電子技術基礎：模擬部分（第6版） epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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內容簡介

　　《電子技術基礎：模擬部分（第6版）》為“十二五”普通高等教育本科國傢級規劃教材，上一版為普通高等教育“十五”國傢級規劃教材，第四版為麵嚮21世紀課程教材，榮獲2002年全國普通高等學校教材一等奬。
　　為適應MOSFET器件在電子産品中已占統治地位這一發展形勢，新版教材大力加強瞭MOSFET的相關內容。
　　《電子技術基礎：模擬部分（第6版）》共11章，分彆是：緒論，運算放大器，二極管及其基本電路，場效應三極管及其放大電路，雙極結型三極管及其放大電路，頻率響應，模擬集成電路，反饋放大電路，功率放大電路，信號處理與信號産生電路，直流穩壓電源，電子電路的計算機輔助分析與設計。附錄包含PSpice/SPICE軟件簡介、電路理論簡明復習、電阻的彩色編碼和標稱阻值。
　　《電子技術基礎：模擬部分（第6版）》可作為高等學校電氣類、電子信息類、自動化類等專業“模擬電子技術基礎”課程的教材，也可供相關工程技術人員參考。

作者簡介

　　康華光，1925年8月齣生於湖南衡山，現為華中科技大學教授、博士生導師。長期從事電子技術教學與生物醫學工程研究。康華光教授1951年畢業於武漢大學電機工程學係並留校任教。1953年院係調整到華中科技大學（原華中工學院）工作至今。現任中國電子學會生物醫學電子學分會委員。曾任國傢教委高校工科電工課程教學指導委員會副主任兼電子技術課程教學指導小組組長。由康華光主編的《電子技術基礎》（模擬、數字部分）；第1、2、3、4版（高等教育齣版社，1979、1982、1988、1999年）曾先後於1988、1992、1996、2002年榮獲四次奬勵，含教材奬、教材特等奬、科技進步二等奬和教材一等奬。主持研究的“優化電子技術基礎課程建設”項目獲1989年教學研究成果奬。在科研方麵，康華光教授主要從事交叉學科的研究，如生物醫學信息的檢測與分析以及細胞電生理研究。建立瞭國內個具有國際先進水平的細胞信使實驗室。主持瞭多項科研課題，開展國內、國際交流與閤作，成績卓著。培養瞭博士、碩士生40餘名。發錶瞭多篇學術論文和專著《膜片鉗技術及其應用》（科學齣版社，2002年）。

內頁插圖

目錄

1 緒論
1．1 信號
1．2 信號的頻譜
1．3 模擬信號和數字信號
1．4 放大電路模型
1．5 放大電路的主要性能指標
小結
習題

2 運算放大器
2．1 集成電路運算放大器
2．2 理想運算放大器
2．3 基本綫性運放電路
2．3．1 同相放大電路
2．3．2 反相放大電路
2．4 同相輸入和反相輸入放大電路的其他應用
2．4．1 求差電路
2．4．2 儀用放大器
2．4．3 求和電路
2．4．4 積分電路和微分電路
2．5 SPICE仿真例題
小結
習題

3 二極管及其基本電路
3．1 半導體的基本知識
3．1．1 半導體材料
3．1．2 半導體的共價鍵結構
3．1．3 本徵半導體、空穴及其導電作用
3．1．4 雜質半導體
3．2 PN結的形成及特性
3．2．1 載流子的漂移與擴散
3．2．2 PN結的形成
3．2．3 PN結的單嚮導電性
3．2．4 PN結的反嚮擊穿
3．2．5 PN結的電容效應
3．3 二極管
3．3．1 二極管的結構
3．3．2 二極管的Ⅰ-Ⅴ特性
3．3．3 二極管的主要參數
3．4 二極管的基本電路及其分析方法
3．4．1 簡單二極管電路的圖解分析方法
3．4．2 二極管電路的簡化模型分析方法
3．5 特殊二極管
3．5．1 齊納二極管
3．5．2 變容二極管
3．5．3 肖特基二極管
3．5．4 光電器件
3．6 SPICE仿真例題
小結
習題

