半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

图书标签:

• 半导体材料
• 标准
• 汇编
• 2014
• 方法标准
• 国标
• 分册
• 工业标准
• 技术标准
• 材料科学

店铺： 广影图书专营店

出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677523

商品编码：29698837537

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名:半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册

定价：230.00元

售价：156.4元,便宜73.6元,折扣68

作者:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

---

内容提要

---

半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

---

GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法 硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、A1受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

作者介绍

---

文摘

---

序言

---

《半导体材料标准汇编》（2014版）方法标准 国标分册 内容简介 本分册精选了2014年版《半导体材料标准汇编》中的全部国家标准方法，旨在为半导体材料的研发、生产、质量控制及应用提供权威、全面的技术依据。作为汇编系列中的重要组成部分，本书重点聚焦于半导体材料的检测、表征与分析方法，涵盖了从基础材料到特定应用器件的广泛领域，力求为广大从事半导体行业的科研人员、工程师、技术人员以及相关管理部门提供一本不可或缺的工具书。 本书的价值与定位 在信息技术日新月异的今天，半导体产业作为核心驱动力，其发展水平直接影响着国家科技实力和经济竞争力。而半导体材料的性能、质量和可靠性，则是决定半导体器件性能和集成电路整体水平的关键。因此，一套科学、严谨、统一的材料标准，对于保障半导体产业的健康发展至关重要。 《半导体材料标准汇编》（2014版）方法标准国标分册，正是顺应这一时代需求而生。它汇集了我国在半导体材料领域多年来沉淀的科研成果和行业共识，将大量分散、零散的标准方法进行系统化、规范化整理，形成了一部体系完整、内容权威的国家标准方法集。本书的出版，不仅为国内半导体材料的研究和生产提供了统一的技术语言和评价标准，也为我国参与国际标准制定，提升国际影响力奠定了坚实基础。 核心内容概览 本书内容详实，覆盖了半导体材料的多个重要方面，主要包括但不限于以下几类标准方法： 1. 半导体晶体材料的标准方法： 晶体生长与制备： 涉及硅、锗、砷化镓、磷化铟等主流半导体晶体材料的生长工艺参数控制、缺陷检测、生长速率测定等标准方法。例如，针对单晶硅衬底，包含坩埚下降法、提拉法等生长过程中的关键参数控制要求，以及晶界、位错、夹杂物等微观缺陷的检测方法。 晶体结构与形貌表征： 涵盖晶体取向测定、晶面倾斜度测量、晶体生长方向分析、晶面指数确定等方法。通过X射线衍射（XRD）、电子背散射衍射（EBSD）等技术，对晶体结构进行精确分析。 表面质量检测： 包含对晶圆表面平整度、粗糙度、划痕、污染物、氧化层厚度等关键指标的检测标准，如干涉显微镜法、原子力显微镜（AFM）法、椭偏仪法等。 杂质含量测定： 针对导电类型、载流子浓度、电阻率、迁移率等电学性能的测定，采用四探针法、霍尔效应法等标准方法。同时，也涵盖了痕量金属杂质、非金属杂质（如氧、碳）的检测方法，如中子活化分析（NAA）、感应耦合等离子体质谱法（ICP-MS）等。 晶体缺陷分析： 关注点缺陷、线缺陷（位错）、面缺陷（晶界、孪晶界）、体缺陷（夹杂物）等的检测与定量分析，常用透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、光学显微镜结合化学腐蚀法等。 2. 