| 图书基本信息 | |||
| 图书名称 | 金属有机化合物气相外延基础及应用 | 作者 | 陆大成,段树坤 |
| 定价 | 75.00元 | 出版社 | 科学出版社 |
| ISBN | 9787030238450 | 出版日期 | 2009-05-01 |
| 字数 | 页码 | 361 | |
| 版次 | 1 | 装帧 | 精装 |
| 开本 | 16开 | 商品重量 | 0.4Kg |
| 内容简介 | |
| 《金属有机化合物气相外延基础及应用(精)》可供从事半导体科研和生产的科研人员、大专院校教师和研究生使用。金属有机化合物气相处延(MOVPE)技术是制备化合物半导体异质结、低维结构材料,以及生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。《金属有机化合物气相外延基础及应用(精)》是国内本全面系统地介绍MOVPE的专著,从理论和实践两个方面分别论述了该技术的生长系统和原材料特性等实验基础、MOVPE生长热力学、化学反应动力学和输运现象等理论基础。在此基础上系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料生长及其量子阱、量子点等低维结构的MOVPE生长,以及在光电器件和电子器件方面的应用。书中附有大量参考文献,以便读者进一步参考。 |
| 作者简介 | |
| 目录 | |
| 前言 第1章绪论 1.1 外延生长 1.2 MOVPE概述 参考文献 第2章 MOVPE生长系统 2.1 MOVPE气体输运分系统 2.2 MOVPE生长反应室分系统 2.3 MOVPE尾气处理分系统 2.4 MOVPE生长控制装置分系统 2.5 MOVPE外延层生长的原位监测 参考文献 第3章 原材料 3.1 金属有机化合物源 3.2 氢化物源 参考文献 第4章 MOVPE的热力学分析 4.1 外延生长速度的限制机构 4.2 MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系 4.3 MOVPE生长相图与单凝聚相生长区 4.4 掺杂 参考文献 第5章 MOVPE化学反应动力学和质量输运 5.1 MOVPE化学反应动力学 5.2 MOVPE反应室内的输运现象与模型化 5.3 MOVPE化学反应一输运模型的应用 参考文献 第6章 MOVPE的表面过程 6.1 表面成核 6.2 外延生长模式 6.3 MOVPE环境下的表面再构 6.4 表面活性剂 参考文献 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的MOVPE生长 7.1 GaAs及其固溶体的MOVPE生长 7.2 InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长 7.3 锑化物的MOVPE生长 7.4 氮化物的MOVPE生长 7.5 选择外延生长和非平面衬底上的外延生长 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半导体的MOVPE生长 参考文献 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的MOVPE生长 8.1 ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长 8.2 ZnO及其固溶体的MOVPE生长 8.3 HgCdTe的MOVPE生长 参考文献 第9章 低维半导体材料的MOVPE生长 9.1 量子阱结构的MOVPE生长 9.2 量子点和量子线结构的生长 参考文献 第10章 MOVPE技术在半导体器件方面的应用 10.1 发光二极管 10.2 激光器 10.3 太阳能电池 10.4 半导体光探测器 10.5 高电子迁移率场效应晶体管 10.6 异质结双极晶体管 10.7 光电集成电路 参考文献 后记 |
| 编辑推荐 | |
| 《金属有机化合物气相外延基础及应用(精)》是国内本全面系统地介绍金属有机化合物气相外延(MOVPE)的专著。全书共10章:第1章概述;第2章生长系统;第3章原材料;第4章MOVPE生长热力学和反应动力学;第5章MOVPE反应室内的输运现象与模型化;第6章MOVPE中的表面过程;第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的MOVPE生长;第8章Ⅱ-Ⅵ族半导体的MOVPE生长;第9章低维结构的MOVPE生长;第10章MOVPE技术在器件方面的应用。《金属有机化合物气相外延基础及应用(精)》反映了国内外该研究领域的新进展,并附有大量的参考文献。在写作风格上,以大学高年级学生水平为出发点,突出物理内容,避免冗长公式,深入浅出。 |
| 文摘 | |
| 第2章 MOVPE生成系统 2.1 MOVPE气体输运分系统 气体输运分系统的功能是向反应室内输运各种反应剂,并控制其计量、送入的时间和顺序以及流过反应室的总气体流速等,以便生长特定成分与结构的外延层。气体输运分系统由载气供应子系统、氢化物供应子系统、M0源供应子系统和特殊设计的生长/放空多路组合阀等组成。 2.1.1 载气供应子系统 载气的作用是把反应剂输运到反应室。载气供应子系统包括氢气和氮气钢瓶、压力调节阀、氢气和氮气的提纯器等。氢气易于提纯,并且具有还原性成为广泛使用的载气。需要注意的是H2遇空气可能形成易燃、易爆的混合气。N2的作用除了和H2一样作为载气外,还利用它的惰性,在装卸衬底、更换源瓶、或维修设备打开系统前,用氮气置换系统中的氢气。 MOVPE生长系统使用的载气需要很高的纯度。氢气提纯普遍使用钯合金扩散纯化器,利用在300~400。C只有氢气能扩散通过钯合金的特点,将氢气中的杂质,诸如02、H20、C0、C02、N2和所有碳氢化合物,都降到<1ppb+。为防止工作中意外断电导致温度降低损坏钯合金膜,一般都配备不间断电源。另一种方法是采用高压氮气为动力的Verituri气体真空发生器抽出钯合金中的氢,并配合氮气吹扫来保护钯合金。纯化氮气(和惰性气体)则采用化学和物理吸附型纯化器,诸如锆基或镍基化学吸收型纯化器。 |
