| 圖書基本信息 | |||
| 圖書名稱 | 金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用 | 作者 | 陸大成,段樹坤 |
| 定價 | 75.00元 | 齣版社 | 科學齣版社 |
| ISBN | 9787030238450 | 齣版日期 | 2009-05-01 |
| 字數 | 頁碼 | 361 | |
| 版次 | 1 | 裝幀 | 精裝 |
| 開本 | 16開 | 商品重量 | 0.4Kg |
| 內容簡介 | |
| 《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》可供從事半導體科研和生産的科研人員、大專院校教師和研究生使用。金屬有機化閤物氣相處延(MOVPE)技術是製備化閤物半導體異質結、低維結構材料,以及生産化閤物半導體光電子、微電子器件的重要方法。《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》是國內本全麵係統地介紹MOVPE的專著,從理論和實踐兩個方麵分彆論述瞭該技術的生長係統和原材料特性等實驗基礎、MOVPE生長熱力學、化學反應動力學和輸運現象等理論基礎。在此基礎上係統介紹瞭Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化閤物半導體材料生長及其量子阱、量子點等低維結構的MOVPE生長,以及在光電器件和電子器件方麵的應用。書中附有大量參考文獻,以便讀者進一步參考。 |
| 作者簡介 | |
| 目錄 | |
| 前言 第1章緒論 1.1 外延生長 1.2 MOVPE概述 參考文獻 第2章 MOVPE生長係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 2.2 MOVPE生長反應室分係統 2.3 MOVPE尾氣處理分係統 2.4 MOVPE生長控製裝置分係統 2.5 MOVPE外延層生長的原位監測 參考文獻 第3章 原材料 3.1 金屬有機化閤物源 3.2 氫化物源 參考文獻 第4章 MOVPE的熱力學分析 4.1 外延生長速度的限製機構 4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關係 4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區 4.4 摻雜 參考文獻 第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運 5.1 MOVPE化學反應動力學 5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化 5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用 參考文獻 第6章 MOVPE的錶麵過程 6.1 錶麵成核 6.2 外延生長模式 6.3 MOVPE環境下的錶麵再構 6.4 錶麵活性劑 參考文獻 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長 7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長 7.2 InP、GaP及其有關化閤物的MOVPE生長 7.3 銻化物的MOVPE生長 7.4 氮化物的MOVPE生長 7.5 選擇外延生長和非平麵襯底上的外延生長 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長 參考文獻 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長 8.1 ZnSe及其有關化閤物的MOVPE生長 8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長 8.3 HgCdTe的MOVPE生長 參考文獻 第9章 低維半導體材料的MOVPE生長 9.1 量子阱結構的MOVPE生長 9.2 量子點和量子綫結構的生長 參考文獻 第10章 MOVPE技術在半導體器件方麵的應用 10.1 發光二極管 10.2 激光器 10.3 太陽能電池 10.4 半導體光探測器 10.5 高電子遷移率場效應晶體管 10.6 異質結雙極晶體管 10.7 光電集成電路 參考文獻 後記 |
| 編輯推薦 | |
| 《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》是國內本全麵係統地介紹金屬有機化閤物氣相外延(MOVPE)的專著。全書共10章:第1章概述;第2章生長係統;第3章原材料;第4章MOVPE生長熱力學和反應動力學;第5章MOVPE反應室內的輸運現象與模型化;第6章MOVPE中的錶麵過程;第7章Ⅲ-Ⅴ族化閤物半導體的MOVPE生長;第8章Ⅱ-Ⅵ族半導體的MOVPE生長;第9章低維結構的MOVPE生長;第10章MOVPE技術在器件方麵的應用。《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》反映瞭國內外該研究領域的新進展,並附有大量的參考文獻。在寫作風格上,以大學高年級學生水平為齣發點,突齣物理內容,避免冗長公式,深入淺齣。 |
| 文摘 | |
| 第2章 MOVPE生成係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 氣體輸運分係統的功能是嚮反應室內輸運各種反應劑,並控製其計量、送入的時間和順序以及流過反應室的總氣體流速等,以便生長特定成分與結構的外延層。氣體輸運分係統由載氣供應子係統、氫化物供應子係統、M0源供應子係統和特殊設計的生長/放空多路組閤閥等組成。 2.1.1 載氣供應子係統 載氣的作用是把反應劑輸運到反應室。載氣供應子係統包括氫氣和氮氣鋼瓶、壓力調節閥、氫氣和氮氣的提純器等。氫氣易於提純,並且具有還原性成為廣泛使用的載氣。需要注意的是H2遇空氣可能形成易燃、易爆的混閤氣。N2的作用除瞭和H2一樣作為載氣外,還利用它的惰性,在裝卸襯底、更換源瓶、或維修設備打開係統前,用氮氣置換係統中的氫氣。 MOVPE生長係統使用的載氣需要很高的純度。氫氣提純普遍使用鈀閤金擴散純化器,利用在300~400。C隻有氫氣能擴散通過鈀閤金的特點,將氫氣中的雜質,諸如02、H20、C0、C02、N2和所有碳氫化閤物,都降到<1ppb+。為防止工作中意外斷電導緻溫度降低損壞鈀閤金膜,一般都配備不間斷電源。另一種方法是采用高壓氮氣為動力的Verituri氣體真空發生器抽齣鈀閤金中的氫,並配閤氮氣吹掃來保護鈀閤金。純化氮氣(和惰性氣體)則采用化學和物理吸附型純化器,諸如鋯基或鎳基化學吸收型純化器。 |
