第1章 集成电路简介
1.1 概述2
1.1.1 从分立元件到集成电路2
1.1.2 由硅圆片到芯片再到封装4
1.1.3 三极管的功能——可以比作通过水闸的水路6
1.1.4 n沟道MOS（nMOS）三极管的工作原理 8
1.1.5 截止状态下MOS器件中的泄漏电流10
1.2 半导体硅材料——集成电路的核心与基础12
1.2.1 MOS型与双极结型晶体管的比较12
1.2.2 CMOS构造的断面模式图（p型硅基板）14
1.2.3 快闪存储器单元三极管“写入”“擦除”“读取”的工作原理16
1.3 集成电路元件的分类18
1.3.1 IC的功能及类型18
1.3.2 RAM和ROM20
1.3.3 半导体器件的分类方法22
1.4 半导体器件的制作工艺流程24
1.4.1 前道工艺和后道工艺24
1.4.2 IC芯片制造工艺流程简介26
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集成电路发展史上的十大里程碑事件28
第2章 从硅石到晶圆
2.1 半导体硅材料36
2.1.1 硅是目前最重要的半导体材料36
2.1.2 单晶硅中的晶体缺陷38
2.1.3 pn结中杂质的能级40
2.1.4 按电阻对绝缘体、半导体、导体的分类42
2.2 从硅石到金属硅，再到99.999999999%的高纯硅44
2.2.1 从晶石原料到半导体元器件的制程44
2.2.2 从硅石还原为金属硅46
2.2.3 多晶硅的析出和生长48
2.3 从多晶硅到单晶硅棒50
2.3.1 改良西门子法生产多晶硅 50
2.3.2 直拉法（Czochralski，CZ法）拉制单晶硅52
2.3.3 区熔法制作单晶硅54
2.3.4 直拉法中位错产生的原因及消除措施56
2.4 从单晶硅到晶圆58
2.4.1 晶圆尺寸不断扩大 58
2.4.2 先要进行取向标志的加工60
2.4.3 将硅坯切割成一片一片的硅圆片62
2.4.4 硅圆片有各种不同的类型64
2.5 抛光片、退火片、外延片、SOI片66
2.5.1 抛光片和退火片66
2.5.2 外延片68
2.5.3 SOI片70
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“硅是上帝赐予人类的宝物”72
第3章 集成电路制作工艺流程
3.1 集成电路逻辑LSI元件的结构74
3.1.1 双极结型器件的结构74
3.1.2 硅栅MOS器件的结构76
3.1.3 硅栅CMOS器件的结构78
3.1.4 BiCMOS器件和SOI器件的结构80
3.2 LSI的制作工艺流程82
3.2.1 利用光刻形成接触孔和布线层的实例82
3.2.2 曝光，显影84
3.2.3 光刻工程发展梗概86
3.2.4 “负型”和“正型”光刻胶感光反应原理88
3.2.5 光刻工艺流程90
3.2.6 硅圆片清洗、氧化、绝缘膜生长——光刻92
3.2.7 绝缘膜区域刻蚀——栅氧化膜的形成94
3.2.8 栅电极多晶硅生长——向n沟道源-漏的离子注入96
3.2.9 向p沟道的光刻、硼离子注入——欧姆接触埋置98
3.2.10 第1层金属膜生长——电极焊盘形成100
3.2.11 铜布线的大马士革工艺 102
3.2.12 如何发展我们的IC芯片制造产业104
3.3 IC芯片制造工艺的分类和组合106
3.3.1 IC芯片制造中的基本工艺 106
3.3.2 IC芯片制造中的复合工艺108
3.3.3 工艺过程的模块化110
3.3.4 基板工艺和布线工艺112
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世界集成电路产业发展的领军人物114
第4章 薄膜沉积和图形加工
4.1 DRAM元件和LSI元件中使用的各种薄膜120
4.1.1 元件结构及使用的各种薄膜120
4.1.2 DRAM中电容结构的变迁122
4.1.3 DRAM中的三维结构存储单元124
4.1.4 薄膜材料在集成电路中的应用126
4.2 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（1）——PVD法128
4.2.1 VLSI制作中应用不同种类的薄膜128
4.2.2 多晶硅薄膜在集成电路中的应用130
4.2.3 IC制程中常用的金属132
4.2.4 真空蒸镀134
4.2.5 离子溅射和溅射镀膜136
4.3 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（2）——CVD法138
4.3.1 用于VLSI制作的CVD法分类138
4.3.2 CVD中主要的反应装置140
4.3.3 等离子体CVD（PCVD）过程中传输、 反应和成膜的过程142
4.3.4 晶圆流程中的各种处理室方式144
4.4 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（3）——各种方法的比较146
4.4.1 各种成膜方法的比较146
4.4.2 热氧化膜的形成方法148
4.4.3 热氧化膜的形成过程150
4.4.4 用于VLSI的薄膜种类和制作方法 152
4.4.5 用于VLSI制作的CVD法154