| 序言 | |
| 前言 第1章绪论 1.1 外延生长 1.2 MOVPE概述 参考文献 第2章 MOVPE生长系统 2.1 MOVPE气体输运分系统 2.2 MOVPE生长反应室分系统 2.3 MOVPE尾气处理分系统 2.4 MOVPE生长控制装置分系统 2.5 MOVPE外延层生长的原位监测 参考文献 第3章 原材料 3.1 金属有机化合物源 3.2 氢化物源 参考文献 第4章 MOVPE的热力学分析 4.1 外延生长速度的限制机构 4.2 MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系 4.3 MOVPE生长相图与单凝聚相生长区 4.4 掺杂 参考文献 第5章 MOVPE化学反应动力学和质量输运 5.1 MOVPE化学反应动力学 5.2 MOVPE反应室内的输运现象与模型化 5.3 MOVPE化学反应一输运模型的应用 参考文献 第6章 MOVPE的表面过程 6.1 表面成核 6.2 外延生长模式 6.3 MOVPE环境下的表面再构 6.4 表面活性剂 参考文献 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的MOVPE生长 7.1 GaAs及其固溶体的MOVPE生长 7.2 InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长 7.3 锑化物的MOVPE生长 7.4 氮化物的MOVPE生长 7.5 选择外延生长和非平面衬底上的外延生长 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半导体的MOVPE生长 参考文献 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的MOVPE生长 8.1 ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长 8.2 ZnO及其固溶体的MOVPE生长 8.3 HgCdTe的MOVPE生长 参考文献 第9章 低维半导体材料的MOVPE生长 9.1 量子阱结构的MOVPE生长 9.2 量子点和量子线结构的生长 参考文献 第10章 MOVPE技术在半导体器件方面的应用 10.1 发光二极管 10.2 激光器 10.3 太阳能电池 10.4 半导体光探测器 10.5 高电子迁移率场效应晶体管 10.6 异质结双极晶体管 10.7 光电集成电路 参考文献 后记 |
第一段评价: 这本书的装帧和印刷质量确实让人眼前一亮,纸张的触感和文字的清晰度都体现了出版社的专业水准。我特别喜欢它在图表和公式排版上的用心,很多复杂的晶体结构和能带图都能清晰直观地呈现出来,对于初学者来说,这极大地降低了理解门槛。虽然我还没来得及深入研读每一个章节,但仅从目录来看,它似乎覆盖了从基础理论到前沿应用的完整脉络,这对于一个想系统学习该领域的读者来说,无疑是一份宝贵的财富。尤其是对气相外延过程中的各种参数控制和薄膜生长机理的探讨,相信会是全书的亮点。我期待着在后续的阅读中,能从中挖掘出更多有助于我科研实践的干货。
评分第二段评价: 说实话,我一直觉得“金属有机化合物气相外延”这个领域听起来就高深莫测,充满了各种复杂的化学反应和物理过程。拿到这本书后,我抱着试一试的心态翻阅了前几页,发现作者的叙述方式非常平实,没有那种生硬的学术腔调,仿佛一位经验丰富的老师在手把手地带领你入门。书中对一些关键概念的解释,比如ALD和MOCVD的原理差异,都有详尽的类比和图示辅助,这让我的理解过程变得顺畅多了。这种注重‘讲透’而非‘堆砌’知识点的写作风格,非常对我的胃口。我已经迫不及待想深入到具体的材料体系部分,看看作者如何剖析不同金属有机前驱体在实际应用中的优缺点。
评分第四段评价: 这本书的结构安排似乎是为研究生量身定制的,兼顾了学术深度和广度。我注意到它似乎对新型低维纳米结构的外延生长也进行了覆盖,这表明作者对该领域的最新进展保持了高度敏感性。在阅读一些涉及到量子效率和界面工程的章节时,我能感受到作者在信息筛选和提炼上的功力,没有冗余的背景介绍,直击核心的科学问题。这种严谨而高效的知识传递方式,对于时间宝贵的科研人员来说,是极大的效率提升。它不仅仅是一本教科书,更像是一份经过时间沉淀的、高度浓缩的行业白皮书。
评分第三段评价: 从一个侧重于材料合成的工程师角度来看,我更关注的是实际操作中的可重复性和工艺窗口的确定。这本书的价值可能就在于它不仅仅停留在理论层面,而是将基础物理化学与工程实践紧密结合了起来。我希望书中能有足够多的篇幅探讨反应腔设计、温度梯度控制以及气流动力学对薄膜形貌的影响。如果它能提供一些典型的“失败案例分析”或者“常见问题排查”的章节,那就太棒了,因为在实际工作中,解决那些意想不到的生长缺陷往往比纯粹的理论推导更耗费心神。期待这本书能成为我实验室工具书架上不可或缺的一员,随时可以查阅关键工艺点的设定依据。
评分第五段评价: 这本书的语言风格非常严谨,用词准确到位,每一个术语的引入都似乎经过了深思熟虑,显示出作者深厚的学术积累和对专业领域的敬畏感。与市面上一些偏向科普或者过于侧重单一应用的书籍不同,这本似乎致力于构建一个完整、自洽的知识体系框架。从基础的配位化学到复杂的半导体异质结生长,逻辑链条衔接得天衣无缝。这让我相信,即便是领域内的资深研究人员,也能从中找到新的视角去审视自己手头的问题。它所提供的知识深度,足以支撑起一篇高质量的博士论文的理论基础部分,绝对是值得收藏的经典著作。
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