4 場效應三極管及其放大電路
4．1 金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應三極管
4．1．1 N溝道增強型MOSFET
4．1．2 N溝道耗盡型MOSFET
4．1．3 P溝道MOSFET
4．1．4 溝道長度調製等幾種效應
4．1．5 MOSFET的主要參數
4．2 MOSFET基本共源極放大電路
4．2．1 基本共源極放大電路的組成
4．2．2 基本共源極放大電路的工作原理
4．2．3 放大電路的習慣畫法和主要分析法
4．3 圖解分析法
4．3．1 用圖解方法確定靜態工作點Q
4．3．2 動態工作情況的圖解分析
4．3．3 圖解分析法的適用範圍
4．4 小信號模型分析法
4．4．1 MOSFET的小信號模型
4．4．2 用小信號模型分析共源極放大電路
4．4．3 帶源極電阻的共源極放大電路的分析
4．4．4 小信號模型分析法的適用範圍
4．5 共漏極和共柵極放大電路
4．5．1 共漏極（源極跟隨器）放大電路
4．5．2 共柵極放大電路
4．5．3 MOSFET放大電路三種組態的總結和比較
4．6 集成電路單級MOSF'ET放大電路
4．6．1 帶增強型負載管的NMOS放大電路
4．6．2 帶耗盡型負載管的NMOS放大電路
4．6．3 帶PMOS負載管的NMOS放大電路（CMOS共源極放大電路）
4．7 多級放大電路
4．7．1 共源-共漏放大電路
4．7．2 共源-共柵放大電路
4．8 結型場效應管（JFET）及其放大電路
4．8．1 JFET的結構和工作原理
4．8．2 JFET的特性麯綫及參數
4．8．3 JFET放大電路的小信號模型分析法
4．9 砷化鎵金屬一半導體場效應管
4．10 各種FET的特性及使用注意事項
4．11 SPICE仿真例題
小結
習題

5 雙極結型三極管（BJT）及其放大電路
5．1 BJT
5．1．1 BJT的結構簡介
5．1．2 放大狀態下BJT的工作原理
5．1．3 BJT的Ⅰ-Ⅴ特性麯綫
5．1．4 BJT的主要參數
5．1．5 溫度對BJT參數及特性的影響
5．2 基本共射極放大電路
5．2．1 基本共射極放大電路的組成
5．2．2 基本共射極放大電路的工作原理
5．3 BJT放大電路的分析方法
5．3．1 BJT放大電路的圖解分析法
5．3．2 BJT放大電路的小信號模型分析法
5．4 BJT放大電路靜態工作點的穩定問題
5．4．1 溫度對靜態工作點的影響
5．4．2 射極偏置電路
5．5 共集電極放大電路和共基極放大電路
5．5．1 共集電極放大電路
5．5．2 共基極放大電路
5．5．3 BJT放大電路三種組態的比較
5．6 FET和BJT及其基本放大電路性能的比較
5．6．1 FET和BJT重要特性的比較
5．6．2 FET和BJT放大電路性能的比較
5．7 多級放大電路
5．7．1 共射-共基放大電路
5．7．2 共集-共集放大電路
5．7．3 共源-共基放大電路
5．8 光電三極管
5．9 SPICE仿真例題
小結
習題

6 頻率響應
6．1 放大電路的頻率響應
6．2 單時間常數RC電路的頻率響應
6．2．1 RC高通電路的頻率響應
6．2．2 RC低通電路的頻率響應
6．3 共源和共射放大電路的低頻響應
6．3．1 共源放大電路的低頻響應
6．3．2 共射放大電路的低頻響應
6．4 共源和共射放大電路的高頻響應
6．4．1 MOS管的高頻小信號模型及單位增益頻率
6．4．2 共源放大電路的高頻響應
6．4．3 BJT的高頻小信號模型及頻率參數
6．4．4 共射放大電路的高頻響應
6．5 共柵和共基、共漏和共集放大電路的高頻響應
6．5．1 共柵和共基放大電路的高頻響應
6．5．2 共漏和共集放大電路的高頻響應
6．6 擴展放大電路通頻帶的方法
6．6．1 共源-共基電路
6．6．2 共集-共射電路
6．7 多級放大電路的頻率響應
6．8 單級放大電路的瞬態響應
6．9 SPICE仿真例題
小結
習題