4.5 布线缺陷的改进和消除——Cu布线代替Al布线156
4.5.1 影响电子元器件寿命的大敌——电迁移156
4.5.2 断线和电路缺陷的形成原因以及预防、修补措施158
4.5.3 Cu布线代替Al布线的理由160
4.5.4 用电镀法即可制作Cu布线162
4.5.5 铝用于IC芯片的优缺点 164
4.6 曝光光源不断向短波长进展166
4.6.1 如何由薄膜加工成图形166
4.6.2 几种常用的光曝光方法168
4.6.3 光刻对周边技术的要求170
4.6.4 曝光波长的变迁及相关的技术保证172
4.6.5 光刻系统的发展及展望174
4.7 光学曝光技术176
4.7.1 图形曝光装置的分类及变迁176
4.7.2 光曝光方式178
4.7.3 近接曝光和缩小投影曝光180
4.7.4 曝光中的各种位相补偿措施182
4.8 电子束曝光和离子束曝光技术184
4.8.1 电子束曝光技术184
4.8.2 低能电子束近接曝光（LEEPL）技术186
4.8.3 软X射线缩小投影(EUV)曝光技术188
4.8.4 离子束曝光技术190
4.9 干法刻蚀替代湿法刻蚀192
4.9.1 刻蚀技术在VLSI制作中的应用192
4.9.2 干法刻蚀与湿法刻蚀的比较194
4.9.3 干法刻蚀装置的种类及刻蚀特征196
4.9.4 干法刻蚀（RIE模式）反应中所发生的现象198
4.9.5 高密度等离子体刻蚀装置200
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世界芯片产业的十大领头企业202
第5章 杂质掺杂——热扩散和离子注入
5.1 集成电路制造中的热处理工艺208
5.1.1 IC芯片制程中的热处理工艺（Hot Process）208
5.1.2 热氧化膜的形成技术210
5.1.3 至关重要的栅绝缘膜212
5.2 用于杂质掺杂的热扩散工艺214
5.2.1 LSI制作中杂质导入的目的214
5.2.2 杂质掺杂中离子注入法与热扩散法的比较216
5.2.3 求解热扩散杂质的浓度分布218
5.2.4 热处理的目的——推进，平坦化，电气活性化220
5.2.5 硅中杂质元素的行为222
5.3 精准的杂质掺杂技术（1）——离子注入的原理224
5.3.1 离子注入原理224
5.3.2 离子注入装置226
5.3.3 低能离子注入和高速退火228
5.3.4 离子注入的浓度分布230
5.4 精准的杂质掺杂技术（2）——离子注入的应用232
5.4.1 标准的MOS三极管中离子注入的部位232
5.4.2 基本的阱构造及倒梯度阱构造234
5.4.3 单阱形成236
5.4.4 双阱形成238
5.4.5 离子注入在CMOS中的应用240
5.4.6 离子注入用于浅结形成242
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“核心技术是国之重器”244
第6章 摩尔定律能否继续有效
6.1 多层化布线已进入第4代246
6.1.1 多层化布线——适应微细化和高集成度的要求246
6.1.2 第1代和第2代多层化布线技术——逐层沉积和玻璃流平248
6.1.3 第3代多层化布线技术——导入CMP250
6.1.4 第4代多层化布线技术——导入大马士革工艺252
6.2 铜布线的单大马士革和双大马士革工艺254
6.2.1 Cu大马士革布线逐渐代替Al布线254
6.2.2 大马士革工艺即中国的景泰蓝金属镶嵌工艺256
6.2.3 从Al布线+W柱塞到Cu双大马士革布线258
6.2.4 Cu双大马士革布线结构及可能出现的问题260
6.3 摩尔定律能否继续有效？262
6.3.1 半导体器件向巨大化和微细化发展的两个趋势262
6.3.2 芯片集成度不断沿摩尔定律轨迹前进264
6.3.3 “摩尔定律并非物理学定律”,“而是描述产业化的定律” 266
6.3.4 “踮起脚来，跳起来摘苹果”268
6.4 新材料的导入——“制造材料者制造技术”270
6.4.1 多层布线层间膜，DRAM电容膜，Cu布线材料270
6.4.2 硅材料体系仍有潜力（1）272
6.4.3 硅材料体系仍有潜力（2）274
6.4.4 化合物半导体焕发活力276
6.5 如何实现器件的高性能？278
6.5.1 整机对器件的高性能化要求越来越高278
6.5.2 器件的高性能化依赖于新工艺、新材料280
6.5.3 要同时从基板工艺和布线工艺入手282
6.6 从100nm到7nm——以材料和工艺的创新为支撑284
6.6.1 纯硅基MOS管和多晶硅/high-k基MOS管284
6.6.2 金属栅/high-k基MOS管和鳍式场效应晶体管（FinFET）286
6.6.3 90nm——应变硅288
6.6.4 45nm——high-k绝缘层和金属栅极290
6.6.5 22nm——鳍式场效应晶体管292
6.6.6 7nm —— EUV 光刻和 SiGe-Channel294
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集聚最强的力量打好核心技术研发攻坚战296
参考文献297
作者简介298
· · · · · · (收起)