| 序言 | |
| 前言 第1章緒論 1.1 外延生長 1.2 MOVPE概述 參考文獻 第2章 MOVPE生長係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 2.2 MOVPE生長反應室分係統 2.3 MOVPE尾氣處理分係統 2.4 MOVPE生長控製裝置分係統 2.5 MOVPE外延層生長的原位監測 參考文獻 第3章 原材料 3.1 金屬有機化閤物源 3.2 氫化物源 參考文獻 第4章 MOVPE的熱力學分析 4.1 外延生長速度的限製機構 4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關係 4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區 4.4 摻雜 參考文獻 第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運 5.1 MOVPE化學反應動力學 5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化 5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用 參考文獻 第6章 MOVPE的錶麵過程 6.1 錶麵成核 6.2 外延生長模式 6.3 MOVPE環境下的錶麵再構 6.4 錶麵活性劑 參考文獻 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長 7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長 7.2 InP、GaP及其有關化閤物的MOVPE生長 7.3 銻化物的MOVPE生長 7.4 氮化物的MOVPE生長 7.5 選擇外延生長和非平麵襯底上的外延生長 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長 參考文獻 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長 8.1 ZnSe及其有關化閤物的MOVPE生長 8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長 8.3 HgCdTe的MOVPE生長 參考文獻 第9章 低維半導體材料的MOVPE生長 9.1 量子阱結構的MOVPE生長 9.2 量子點和量子綫結構的生長 參考文獻 第10章 MOVPE技術在半導體器件方麵的應用 10.1 發光二極管 10.2 激光器 10.3 太陽能電池 10.4 半導體光探測器 10.5 高電子遷移率場效應晶體管 10.6 異質結雙極晶體管 10.7 光電集成電路 參考文獻 後記 |
第一段評價: 這本書的裝幀和印刷質量確實讓人眼前一亮,紙張的觸感和文字的清晰度都體現瞭齣版社的專業水準。我特彆喜歡它在圖錶和公式排版上的用心,很多復雜的晶體結構和能帶圖都能清晰直觀地呈現齣來,對於初學者來說,這極大地降低瞭理解門檻。雖然我還沒來得及深入研讀每一個章節,但僅從目錄來看,它似乎覆蓋瞭從基礎理論到前沿應用的完整脈絡,這對於一個想係統學習該領域的讀者來說,無疑是一份寶貴的財富。尤其是對氣相外延過程中的各種參數控製和薄膜生長機理的探討,相信會是全書的亮點。我期待著在後續的閱讀中,能從中挖掘齣更多有助於我科研實踐的乾貨。
評分第五段評價: 這本書的語言風格非常嚴謹,用詞準確到位,每一個術語的引入都似乎經過瞭深思熟慮,顯示齣作者深厚的學術積纍和對專業領域的敬畏感。與市麵上一些偏嚮科普或者過於側重單一應用的書籍不同,這本似乎緻力於構建一個完整、自洽的知識體係框架。從基礎的配位化學到復雜的半導體異質結生長,邏輯鏈條銜接得天衣無縫。這讓我相信,即便是領域內的資深研究人員,也能從中找到新的視角去審視自己手頭的問題。它所提供的知識深度,足以支撐起一篇高質量的博士論文的理論基礎部分,絕對是值得收藏的經典著作。
評分第二段評價: 說實話,我一直覺得“金屬有機化閤物氣相外延”這個領域聽起來就高深莫測,充滿瞭各種復雜的化學反應和物理過程。拿到這本書後,我抱著試一試的心態翻閱瞭前幾頁,發現作者的敘述方式非常平實,沒有那種生硬的學術腔調,仿佛一位經驗豐富的老師在手把手地帶領你入門。書中對一些關鍵概念的解釋,比如ALD和MOCVD的原理差異,都有詳盡的類比和圖示輔助,這讓我的理解過程變得順暢多瞭。這種注重‘講透’而非‘堆砌’知識點的寫作風格,非常對我的胃口。我已經迫不及待想深入到具體的材料體係部分,看看作者如何剖析不同金屬有機前驅體在實際應用中的優缺點。
評分第三段評價: 從一個側重於材料閤成的工程師角度來看,我更關注的是實際操作中的可重復性和工藝窗口的確定。這本書的價值可能就在於它不僅僅停留在理論層麵,而是將基礎物理化學與工程實踐緊密結閤瞭起來。我希望書中能有足夠多的篇幅探討反應腔設計、溫度梯度控製以及氣流動力學對薄膜形貌的影響。如果它能提供一些典型的“失敗案例分析”或者“常見問題排查”的章節,那就太棒瞭,因為在實際工作中,解決那些意想不到的生長缺陷往往比純粹的理論推導更耗費心神。期待這本書能成為我實驗室工具書架上不可或缺的一員,隨時可以查閱關鍵工藝點的設定依據。
評分第四段評價: 這本書的結構安排似乎是為研究生量身定製的,兼顧瞭學術深度和廣度。我注意到它似乎對新型低維納米結構的外延生長也進行瞭覆蓋,這錶明作者對該領域的最新進展保持瞭高度敏感性。在閱讀一些涉及到量子效率和界麵工程的章節時,我能感受到作者在信息篩選和提煉上的功力,沒有冗餘的背景介紹,直擊核心的科學問題。這種嚴謹而高效的知識傳遞方式,對於時間寶貴的科研人員來說,是極大的效率提升。它不僅僅是一本教科書,更像是一份經過時間沉澱的、高度濃縮的行業白皮書。
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