9787030215819 贴片式电子元件 科学出版社 梁瑞林 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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梁瑞林 著

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出版社： 科学出版社

ISBN：9787030215819

商品编码：29561339781

包装：平装

出版时间：2008-05-01

基本信息

书名：贴片式电子元件

定价：25.00元

作者：梁瑞林

出版社：科学出版社

出版日期：2008-05-01

ISBN：9787030215819

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：大32开

商品重量：0.259kg

编辑推荐

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内容提要

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本书是“表面组装与贴片式元器件技术”丛书之一。主要介绍贴片式电阻器、贴片式电容器、贴片式电感器、其他贴片式电子元件以及贴片式电子元件研究课题与展望。在内容上，力图尽可能地向读者传递国际上先进的贴片式电子元件方面的前沿知识，而避免冗长的理论探讨。
本书可作为电子电路、电子材料与元器件、电子科学与技术、通信技术、电子工程、自动控制、计算机工程等领域的工程技术人员以及科研单位研究人员的参考书，也可以作为大专院校学生、研究生的辅助教材。

目录

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作者介绍

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文摘

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序言

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《微电子器件物理与工艺》 一、本书概述 《微电子器件物理与工艺》是一本系统阐述半导体微电子器件基本物理原理、制造工艺流程以及相关理论知识的专业教材。本书旨在为读者构建一个扎实的微电子学基础，使其能够深入理解现代集成电路的核心组成部分——半导体器件的形成机制、工作特性以及其在信息技术领域的关键作用。本书内容覆盖了从基础的半导体材料特性到复杂的器件结构与制造工艺，理论与实践相结合，注重概念的清晰阐述和原理的深入分析，力求使读者在掌握理论知识的同时，也能对其在实际工程中的应用有所体会。 二、内容详述 第一章 半导体基础 本章将深入剖析半导体材料的物理特性，为后续器件的理解奠定基础。我们将从晶体结构入手，介绍硅、锗等常见半导体材料的原子排列方式及其对电子行为的影响。重点阐述能带理论，包括导带、价带、禁带宽度以及载流子（电子和空穴）的概念，并解释这些概念如何决定半导体的导电性能。 接下来，我们将详细介绍本征半导体的导电机制，包括热激发产生的电子-空穴对。随后，将深入讲解掺杂的概念，包括N型和P型半导体的形成，掺杂剂的种类、掺杂浓度对载流子浓度的影响，以及费米能级的概念及其在不同掺杂浓度下的变化。最后，将讨论非平衡载流子产生与复合过程，包括光生载流子和瞬态载流子的行为，以及电子-空穴复合的不同机制（辐射复合、俄歇复合、陷阱辅助复合等）。 第二章 PN结 PN结是构成几乎所有半导体器件的基本单元。本章将详细分析PN结的形成过程、能带结构以及其静态和动态特性。 首先，我们将从PN结的形成讲起，包括掺杂过程、扩散和迁移过程，以及由此产生的内建电场和空间电荷区。我们将深入分析PN结的平衡状态，包括载流子浓度分布、电势分布和电场分布。 接着，我们将详细阐述PN结在外加电场作用下的行为。重点讲解正向偏置 PN 结的导电机制，包括载流子注入、扩散和重组过程，以及正向伏安特性的指数关系。对于反向偏置 PN 结，我们将分析其截止特性、反向漏电流的产生机制（包括本征载流子产生和表面漏电），以及击穿现象（包括齐纳击穿和雪崩击穿）。 此外，本章还将讨论PN结的动态特性，包括结电容（扩散电容和结电容），以及其在高频应用中的重要性。还将介绍PN结在整流、开关等基本应用中的原理。 第三章 双极型晶体管（BJT） 双极型晶体管（BJT）作为一种重要的电流控制型器件，是实现信号放大和开关功能的基础。本章将深入解析BJT的工作原理、结构特性以及其在电路中的应用。 我们将详细介绍BJT的结构，包括NPN型和PNP型晶体管，以及基区、发射区和集电区的掺杂以及尺寸控制。重点阐述BJT在放大状态下的工作原理，包括基区掺杂浓度、厚度以及发射结正偏、集电结反偏对电流增益（β）和早期效应的影响。 本章还将分析BJT的各种工作区域：放大区、饱和区和截止区，并讨论其在不同模式下的电流电压特性。我们将讲解BJT的输入输出特性曲线，以及其在电流放大、电压放大等应用中的作用。 此外，还将涉及BJT的开关特性，包括导通和截止时间，以及其在数字电路中的应用。