| 商品基本信息,请以下列介绍为准 | |
| 商品名称: | 半导体物理与器件 |
| 作者: | 吕淑媛,刘崇琪,罗文峰编著 |
| 定价: | 26.0 |
| 出版社: | 西安电子科技大学出版社 |
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| ISBN: | 9787560643922 |
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| 开本: | 16开 |
| 内容简介 | |
| 本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书共8章,内容包括晶体中的电子运动状态、平衡半导体中的载流子浓度、载流子的输运、过剩载流子、PN结、金属半导体接触和异质结、MOS结构及MOSFET器件、半导体中的光器件。 |
作为一名对半导体技术抱有浓厚兴趣的普通读者,我在这本书中找到了极大的满足感。它以一种非常系统的方式,将半导体物理的复杂世界展现在我面前。我尤其被书中对“半导体材料的能带结构”的详尽解析所吸引。作者并非简单地给出能带图,而是从晶格振动、电子波函数的周期性等更基础的物理概念出发,一步步构建起能带的概念,并清晰地解释了绝缘体、半导体和导体的区别。这种层层剥茧的讲解方式,让我对这些概念有了扎实的理解。书中对于“pn结的形成机理”的描述也让我印象深刻,通过对扩散电流和漂移电流的细致分析,我终于明白了二极管是如何工作的。此外,书中的一些图表设计得也非常巧妙,能够直观地展示各种物理量的变化趋势,让我能够快速抓住问题的核心。尽管有些章节涉及复杂的数学推导,但作者总能用通俗易懂的语言进行补充说明,让我能够克服畏难情绪,继续前进。
评分这是一本让我爱不释手,甚至是拿到手就迫不及待地想要深入挖掘的学术著作。我一直对微观世界的奇妙运行法则充满好奇,而半导体作为现代科技的基石,其背后的物理原理更是让我着迷。这本书在这一点上做得非常出色,它没有停留在泛泛而谈的层面,而是深入到每一个关键的物理现象背后,用严谨的数学推导和精妙的实验验证来支撑。我尤其欣赏作者在讲解“电子和空穴的输运”时所采用的层次分明的方式,从经典模型到量子力学描述,逐步深入,丝丝入扣,让我在理解这些抽象概念时,能够感受到一种智力上的愉悦。书中的公式推导虽然不少,但作者总是会给出清晰的步骤和详尽的解释,让我不会因为数学的障碍而止步不前。更让我惊喜的是,书中还穿插了一些历史发展的回顾,介绍了一些重要发现的来龙去脉,这不仅增加了阅读的趣味性,也让我对半导体器件的演进有了更深刻的认识。这种将理论与历史结合的方式,让这本书不仅仅是一本技术手册,更像是一部关于人类智慧探索微观世界的史诗。
评分我发现这本书在解释半导体器件的物理机制时,有着非常独特且深入的视角。它不仅仅罗列公式和结论,更注重引导读者去思考“为什么”。例如,在讲解“MOSFET”的工作原理时,作者没有直接给出现象,而是从电场效应的本质出发,层层递进,直至构建起完整的器件模型。这种“追根溯源”的教学方式,极大地提升了我对半导体器件的理解深度,让我能够触类旁通,举一反三。书中对于“掺杂”和“载流子浓度”的讨论,也让我对半导体材料的特性有了更清晰的认识,理解了为什么不同的掺杂方式会带来截然不同的电学性质。我特别喜欢书中对“隧穿效应”和“量子限制”的阐述,虽然这两个概念在初次接触时显得有些抽象,但作者通过形象的比喻和巧妙的图示,将这些高深的量子物理现象解释得生动形象,让我仿佛亲眼看到了电子在微观世界里的奇幻舞蹈。这本书的逻辑结构设计得也非常合理,各个章节之间紧密相连,形成了一个完整的知识体系,让人读起来顺畅无比。
评分这本书的封面设计相当朴实,没有花哨的插图,只有简洁的书名和作者信息。拿到手里,它的分量感也恰到好处,既不会过于沉重,又显得内容翔实。初翻几页,我就被那种严谨的学术风格所吸引。虽然我不是这个领域的专家,但作者的语言逻辑清晰,概念的引入循序渐进,仿佛在娓娓道来一个复杂的故事。我特别喜欢书中对于一些基本概念的解释,比如“能带理论”和“空穴”的描述,没有使用过于晦涩的术语,而是通过类比和图示,让即使是初学者也能窥见其精髓。书中的插图也十分精美,线条流畅,比例准确,为理解抽象的物理模型提供了极大的帮助。我曾经尝试过阅读一些同类书籍,但往往因为术语过多,概念跳跃而感到沮丧。然而,这本书却让我看到了希望,它似乎在有意地降低读者的阅读门槛,引导读者一步步深入。虽然我还没有完全读懂所有内容,但仅凭目前的阅读体验,我已经对它充满了期待,相信它会成为我探索半导体世界的得力助手。我尤其对书中关于“pn结”的讲解部分感到好奇,不知道作者会如何将其与更复杂的半导体器件联系起来。
评分这本书在阐述半导体器件的性能指标时,采用了非常严谨和科学的态度。我特别注意到书中关于“载流子迁移率”和“复合率”的讨论,这些参数虽然看似枯燥,但却是决定器件性能的关键因素。作者通过详细的物理模型,阐述了影响这些参数的各种因素,例如晶格散射、杂质散射以及表面散射等,让我对这些概念有了更深入的理解。书中在讲解“二极管的伏安特性曲线”时,不仅仅给出了曲线,还详细分析了不同工作区域的物理意义,以及温度、掺杂浓度等因素对曲线形状的影响。这种深入浅出的分析方式,让我对二极管的实际应用有了更清晰的认识。我尤其喜欢书中对于“场效应晶体管”的讲解,作者从电场作用于半导体材料的本质出发,一步步推导出栅极电压对沟道电导的控制机制。这种从本质出发的讲解方式,让我对半导体器件的工作原理有了更深刻的领悟,也让我对这个领域产生了更浓厚的兴趣。
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