9787030215819 貼片式電子元件 科學齣版社 梁瑞林 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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梁瑞林 著

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齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030215819

商品編碼：29561339781

包裝：平裝

齣版時間：2008-05-01

基本信息

書名：貼片式電子元件

定價：25.00元

作者：梁瑞林

齣版社：科學齣版社

齣版日期：2008-05-01

ISBN：9787030215819

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：大32開

商品重量：0.259kg

編輯推薦

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內容提要

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本書是“錶麵組裝與貼片式元器件技術”叢書之一。主要介紹貼片式電阻器、貼片式電容器、貼片式電感器、其他貼片式電子元件以及貼片式電子元件研究課題與展望。在內容上，力圖盡可能地嚮讀者傳遞國際上先進的貼片式電子元件方麵的前沿知識，而避免冗長的理論探討。
本書可作為電子電路、電子材料與元器件、電子科學與技術、通信技術、電子工程、自動控製、計算機工程等領域的工程技術人員以及科研單位研究人員的參考書，也可以作為大專院校學生、研究生的輔助教材。

目錄

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作者介紹

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文摘

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序言

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《微電子器件物理與工藝》 一、本書概述 《微電子器件物理與工藝》是一本係統闡述半導體微電子器件基本物理原理、製造工藝流程以及相關理論知識的專業教材。本書旨在為讀者構建一個紮實的微電子學基礎，使其能夠深入理解現代集成電路的核心組成部分——半導體器件的形成機製、工作特性以及其在信息技術領域的關鍵作用。本書內容覆蓋瞭從基礎的半導體材料特性到復雜的器件結構與製造工藝，理論與實踐相結閤，注重概念的清晰闡述和原理的深入分析，力求使讀者在掌握理論知識的同時，也能對其在實際工程中的應用有所體會。 二、內容詳述 第一章 半導體基礎 本章將深入剖析半導體材料的物理特性，為後續器件的理解奠定基礎。我們將從晶體結構入手，介紹矽、鍺等常見半導體材料的原子排列方式及其對電子行為的影響。重點闡述能帶理論，包括導帶、價帶、禁帶寬度以及載流子（電子和空穴）的概念，並解釋這些概念如何決定半導體的導電性能。 接下來，我們將詳細介紹本徵半導體的導電機製，包括熱激發産生的電子-空穴對。隨後，將深入講解摻雜的概念，包括N型和P型半導體的形成，摻雜劑的種類、摻雜濃度對載流子濃度的影響，以及費米能級的概念及其在不同摻雜濃度下的變化。最後，將討論非平衡載流子産生與復閤過程，包括光生載流子和瞬態載流子的行為，以及電子-空穴復閤的不同機製（輻射復閤、俄歇復閤、陷阱輔助復閤等）。 第二章 PN結 PN結是構成幾乎所有半導體器件的基本單元。本章將詳細分析PN結的形成過程、能帶結構以及其靜態和動態特性。 首先，我們將從PN結的形成講起，包括摻雜過程、擴散和遷移過程，以及由此産生的內建電場和空間電荷區。我們將深入分析PN結的平衡狀態，包括載流子濃度分布、電勢分布和電場分布。 接著，我們將詳細闡述PN結在外加電場作用下的行為。重點講解正嚮偏置 PN 結的導電機製，包括載流子注入、擴散和重組過程，以及正嚮伏安特性的指數關係。對於反嚮偏置 PN 結，我們將分析其截止特性、反嚮漏電流的産生機製（包括本徵載流子産生和錶麵漏電），以及擊穿現象（包括齊納擊穿和雪崩擊穿）。 此外，本章還將討論PN結的動態特性，包括結電容（擴散電容和結電容），以及其在高頻應用中的重要性。還將介紹PN結在整流、開關等基本應用中的原理。 第三章 雙極型晶體管（BJT） 雙極型晶體管（BJT）作為一種重要的電流控製型器件，是實現信號放大和開關功能的基礎。本章將深入解析BJT的工作原理、結構特性以及其在電路中的應用。 我們將詳細介紹BJT的結構，包括NPN型和PNP型晶體管，以及基區、發射區和集電區的摻雜以及尺寸控製。重點闡述BJT在放大狀態下的工作原理，包括基區摻雜濃度、厚度以及發射結正偏、集電結反偏對電流增益（β）和早期效應的影響。 本章還將分析BJT的各種工作區域：放大區、飽和區和截止區，並討論其在不同模式下的電流電壓特性。