7 模擬集成電路
7．1 模擬集成電路中的直流偏置技術
7．1．1 FET電流源電路
7．1．2 BJT電流源電路
7．2 差分式放大電路
7．2．1 差分式放大電路的一般結構
7．2．2 FET差分式放大電路
7．2．3 BJT差分式放大電路
7．3 差分式放大電路的傳輸特性
7．3．1 MOSFET差分式放大電路的傳輸特性
7．3．2 BJT差分式放大電路的傳輸特性
7．4 帶有源負載的差分式放大電路
7．4．1 帶有源負載的源極耦閤CMOS差分式放大電路
7．4．2 帶有源負載的BJT射極耦閤差分式放大電路
7．5 集成運算放大器
7．5．1 CMOSMC14573集成運算放大器
7．5．2 BJT型LM741集成運算放大器
7．5．3 BiJFET型集成運算放大器LF356
7．6 實際集成運算放大器的主要參數和對應用電路的影響
7．6．1 實際集成運放的主要參數
7．6．2 集成運放應用中的實際問題
7．7 變跨導式模擬乘法器
7．7．1 變跨導式模擬乘法器的工作原理
7．7．2 模擬乘法器的應用
7．8 放大電路中的噪聲與乾擾
7．8．1 放大電路中的噪聲
7．8．2 放大電路中的乾擾
7．8．3 低噪聲放大電路舉例
7．9 SPICE仿真例題
小結
習題

8 反饋放大電路
8．1 反饋的基本概念與分類
8．1．1 什麼是反饋
8．1．2 直流反饋與交流反饋
8．1．3 正反饋與負反饋
8．1．4 串聯反饋與並聯反饋
8．1．5 電壓反饋與電流反饋
8．1．6 負反饋放大電路的四種組態
8．2 負反饋放大電路增益的一般錶達式
8．3 負反饋對放大電路性能的影響
8．3．1 提高增益的穩定性
8．3．2 減小非綫性失真
8．3．3 抑製反饋環內噪聲
8．3．4 對輸入電阻和輸齣電阻的影響
8．3．5 擴展帶寬
8．4 深度負反饋條件下的近似計算
8．5 負反饋放大電路設計
8．5．1 設計負反饋放大電路的一般步驟
8．5．2 設計舉例
8．6 負反饋放大電路的穩定性
8．6．1 負反饋放大電路的自激振蕩及穩定工作的條件
8．6．2 頻率補償
8．7 SPICE仿真例題
小結
習題

9 功率放大電路
9．1 功率放大電路的一般問題
9．2 射極輸齣器——甲類放大的實例
9．3 乙類雙電源互補對稱功率放大電路
9．3．1 電路組成
9．3．2 分析計算
9．3．3 功率BJT的選擇
9．4 甲乙類互補對稱功率放大電路
9．4．1 甲乙類雙電源互補對稱電路
9．4．2 甲乙類單電源互補對稱電路
9．4．3 MOS管甲乙類雙電源互補對稱電路
9．5 功率管
9．5．1 功率器件的散熱與功率BJT的二次擊穿問題
9．5．2 功率VMOSFET和DMOSFET
9．6 集成功率放大器舉例
9．6．1 以MOS功率管作輸齣級的集成功率放大器
9．6．2 BJT集成功率放大器舉例
9．7 SPICE仿真例題
小結
習題

10 信號處理與信號産生電路
10．1 濾波電路的基本概念與分類
10．2 一階有源濾波電路
10．3 高階有源濾波電路
10．3．1 有源低通濾波電路
10．3．2 有源高通濾波電路
10．3．3 有源帶通濾波電路
10．3．4 二階有源帶阻濾波電路
10．4 開關電容濾波器
10．5 正弦波振蕩電路的振蕩條件
10．6 RC正弦波振蕩電路
10．7 LC正弦波振蕩電路
10．7．1 LC選頻放大電路
10．7．2 變壓器反饋式LC振蕩電路
10．7．3 三點式LC振蕩電路
10．7．4 石英晶體振蕩電路
10．8 非正弦信號産生電路
10．8．1 電壓比較器
10．8．2 方波産生電路
10．8．3 鋸齒波産生電路
10．9 SPICE仿真例題
小結
習題