最后，将简要介绍BJT的载流子输运机制，包括扩散和漂移，以及其在高频下的频率响应。 第四章 场效应晶体管（FET） 场效应晶体管（FET）是当今集成电路中最主要的器件类型之一，其电压控制的特性使其在数字和模拟电路中应用广泛。本章将全面介绍不同类型的FET，包括结型场效应晶体管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。 4.1 结型场效应晶体管（JFET） 本节将详细介绍JFET的结构和工作原理。我们将讲解P沟道和N沟道JFET的形成，以及栅极电压如何通过改变耗尽层的宽度来控制沟道的导电性。重点分析JFET的跨导特性，以及其输出特性曲线。 4.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） MOSFET是现代集成电路的核心，本节将对其进行深入的讲解。我们将区分增强型和耗尽型MOSFET，并着重分析MOSFET的结构，包括源极、漏极、栅极以及栅氧化层。 重点阐述MOSFET的工作原理，包括阈值电压的概念，以及栅极电压如何通过产生或消除反型层来控制沟道的导电性。我们将详细分析MOSFET的输出特性曲线（Ids-Vds）和转移特性曲线（Ids-Vgs），以及其在不同工作模式（线性区、饱和区）下的电流表达式。 本章还将深入探讨MOSFET的关键参数，如跨导（gm）、输出电阻（rds）、阈值电压（Vt）的温度依赖性，以及沟道长度调制效应。同时，还将介绍MOSFET的结电容，及其在高频应用中的影响。 第五章 微电子器件的制造工艺 本章将系统介绍微电子器件，特别是集成电路芯片的制造流程。我们将从硅材料的制备开始，逐步讲解实现器件结构所需的关键工艺步骤。 5.1 硅材料制备与晶圆制造 首先，将介绍高纯度多晶硅的提纯过程，以及单晶硅的生长技术（如柴可拉斯基法）。随后，将详细阐述硅晶圆的切割、抛光等工艺，使其达到制造集成电路所需的表面质量和厚度。 5.2 外延生长 本节将介绍外延生长技术，包括化学气相沉积（CVD）等方法，用于在衬底硅表面形成具有特定掺杂浓度和厚度的外延层，为后续器件的构建提供优良的基础。 5.3 光刻技术 光刻是微电子制造中实现图形转移的关键技术。本章将详细介绍光刻的原理，包括掩模版、光刻胶、曝光和显影等过程。我们将区分接触式光刻、接近式光刻和投影光刻，并重点介绍现代投影光刻机（如步进式和扫描式）及其成像原理。 5.4 刻蚀技术 刻蚀用于去除不需要的材料，形成器件的三维结构。本节将介绍干法刻蚀（如反应离子刻蚀RIE）和湿法刻蚀，并对比它们的优缺点，以及在不同工艺中的应用。 5.5 薄膜沉积 薄膜沉积技术用于在硅片表面形成各种导电、绝缘和半导体薄膜。我们将介绍物理气相沉积（PVD，如溅射）和化学气相沉积（CVD）等方法，以及它们在沉积金属、氧化物和氮化物薄膜中的应用。 5.6 离子注入与扩散 本节将介绍掺杂技术，包括离子注入和扩散。我们将解释它们的工作原理、工艺参数（如注入能量、剂量、退火温度）对掺杂分布的影响，以及如何实现精确的掺杂控制。 5.7 金属化与互连 最后，本章将介绍金属化工艺，包括溅射沉积金属（如铝、铜）形成器件的电极和导线。还将介绍多层金属互连技术，以及通孔（vias）的制作，以实现芯片内部复杂的电路连接。 第六章 特殊器件与新工艺 本章将介绍一些在现代微电子技术中扮演重要角色的特殊器件，以及前沿的器件结构和工艺发展方向。 6.1 存储器器件 我们将介绍主要的存储器器件类型，包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）的基本结构和工作原理，以及它们的读写操作。 6.2 功率器件 本节将介绍用于大功率应用的半导体器件，如功率MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT），并讨论其在电力电子领域的应用。 6.3 光电器件 我们将简要介绍光电器件，如发光二极管（LED）和光电二极管（PD），以及它们在光通信和显示技术中的作用。 6.4 先进器件结构 本节将探讨一些重要的先进器件结构，如鳍式晶体管（FinFET）和环栅晶体管（GAAFET），它们旨在克服传统平面MOSFET的短沟道效应，实现更高的性能和更低的功耗。 6.5 新型材料与工艺 最后，我们将展望微电子技术的发展趋势，包括对新型半导体材料（如III-V族化合物半导体、二维材料）的探索，以及对纳米尺度器件制造和先进封装技术的研究。 三、本书特色 理论与实践并重： 本书在深入阐述半导体器件物理原理的同时，也详细介绍了器件的制造工艺流程，使读者能够将理论知识与实际生产联系起来。 内容全面系统： 从基础的半导体材料到复杂的器件结构和制造工艺，本书涵盖了微电子器件领域的核心内容，适合作为教材或参考书。 逻辑清晰，循序渐进： 本书的章节安排遵循逻辑顺序，从基本概念逐步深入到复杂技术，易于读者理解和掌握。 图文并茂： 通过大量的示意图、结构图和工艺流程图，直观地展示器件的结构和工艺过程，有助于读者加深理解。 面向未来： 本书不仅涵盖了成熟的技术，也对前沿的器件结构和发展趋势进行了介绍，为读者提供了对未来技术发展的展望。 四、适用读者 本书适合高等院校电子工程、微电子学、材料科学、物理学等相关专业的本科生、研究生，以及从事微电子器件设计、制造、封装和测试的科研人员和工程技术人员阅读。

