者也能迅速理解电荷存储的本质。 而且，作者并没有止步于理论，他非常强调这些模型在实际电路设计中的应用。书中通过分析几个经典的二极管应用电路，例如整流电路、稳压电路，详细演示了如何运用这些模型去预测和分析电路的行为。我注意到，在讨论整流电路时，作者对比了使用不同模型（理想模型 vs. 恒压降模型）分析结果的差异，并解释了在什么情况下可以忽略某些参数，什么情况下则必须考虑，这种深入的对比分析对于初学者建立工程思维非常有价值。 还有一点让我印象深刻的是，本书在介绍MOSFET模型时，也遵循了同样的细致入微的逻辑。从沟道形成、阈值电压，到饱和区和线性区的工作特性，每一步都进行了详细的讲解。不同于一些只给出最终模型的教材，这本书花费了大量篇幅讲解了长沟道模型和短沟道模型之间的区别，以及为什么会产生这些差异，比如短沟道效应、饱和速度效应等等。 更让我惊喜的是，作者还详细介绍了亚阈值区（subthreshold region）的行为，这对于低功耗电路设计至关重要，但很多入门教材都会忽略。书中通过引入亚阈值斜率（subthreshold swing）等概念，并分析其与工艺参数的关系，为我打开了低功耗设计领域的一扇窗。 虽然我还没有深入到放大器部分，但从前面对器件模型的深入讲解，我预感到书中对放大器（BJT和MOSFET）的分析也会同样严谨和实用。作者在介绍BJT模型时，清晰地阐述了Ebers-Moll模型和Gummel-Poon模型，并重点讲解了它们在正向有源区和饱和区下的应用。 我特别期待书中关于BJT结电容模型和寄生参数的详细讲解。很多时候，电路的频率响应和稳定性问题都源于这些看似微小的寄生效应，如果能在这本书中找到清晰的解释和分析方法，那将是巨大的收获。 同时，书中对MOSFET的跨导（transconductance）、输出电阻（output resistance）以及它们与器件参数、偏置电流之间的关系进行了详尽的推导和分析。这对于理解放大器的增益和带宽至关重要。 我注意到作者在介绍MOSFET的DC特性时，还考虑了沟道长度调制效应、体效应等更复杂的模型，这表明本书的理论深度是相当可观的，能够满足更高级的电路分析需求。 这本书的篇幅虽然不小，但作者的写作风格非常注重逻辑性和条理性，每一章节的安排都非常合理，从基础模型到复杂应用，循序渐进，让人感觉学习过程很顺畅，不会有“断层”的感觉。 总而言之，这本书在“器件模型”这个基础环节的扎实程度，以及将模型与实际应用紧密结合的叙述方式，都让我觉得物超所值，它为我今后深入学习电子电路设计奠定了坚实的基础。
评分我刚拿到这本书，就被它在“基本电路”部分的讲解方式深深吸引。它没有采用枯燥的公式堆砌，而是通过生动的例子和深入的分析，将复杂的电路原理变得通俗易懂。 以电压跟随器为例，它不仅仅是给出“增益为1”的简单结论，而是深入分析了它的高输入阻抗和低输出阻抗特性，以及这些特性在实际电路设计中的应用。作者还讨论了电压跟随器的频率响应和带宽限制，这些都是实际工程中非常重要的考量因素。 书中对差分放大器的讲解也让我耳目一新。它不仅介绍了差分放大器的基本结构和增益，还深入分析了共模抑制比（CMRR）的原理，以及如何通过器件的选择和电路设计来提高CMRR。这种对细节的关注，让我能更深刻地理解差分放大器的优势。 我特别喜欢书中关于负反馈的讲解。作者通过大量的实例，展示了负反馈在提高放大器增益稳定性、降低失真、展宽带宽等方面的作用，同时也指出了可能存在的稳定性问题，并给出了相应的解决方法。 对于有源滤波器，本书的讲解也非常详尽。作者介绍了巴特沃斯、切比雪夫等不同类型滤波器的设计原理，并给出了具体的元器件选择和计算方法。这对于实际的滤波器设计提供了非常实用的指导。 而且，书中还非常注重理论与实践的结合。它会在讲解完一个电路的基本原理后，立刻给出实际电路设计中的注意事项，比如元器件的容差、温度漂移、噪声等因素对电路性能的影响。 我感觉这本书不仅仅是“教你如何搭建电路”，更是“教你如何思考电路”。它培养的是一种“工程思维”，一种能够分析问题、解决问题的能力。 对于一些经典的模拟电路，如振荡器、比较器等，书中也进行了深入的剖析。作者在讲解振荡器时，并没有局限于单一的类型，而是对不同类型的振荡器（如哈特莱、科尔皮兹、维恩桥等）的原理、起振条件、频率稳定性等都进行了细致的讨论。 我个人非常期待书中关于多级放大器设计的章节。多级放大器往往是许多复杂模拟系统（如射频前端、传感器接口等）的核心，理解其级联效应、阻抗匹配、带宽扩展等问题，对于完成实际项目至关重要。 整体来说，这本书在“基本电路”这部分的讲解，既有深度又不失广度，而且始终贯穿着工程实践的导向，是我认为非常值得推荐的电子电路设计教材。
评分电路基本原理读物，介绍了各种基本电路模型和分析方法。要看电路实例还得看卷2
评分买来看看
评分打折屯书，还没看完，这种书要慢慢啃
评分作为学生要好读书，读好书
评分day day up, day day learn
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评分作为学生要好读书，读好书
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