半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

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齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677523

商品編碼：29698837537

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齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名:半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊

定價：230.00元

售價：156.4元,便宜73.6元,摺扣68

作者:全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

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版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

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編輯推薦

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內容提要

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半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

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GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶嚮測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷麵夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎麯度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹麯度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片錶麵平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片錶麵質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外乾涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑嚮電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考麵長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考麵結晶學取嚮X射綫測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑嚮變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片錶麵顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光緻發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片錶麵Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射綫衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片錶麵的有機汙染物
GB/T 24578-2009 矽片錶麵金屬沾汙的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽錶麵金屬汙染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾汙的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦閤等離子質譜儀測定多晶矽錶麵金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子復閤壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化閤物半導體拋光晶片亞錶麵損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、锡、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦錶麵的錶麵粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料錶麵金屬雜質含量的電感耦閤等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹麯度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片錶麵粗糙度及切割綫痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法

作者介紹

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文摘

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序言

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《半導體材料標準匯編》（2014版）方法標準 國標分冊 內容簡介 本分冊精選瞭2014年版《半導體材料標準匯編》中的全部國傢標準方法，旨在為半導體材料的研發、生産、質量控製及應用提供權威、全麵的技術依據。作為匯編係列中的重要組成部分，本書重點聚焦於半導體材料的檢測、錶徵與分析方法，涵蓋瞭從基礎材料到特定應用器件的廣泛領域，力求為廣大從事半導體行業的科研人員、工程師、技術人員以及相關管理部門提供一本不可或缺的工具書。 本書的價值與定位 在信息技術日新月異的今天，半導體産業作為核心驅動力，其發展水平直接影響著國傢科技實力和經濟競爭力。而半導體材料的性能、質量和可靠性，則是決定半導體器件性能和集成電路整體水平的關鍵。因此，一套科學、嚴謹、統一的材料標準，對於保障半導體産業的健康發展至關重要。 《半導體材料標準匯編》（2014版）方法標準國標分冊，正是順應這一時代需求而生。它匯集瞭我國在半導體材料領域多年來沉澱的科研成果和行業共識，將大量分散、零散的標準方法進行係統化、規範化整理，形成瞭一部體係完整、內容權威的國傢標準方法集。本書的齣版，不僅為國內半導體材料的研究和生産提供瞭統一的技術語言和評價標準，也為我國參與國際標準製定，提升國際影響力奠定瞭堅實基礎。 核心內容概覽 本書內容詳實，覆蓋瞭半導體材料的多個重要方麵，主要包括但不限於以下幾類標準方法： 1. 半導體晶體材料的標準方法： 晶體生長與製備： 涉及矽、鍺、砷化鎵、磷化銦等主流半導體晶體材料的生長工藝參數控製、缺陷檢測、生長速率測定等標準方法。例如，針對單晶矽襯底，包含坩堝下降法、提拉法等生長過程中的關鍵參數控製要求，以及晶界、位錯、夾雜物等微觀缺陷的檢測方法。 晶體結構與形貌錶徵： 涵蓋晶體取嚮測定、晶麵傾斜度測量、晶體生長方嚮分析、晶麵指數確定等方法。通過X射綫衍射（XRD）、電子背散射衍射（EBSD）等技術，對晶體結構進行精確分析。 錶麵質量檢測： 包含對晶圓錶麵平整度、粗糙度、劃痕、汙染物、氧化層厚度等關鍵指標的檢測標準，如乾涉顯微鏡法、原子力顯微鏡（AFM）法、橢偏儀法等。 雜質含量測定： 針對導電類型、載流子濃度、電阻率、遷移率等電學性能的測定，采用四探針法、霍爾效應法等標準方法。同時，也涵蓋瞭痕量金屬雜質、非金屬雜質（如氧、碳）的檢測方法，如中子活化分析（NAA）、感應耦閤等離子體質譜法（ICP-MS）等。 晶體缺陷分析： 關注點缺陷、綫缺陷（位錯）、麵缺陷（晶界、孿晶界）、體缺陷（夾雜物）等的檢測與定量分析，常用透射電子顯微鏡（TEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）、光學顯微鏡結閤化學腐蝕法等。 2. 半導體薄膜材料的標準方法： 薄膜沉積與製備： 涉及物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）等工藝過程中的關鍵參數控製，以及薄膜的均勻性、緻密性、附著力等方麵的評價標準。 薄膜厚度與形貌測量： 包含颱階儀法、乾涉顯微鏡法、AFM、SEM截麵觀察等多種方法的標準規定，用於精確測量薄膜厚度和錶麵形貌。 薄膜成分與結構分析： 涵蓋X射綫光電子能譜（XPS）、俄歇電子能譜（AES）、能量色散X射綫光譜（EDX）、X射綫衍射（XRD）等技術在薄膜成分、化學態、晶體結構分析中的應用標準。 薄膜電學性能測試： 針對介質薄膜的介電常數、漏電流、擊穿電壓，導電薄膜的電阻率、遷移率等關鍵電學參數，製定瞭相應的檢測方法。 薄膜應力與可靠性評估： 涉及薄膜應力的測量方法，以及在熱循環、濕熱暴露等環境條件下的可靠性測試標準。 3. 化閤物半導體材料的標準方法： 特定元素組分分析： 針對GaAs、InP、GaN等化閤物半導體，提供精確測定主組元和痕量雜質元素含量的方法，如ICP-MS、原子吸收光譜法（AAS）等。 晶格失配與缺陷分析： 關注外延層與襯底之間的晶格失配度、位錯密度、相分離等問題，常用X射綫衍射（XRD）、高分辨率透射電子顯微鏡（HRTEM）等。 錶麵形貌與缺陷檢測： 涉及原子級光滑的化閤物半導體錶麵形貌的檢測，以及點缺陷、位錯等對器件性能影響的分析。 光電特性測試： 包含光緻發光（PL）、電緻發光（EL）等錶徵方法，用於評估材料的發光效率、峰位、譜寬等。 4. 半導體封裝與可靠性相關的材料標準方法： 鍵閤綫與焊點的可靠性測試： 涉及拉力測試、剪切測試、掃描聲學顯微鏡（SAM）檢測等，用於評估焊點和鍵閤綫的機械強度和內部缺陷。 材料界麵結閤強度測試： 包含剝離強度測試、推拉測試等，用於評價不同材料層之間的結閤性能。 封裝材料的物理化學性能檢測： 針對環氧樹脂、陶瓷、金屬等封裝材料，提供力學性能、熱性能、化學穩定性等方麵的檢測標準。 本書的編排特點 本書按照國傢標準（GB）的格式進行編排，每個標準方法均包含： 標準號與名稱： 清晰的標識符，便於檢索和引用。 適用範圍： 明確規定瞭該標準方法的應用領域和對象。 術語與定義： 對關鍵術語進行解釋，確保理解一緻。 檢測原理： 簡要說明方法的科學基礎。 儀器與設備： 列齣進行檢測所需的關鍵儀器和設備。 試驗方法： 詳細描述瞭檢測步驟、操作規程、樣品準備要求等。 結果的錶示與計算： 規定瞭數據處理、計算公式以及結果的報告格式。 注意事項： 指齣在進行檢測過程中需要特彆關注的環節和可能齣現的問題。 參考文獻： 列齣相關的前期標準或技術文件，便於追溯。 本書的讀者對象 本書適用於： 科研院所的科研人員： 進行半導體材料的基礎研究、新材料開發、新工藝探索。 半導體製造企業的工藝工程師、質量工程師： 負責生産過程的質量控製、産品檢測、良率提升。 器件設計與失效分析工程師： 評估材料對器件性能的影響，分析産品失效原因。 高等院校相關專業師生： 作為教材、參考書，用於學習半導體材料的錶徵與檢測技術。 第三方檢測機構的技術人員： 為半導體材料提供獨立的質量檢測服務。 行業監管部門及標準化研究機構： 製定、修訂和實施相關技術標準。 使用建議 本書內容嚴謹，操作性強，但具體的實驗操作仍需結閤實際情況，並嚴格遵循各標準方法的詳細說明。在實際應用中，建議讀者： 熟悉基本原理： 充分理解每種檢測方法的原理，有助於更好地掌握操作要點和數據分析。 規範操作流程： 嚴格按照標準方法中的試驗步驟進行操作，確保結果的準確性和可比性。 關注細節與注意事項： 留心標準方法中列齣的注意事項，避免因疏忽導緻實驗誤差。 交叉比對與綜閤分析： 對於關鍵參數，可嘗試使用不同的標準方法進行交叉驗證，結閤多種分析手段，形成對材料更為全麵的認識。 關注標準更新： 標準是不斷發展的，本書為2014年版，請注意關注後續版本的更新信息。 結語 《半導體材料標準匯編》（2014版）方法標準國標分冊，凝聚瞭我國在半導體材料領域標準化工作的智慧和努力。本書的齣版，將有力地推動我國半導體材料研究和産業化水平的提升，為構建完整、先進的半導體産業鏈提供堅實的技術支撐。我們相信，本書將成為半導體行業從業者不可或缺的參考工具，為推動我國半導體事業的發展貢獻力量。

評分☆☆☆☆☆

從成本效益的角度來看，這套《半導體材料標準匯編》絕對是物超所值的投資。如果把各個分冊的國標單獨購買或從其他渠道獲取，時間和精力成本會高得多。更何況，這個“方法標準國標分冊”匯集瞭數百項測試方法的規範，涵蓋瞭從原材料純度到最終器件性能評估的完整鏈條。我特彆喜歡其中對統計學處理方法的應用說明，比如在進行良率分析時，如何正確地應用最小二乘法或特定分布模型的擬閤標準。這使得原本偏嚮於實驗操作的章節，上升到瞭更科學的質量管理層麵。它不僅僅是一本技術手冊，更像是一部指導我們如何進行嚴謹科學實踐的教科書。雖然部分涉及到電學性能的標準可能在後續的更新中會更加細化，但就2014年當時的技術成熟度而言，它提供瞭一個極為穩固和可信賴的操作基準。對於任何希望在半導體製造領域建立可追溯、高可靠性流程的企業來說，這本書是不可或缺的內部培訓和操作規範的源文件。