评分☆☆☆☆☆

不得不说，这本书的编排和内容组织非常符合工程技术人员的阅读习惯。它不是那种“堆砌”知识的书，而是有着清晰的逻辑脉络。开篇从基础的分类和命名规则讲起，然后逐步深入到具体元件的内部结构、工作原理、关键参数的意义以及测试方法。最让我惊喜的是，书中关于贴片元件的选型指南，非常实用。它不仅列出了常见的选型原则，还针对不同的应用领域，比如消费电子、工业控制、汽车电子等，给出了具体的建议和注意事项。这对于我们这些需要快速完成项目设计的人来说，简直是“救命稻草”。我记得之前在为一个新项目选择限流电阻时，就因为对某些特定工况下的发热和功率衰减没有充分了解，导致后期出现了一些问题。如果早些看到这本书里关于功率型贴片电阻的详细分析，我肯定会避免那些麻烦。此外，书中的图表很多，而且都标注清晰，配合文字阅读，能够快速理解。

评分☆☆☆☆☆

这本书给我的感觉，与其说是一本技术手册，不如说是一次关于电子元件的深度对话。作者梁瑞林老师的文字功底相当了得，他能将那些原本枯燥晦涩的物理原理和制造流程，用一种引人入胜的方式讲述出来。我之前对一些高阶的贴片元件，比如RF元件或者功率元件，总是望而却步，觉得它们是“高精尖”的领域，离我比较遥远。但这本书的讲解，从材料特性入手，一层层剥离，直到理解其核心功能和设计考量，让我觉得这些“高精尖”也并非遥不可及。特别是有几处对材料科学的探讨，比如不同介质的特性对电容器性能的影响，或者半导体掺杂工艺如何影响器件的导电性能，让我醍醐灌顶。书中也涉及了一些前沿技术，虽然篇幅不长，但点到为止，为我打开了新的视野，让我看到了贴片元件未来发展的方向。总而言之，这是一本需要静下心来慢慢品读的书，每一次翻阅，都会有新的发现和感悟，它在潜移默化中提升了我的专业素养，也激发了我对电子技术更深层次的探索欲望。

评分☆☆☆☆☆

这本《贴片式电子元件》确实是一本让我印象深刻的书。作为一名刚入行不久的电子工程师，我之前对贴片元件的了解大多停留在 datasheet 的表格和寥寥几行的说明上，总觉得隔靴搔痒。而这本书，它不仅仅是罗列元件的参数，更像是把元件的“前世今生”都讲透了。从最基础的结构、制造工艺，到不同封装的优劣势分析，再到它们在各种实际应用场景下的表现，都描绘得细致入微。我特别喜欢其中关于可靠性和失效模式的章节，它没有回避技术难点，而是直面问题，深入浅出地解释了为什么某个元件会在特定条件下失效，以及如何通过设计和选型来规避这些风险。书中大量的图示和案例，让我对抽象的理论有了更直观的认识，比如对不同电容在高速信号下的等效电路模型的解释，以及如何根据这些模型来优化电路设计，避免寄生参数带来的干扰。读完这部分，我感觉自己对电路板上的每一个小小的贴片元件，都有了一种“知其然，更知其所以然”的掌控感，这对我日后的工作效率和产品质量提升，无疑是巨大的帮助。

评分☆☆☆☆☆

我通常不太喜欢阅读太过于学术化的书籍，总觉得它们枯燥乏味，脱离实际。但《贴片式电子元件》这本书，却让我找到了学习的乐趣。它以一种非常接地气的方式，讲解了贴片元件的方方面面。比如，它没有上来就讲复杂的物理模型，而是先从最直观的封装类型开始，分析不同封装的优缺点，以及它们在自动化生产中的便利性。我尤其喜欢书中关于表面贴装技术（SMT）的一些讨论，比如回流焊的工艺参数如何影响焊点的可靠性，以及元器件在回流焊过程中可能遇到的问题。这些内容对于我们这些需要处理实际生产环节的人来说，非常有价值。书中还提到了很多不同厂家、不同系列元件之间的比较，虽然没有直接点名，但通过描述其特性和应用场景，我能够自己去联想和区分，这是一种非常高效的学习方式。总的来说，这是一本既有深度又有广度的书，既能满足我对技术细节的求知欲，又能为我的实际工作提供宝贵的指导。

评分☆☆☆☆☆

这是一本让我耳目一新的书。我一直对“电子元件”这个词有着比较狭隘的理解，总觉得它们只是电路板上的一些“小零件”。但这本书，彻底改变了我的看法。它将每一个贴片元件都赋予了生命和故事。作者在描述这些元件时，不仅仅是介绍它们的规格，更是挖掘了它们背后的设计哲学和工艺挑战。我特别欣赏书中对一些“冷门”但重要的贴片元件的介绍，比如一些特殊的传感器元件或者微型驱动元件，它们在特定领域的应用价值被充分展现出来，让我认识到电子世界的广阔和精妙。而且，书中穿插的很多历史故事和发展沿革，也让我对电子工业的发展有了更宏观的认识。知道这些元件是如何一步步演进，克服了哪些技术难题，这让我对它们产生了更深的敬意。这本书不仅仅是技术知识的传递，更是一种对科学精神的礼赞。