半导体薄膜材料的标准方法： 薄膜沉积与制备： 涉及物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）等工艺过程中的关键参数控制，以及薄膜的均匀性、致密性、附着力等方面的评价标准。 薄膜厚度与形貌测量： 包含台阶仪法、干涉显微镜法、AFM、SEM截面观察等多种方法的标准规定，用于精确测量薄膜厚度和表面形貌。 薄膜成分与结构分析： 涵盖X射线光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱（AES）、能量色散X射线光谱（EDX）、X射线衍射（XRD）等技术在薄膜成分、化学态、晶体结构分析中的应用标准。 薄膜电学性能测试： 针对介质薄膜的介电常数、漏电流、击穿电压，导电薄膜的电阻率、迁移率等关键电学参数，制定了相应的检测方法。 薄膜应力与可靠性评估： 涉及薄膜应力的测量方法，以及在热循环、湿热暴露等环境条件下的可靠性测试标准。 3. 化合物半导体材料的标准方法： 特定元素组分分析： 针对GaAs、InP、GaN等化合物半导体，提供精确测定主组元和痕量杂质元素含量的方法，如ICP-MS、原子吸收光谱法（AAS）等。 晶格失配与缺陷分析： 关注外延层与衬底之间的晶格失配度、位错密度、相分离等问题，常用X射线衍射（XRD）、高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）等。 表面形貌与缺陷检测： 涉及原子级光滑的化合物半导体表面形貌的检测，以及点缺陷、位错等对器件性能影响的分析。 光电特性测试： 包含光致发光（PL）、电致发光（EL）等表征方法，用于评估材料的发光效率、峰位、谱宽等。 4. 半导体封装与可靠性相关的材料标准方法： 键合线与焊点的可靠性测试： 涉及拉力测试、剪切测试、扫描声学显微镜（SAM）检测等，用于评估焊点和键合线的机械强度和内部缺陷。 材料界面结合强度测试： 包含剥离强度测试、推拉测试等，用于评价不同材料层之间的结合性能。 封装材料的物理化学性能检测： 针对环氧树脂、陶瓷、金属等封装材料，提供力学性能、热性能、化学稳定性等方面的检测标准。 本书的编排特点 本书按照国家标准（GB）的格式进行编排，每个标准方法均包含： 标准号与名称： 清晰的标识符，便于检索和引用。 适用范围： 明确规定了该标准方法的应用领域和对象。 术语与定义： 对关键术语进行解释，确保理解一致。 检测原理： 简要说明方法的科学基础。 仪器与设备： 列出进行检测所需的关键仪器和设备。 试验方法： 详细描述了检测步骤、操作规程、样品准备要求等。 结果的表示与计算： 规定了数据处理、计算公式以及结果的报告格式。 注意事项： 指出在进行检测过程中需要特别关注的环节和可能出现的问题。 参考文献： 列出相关的前期标准或技术文件，便于追溯。 本书的读者对象 本书适用于： 科研院所的科研人员： 进行半导体材料的基础研究、新材料开发、新工艺探索。 半导体制造企业的工艺工程师、质量工程师： 负责生产过程的质量控制、产品检测、良率提升。 器件设计与失效分析工程师： 评估材料对器件性能的影响，分析产品失效原因。 高等院校相关专业师生： 作为教材、参考书，用于学习半导体材料的表征与检测技术。 第三方检测机构的技术人员： 为半导体材料提供独立的质量检测服务。 行业监管部门及标准化研究机构： 制定、修订和实施相关技术标准。 使用建议 本书内容严谨，操作性强，但具体的实验操作仍需结合实际情况，并严格遵循各标准方法的详细说明。在实际应用中，建议读者： 熟悉基本原理： 充分理解每种检测方法的原理，有助于更好地掌握操作要点和数据分析。 规范操作流程： 严格按照标准方法中的试验步骤进行操作，确保结果的准确性和可比性。 关注细节与注意事项： 留心标准方法中列出的注意事项，避免因疏忽导致实验误差。 交叉比对与综合分析： 对于关键参数，可尝试使用不同的标准方法进行交叉验证，结合多种分析手段，形成对材料更为全面的认识。 关注标准更新： 标准是不断发展的，本书为2014年版，请注意关注后续版本的更新信息。 结语 《半导体材料标准汇编》（2014版）方法标准国标分册，凝聚了我国在半导体材料领域标准化工作的智慧和努力。本书的出版，将有力地推动我国半导体材料研究和产业化水平的提升，为构建完整、先进的半导体产业链提供坚实的技术支撑。我们相信，本书将成为半导体行业从业者不可或缺的参考工具，为推动我国半导体事业的发展贡献力量。