11 直流穩壓電源
11．1 小功率整流濾波電路
11．1．1 單相橋式整流電路
11．1．2 濾波電路
11．1．3 倍壓整流電路
11．2 綫性穩壓電路
11．2．1 穩壓電源的質量指標
11．2．2 綫性串聯反饋式穩壓電路的工作原理
11．2．3 三端綫性集成穩壓器
11．2．4 三端集成穩壓器的應用
11．3 開關式穩壓電路
11．3．1 開關式穩壓電路的工作原理
11．3．2 帶隔離變壓器的直流變換型電源
11．3．3 開關穩壓電源的應用舉例
11．4 SPICE仿真例題
小結
習題

12 電子電路的計算機輔助分析與設計
12．1 電子電路SPICE程序輔助分析
12．2 電子電路SPICE程序輔助設計

附錄A PSpice／SPICE軟件簡介
A．1 PSpiceA／D仿真功能簡介
A．2 Capture中的電路描述
A．3 Capture／PSpiceA／D集成環境
A．4 PSpiceA／D中的有關規定

附錄B 電路理論簡明復習
B．1 基爾霍夫電流、電壓定律
B．2 疊加原理
B．3 戴維寜定理和諾頓定理
B．3．1 戴維寜定理
B．3．2 諾頓定理
B．4 密勒定理

附錄C 電阻的彩色編碼和標稱阻值

參考文獻
索引（漢英對照）
部分習題答案

前言/序言

　　《電子技術基礎（模擬、數字）》是電子電氣類專業的技術基礎課程教材，該教材自1979年春由高等教育齣版社齣版發行以來，深受廣大讀者的歡迎。根據當前電子技術發展的新形勢，在第五版的基礎上，推陳齣新。如今電子技術發展的現實是，MOSFET器件在電子産品中已占統治地位。為瞭適應這一發展形勢，新版教材大力加強瞭MOSFET的相關內容。現就模擬和數字兩部分提齣如下的新思路。
　　一、模擬部分
　　1.運算放大器是模擬部分的核心內容。在第2章中，首先把它理想化，稱之為理想運算放大器，實際的運放將在第7章（模擬集成電路）中講述。這樣的安排是為瞭讓學生易於入門，分散難點，也為瞭讓教師根據各專業的要求作相應的選擇。講完第2章後，即可在教師的指導下進行運放的基本實驗，可使學生對該課程産生興趣，並有初步的成就感。
　　2.由於半導體材料和器件製造工藝的進步，場效應管（MOSFET）與雙極結型三極管（BJT）相比顯示齣新的優越性而獲得較廣泛的應用。考慮到曆史和現實將第4、5兩章寫成相互獨立的內容，教師可以自由選擇其中任一章先講。不言而喻，後講的章節可以加快進度。
　　3.頻率響應一章，除一般知識外，可有選擇性地講述MOSFET和BJT的相關電路。例如重點介紹MOS管及共源放大電路的高低頻響應，最後介紹擴展頻帶的方法。
　　4.模擬集成電路一章的內容豐富，可有選擇性地講述MOSFET和BJT的相關電路。至於運算放大器，也可按同樣方法處理。
　　5.反饋電子電路是電子電路的重要內容，通過大量的例題和習題來闡明負反饋的基本概念與分析方法，對反饋電路的穩定問題也作瞭簡明分析。
　　二、數字部分
　　1.現代數字電路和係統基本上不再使用中規模集成芯片搭建，而是采用CPLD或FPGA實現，甚至將係統集成在單一芯片上。其設計過程是將組閤與時序單元電路作為基本模塊由高層調用。因此，教材力求在弱化中規模集成芯片應用的同時，將組閤與時序單元電路作為宏模型介紹。
　　2.便攜設備的發展要求CMOS集成電路的電源電壓越來越低，導緻低電壓、超低電壓器件的廣泛使用。教材加強瞭低電源電壓器件及其接口內容介紹，同時削減瞭TTL係列的內容。
　　3.增加瞭CMOS通用電路中小邏輯與寬總綫內容的介紹。小邏輯芯片是用來修改完善大規模集成芯片之間連綫或外圍電路的。與中規模器件相比，體積更小，速度更快。寬總綫芯片是為滿足計算機總綫驅動而産生的。
　　4.為瞭便於學生掌握Verilog描述單元電路的方法，加強瞭Verilog描述組閤及時序單元電路的例題。
　　5.當用指定器件實現電路設計時，力求成本低、速度快。介紹瞭EDA工具實現優化設計時，需要用到多乘積項的共用，提取公因子、函數分解等方法。

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