評分☆☆☆☆☆

作為一名專注於薄膜沉積工藝的研發人員，我最常翻閱的是與先進封裝材料相關的標準部分，特彆是關於熱膨脹係數（CTE）測量的國標。這本書詳細規定瞭采用激光熱機械分析儀（TMA）時的升溫速率、樣品夾持的應力大小，以及如何校正基底材料的形變影響，這些細節直接決定瞭我們所製備的介電層和金屬層在熱循環後的應力分布是否符閤設計預期。我注意到，2014年版本在某些方麵已經開始嚮更先進的材料體係靠攏，雖然可能還沒完全覆蓋到最新的第三代半導體（如GaN和SiC）的某些特定厚度測量標準，但其對基礎的矽基材料和主流金屬薄膜的處理方式已經非常成熟和完善。這份匯編的價值在於它是一個“時間錨點”，它固化瞭當時行業對“閤格”的定義。當我們評估新工藝的性能提升時，可以清晰地與這個標準進行對比，量化我們的進步幅度，而不是在一個模糊的“好像更好”的感受中徘徊。它提供的客觀量化標準，是技術評審和項目驗收的硬性依據。

評分☆☆☆☆☆

我個人對這套匯編的排版和索引機製感到非常滿意。在需要快速定位特定測試項目時，例如查找關於“SOI（絕緣體上矽）晶圓的鍵閤界麵質量評估”的標準時，清晰的章節劃分和詳盡的附錄目錄極大地節省瞭我的時間。以前的行業資料往往是零散的文件散落在各個國傢標準網站上，查找和版本比對非常耗神。而現在，所有方法標準都被集中到這一冊中，便於管理和版本控製。讓我印象深刻的是，在關於半導體材料的機械性能測試（如彎麯強度和抗衝擊性）的標準部分，它對測試設備的校準周期和環境溫濕度控製的要求寫得極其嚴格。這對於我們在進行可靠性評估時至關重要，因為材料的微觀結構特性極易受外部環境影響。這份匯編的齣現，標誌著我們國傢在半導體材料的量化評估體係上又嚮前邁進瞭一大步，不再僅僅依賴於引用國際標準，而是有瞭自己成體係、可操作性強的本土化規範。它為我們提供瞭一套統一的“語言”，讓不同廠商之間的質量對話變得更加高效和可信。

評分☆☆☆☆☆

說實話，當我拿到這套厚厚的標準匯編時，第一印象是它的“專業門檻”相當高。它絕對不是一本適閤初學者入門的讀物，更像是資深工程師和質量控製人員的“紅寶書”。我主要關注瞭其中關於光電子材料純度測試的那幾章，特彆是對痕量金屬雜質的ICP-MS（電感耦閤等離子體質譜法）的標準流程。書裏對樣品前處理步驟的描述細緻到瞭試劑級彆的純度要求和清洗時間，這直接決定瞭最終的檢測結果能否達到PPT（萬億分之一）級彆。我曾經因為一個批次的鎵砷襯底在導電性能測試中齣現異常波動，追溯源頭發現是前處理環節的背景汙染問題，如果當時手邊有這份標準細則，可能就能少走很多彎路。這本書的價值不在於告訴我們“怎麼做”，而在於統一規定瞭“必須怎麼做”，這種強製性的規範性是保證整個産業鏈上下遊産品質量穩定性的基石。當然，對於一些需要快速瞭解行業概況的新人來說，直接啃這些國標可能會感到枯燥乏味，畢竟它們缺乏案例分析和原理闡述，但對於追求極緻工藝控製的我們而言，這些冰冷的數字和流程恰恰是定海神針。

評分☆☆☆☆☆

這部《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 國標分冊》的齣版，無疑為我們這些常年與半導體産業打交道的人提供瞭一份珍貴的參考資料。我特地翻閱瞭其中關於矽晶圓錶麵形貌檢測的部分，發現其對不同測量方法的精度要求和操作規範描述得極其詳盡。例如，在原子力顯微鏡（AFM）的測量環節，它不僅給齣瞭不同掃描模式下的參數建議，還特彆強調瞭探針尖端狀態對結果一緻性的影響，這對於我們進行高精度錶麵粗糙度分析至關重要。以前，我們團隊在跨實驗室比對數據時，總會因為對“有效測量麵積”和“數據平均化處理”理解不一而産生偏差，但這本書中的標準流程清晰地統一瞭這些操作細節，極大地提升瞭我們數據發布的可靠性。尤其值得稱贊的是，對於一些新興的缺陷檢測技術，比如電學缺陷成像（OBIRCH），雖然國標的更新速度常常跟不上技術迭代，但編者們在注釋部分引用瞭最新的國際建議，使得這本2014年的匯編在實際應用中仍然保持瞭相當的前瞻性。這套書的裝幀也很有分量，厚實且不易磨損，看來是準備長期作為案頭必備工具書來使用的，畢竟標準這種東西，查閱的頻率遠高於通讀。