评分☆☆☆☆☆

作为一名专注于薄膜沉积工艺的研发人员，我最常翻阅的是与先进封装材料相关的标准部分，特别是关于热膨胀系数（CTE）测量的国标。这本书详细规定了采用激光热机械分析仪（TMA）时的升温速率、样品夹持的应力大小，以及如何校正基底材料的形变影响，这些细节直接决定了我们所制备的介电层和金属层在热循环后的应力分布是否符合设计预期。我注意到，2014年版本在某些方面已经开始向更先进的材料体系靠拢，虽然可能还没完全覆盖到最新的第三代半导体（如GaN和SiC）的某些特定厚度测量标准，但其对基础的硅基材料和主流金属薄膜的处理方式已经非常成熟和完善。这份汇编的价值在于它是一个“时间锚点”，它固化了当时行业对“合格”的定义。当我们评估新工艺的性能提升时，可以清晰地与这个标准进行对比，量化我们的进步幅度，而不是在一个模糊的“好像更好”的感受中徘徊。它提供的客观量化标准，是技术评审和项目验收的硬性依据。

评分☆☆☆☆☆

说实话，当我拿到这套厚厚的标准汇编时，第一印象是它的“专业门槛”相当高。它绝对不是一本适合初学者入门的读物，更像是资深工程师和质量控制人员的“红宝书”。我主要关注了其中关于光电子材料纯度测试的那几章，特别是对痕量金属杂质的ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法）的标准流程。书里对样品前处理步骤的描述细致到了试剂级别的纯度要求和清洗时间，这直接决定了最终的检测结果能否达到PPT（万亿分之一）级别。我曾经因为一个批次的镓砷衬底在导电性能测试中出现异常波动，追溯源头发现是前处理环节的背景污染问题，如果当时手边有这份标准细则，可能就能少走很多弯路。这本书的价值不在于告诉我们“怎么做”，而在于统一规定了“必须怎么做”，这种强制性的规范性是保证整个产业链上下游产品质量稳定性的基石。当然，对于一些需要快速了解行业概况的新人来说，直接啃这些国标可能会感到枯燥乏味，毕竟它们缺乏案例分析和原理阐述，但对于追求极致工艺控制的我们而言，这些冰冷的数字和流程恰恰是定海神针。

评分☆☆☆☆☆

我个人对这套汇编的排版和索引机制感到非常满意。在需要快速定位特定测试项目时，例如查找关于“SOI（绝缘体上硅）晶圆的键合界面质量评估”的标准时，清晰的章节划分和详尽的附录目录极大地节省了我的时间。以前的行业资料往往是零散的文件散落在各个国家标准网站上，查找和版本比对非常耗神。而现在，所有方法标准都被集中到这一册中，便于管理和版本控制。让我印象深刻的是，在关于半导体材料的机械性能测试（如弯曲强度和抗冲击性）的标准部分，它对测试设备的校准周期和环境温湿度控制的要求写得极其严格。这对于我们在进行可靠性评估时至关重要，因为材料的微观结构特性极易受外部环境影响。这份汇编的出现，标志着我们国家在半导体材料的量化评估体系上又向前迈进了一大步，不再仅仅依赖于引用国际标准，而是有了自己成体系、可操作性强的本土化规范。它为我们提供了一套统一的“语言”，让不同厂商之间的质量对话变得更加高效和可信。

评分☆☆☆☆☆

这部《半导体材料标准汇编（2014版）方法标准 国标分册》的出版，无疑为我们这些常年与半导体产业打交道的人提供了一份珍贵的参考资料。我特地翻阅了其中关于硅晶圆表面形貌检测的部分，发现其对不同测量方法的精度要求和操作规范描述得极其详尽。例如，在原子力显微镜（AFM）的测量环节，它不仅给出了不同扫描模式下的参数建议，还特别强调了探针尖端状态对结果一致性的影响，这对于我们进行高精度表面粗糙度分析至关重要。以前，我们团队在跨实验室比对数据时，总会因为对“有效测量面积”和“数据平均化处理”理解不一而产生偏差，但这本书中的标准流程清晰地统一了这些操作细节，极大地提升了我们数据发布的可靠性。尤其值得称赞的是，对于一些新兴的缺陷检测技术，比如电学缺陷成像（OBIRCH），虽然国标的更新速度常常跟不上技术迭代，但编者们在注释部分引用了最新的国际建议，使得这本2014年的汇编在实际应用中仍然保持了相当的前瞻性。这套书的装帧也很有分量，厚实且不易磨损，看来是准备长期作为案头必备工具书来使用的，毕竟标准这种东西，查阅的频率远高于通读。

评分☆☆☆☆☆

从成本效益的角度来看，这套《半导体材料标准汇编》绝对是物超所值的投资。如果把各个分册的国标单独购买或从其他渠道获取，时间和精力成本会高得多。更何况，这个“方法标准国标分册”汇集了数百项测试方法的规范，涵盖了从原材料纯度到最终器件性能评估的完整链条。我特别喜欢其中对统计学处理方法的应用说明，比如在进行良率分析时，如何正确地应用最小二乘法或特定分布模型的拟合标准。这使得原本偏向于实验操作的章节，上升到了更科学的质量管理层面。它不仅仅是一本技术手册，更像是一部指导我们如何进行严谨科学实践的教科书。虽然部分涉及到电学性能的标准可能在后续的更新中会更加细化，但就2014年当时的技术成熟度而言，它提供了一个极为稳固和可信赖的操作基准。对于任何希望在半导体制造领域建立可追溯、高可靠性流程的企业来说，这本书是不可或缺的内部培训和操作规范的源文件。