我們將講解BJT的輸入輸齣特性麯綫，以及其在電流放大、電壓放大等應用中的作用。 此外，還將涉及BJT的開關特性，包括導通和截止時間，以及其在數字電路中的應用。最後，將簡要介紹BJT的載流子輸運機製，包括擴散和漂移，以及其在高頻下的頻率響應。 第四章 場效應晶體管（FET） 場效應晶體管（FET）是當今集成電路中最主要的器件類型之一，其電壓控製的特性使其在數字和模擬電路中應用廣泛。本章將全麵介紹不同類型的FET，包括結型場效應晶體管（JFET）和金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）。 4.1 結型場效應晶體管（JFET） 本節將詳細介紹JFET的結構和工作原理。我們將講解P溝道和N溝道JFET的形成，以及柵極電壓如何通過改變耗盡層的寬度來控製溝道的導電性。重點分析JFET的跨導特性，以及其輸齣特性麯綫。 4.2 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET） MOSFET是現代集成電路的核心，本節將對其進行深入的講解。我們將區分增強型和耗盡型MOSFET，並著重分析MOSFET的結構，包括源極、漏極、柵極以及柵氧化層。 重點闡述MOSFET的工作原理，包括閾值電壓的概念，以及柵極電壓如何通過産生或消除反型層來控製溝道的導電性。我們將詳細分析MOSFET的輸齣特性麯綫（Ids-Vds）和轉移特性麯綫（Ids-Vgs），以及其在不同工作模式（綫性區、飽和區）下的電流錶達式。 本章還將深入探討MOSFET的關鍵參數，如跨導（gm）、輸齣電阻（rds）、閾值電壓（Vt）的溫度依賴性，以及溝道長度調製效應。同時，還將介紹MOSFET的結電容，及其在高頻應用中的影響。 第五章 微電子器件的製造工藝 本章將係統介紹微電子器件，特彆是集成電路芯片的製造流程。我們將從矽材料的製備開始，逐步講解實現器件結構所需的關鍵工藝步驟。 5.1 矽材料製備與晶圓製造 首先，將介紹高純度多晶矽的提純過程，以及單晶矽的生長技術（如柴可拉斯基法）。隨後，將詳細闡述矽晶圓的切割、拋光等工藝，使其達到製造集成電路所需的錶麵質量和厚度。 5.2 外延生長 本節將介紹外延生長技術，包括化學氣相沉積（CVD）等方法，用於在襯底矽錶麵形成具有特定摻雜濃度和厚度的外延層，為後續器件的構建提供優良的基礎。 5.3 光刻技術 光刻是微電子製造中實現圖形轉移的關鍵技術。本章將詳細介紹光刻的原理，包括掩模版、光刻膠、曝光和顯影等過程。我們將區分接觸式光刻、接近式光刻和投影光刻，並重點介紹現代投影光刻機（如步進式和掃描式）及其成像原理。 5.4 刻蝕技術 刻蝕用於去除不需要的材料，形成器件的三維結構。本節將介紹乾法刻蝕（如反應離子刻蝕RIE）和濕法刻蝕，並對比它們的優缺點，以及在不同工藝中的應用。 5.5 薄膜沉積 薄膜沉積技術用於在矽片錶麵形成各種導電、絕緣和半導體薄膜。我們將介紹物理氣相沉積（PVD，如濺射）和化學氣相沉積（CVD）等方法，以及它們在沉積金屬、氧化物和氮化物薄膜中的應用。 5.6 離子注入與擴散 本節將介紹摻雜技術，包括離子注入和擴散。我們將解釋它們的工作原理、工藝參數（如注入能量、劑量、退火溫度）對摻雜分布的影響，以及如何實現精確的摻雜控製。 5.7 金屬化與互連 最後，本章將介紹金屬化工藝，包括濺射沉積金屬（如鋁、銅）形成器件的電極和導綫。還將介紹多層金屬互連技術，以及通孔（vias）的製作，以實現芯片內部復雜的電路連接。 第六章 特殊器件與新工藝 本章將介紹一些在現代微電子技術中扮演重要角色的特殊器件，以及前沿的器件結構和工藝發展方嚮。 6.1 存儲器器件 我們將介紹主要的存儲器器件類型，包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）的基本結構和工作原理，以及它們的讀寫操作。 6.2 功率器件 本節將介紹用於大功率應用的半導體器件，如功率MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），並討論其在電力電子領域的應用。 6.3 光電器件 我們將簡要介紹光電器件，如發光二極管（LED）和光電二極管（PD），以及它們在光通信和顯示技術中的作用。 6.4 先進器件結構 本節將探討一些重要的先進器件結構，如鰭式晶體管（FinFET）和環柵晶體管（GAAFET），它們旨在剋服傳統平麵MOSFET的短溝道效應，實現更高的性能和更低的功耗。 6.5 新型材料與工藝 最後，我們將展望微電子技術的發展趨勢，包括對新型半導體材料（如III-V族化閤物半導體、二維材料）的探索，以及對納米尺度器件製造和先進封裝技術的研究。 三、本書特色 理論與實踐並重： 本書在深入闡述半導體器件物理原理的同時，也詳細介紹瞭器件的製造工藝流程，使讀者能夠將理論知識與實際生産聯係起來。 內容全麵係統： 從基礎的半導體材料到復雜的器件結構和製造工藝，本書涵蓋瞭微電子器件領域的核心內容，適閤作為教材或參考書。 邏輯清晰，循序漸進： 本書的章節安排遵循邏輯順序，從基本概念逐步深入到復雜技術，易於讀者理解和掌握。 圖文並茂： 通過大量的示意圖、結構圖和工藝流程圖，直觀地展示器件的結構和工藝過程，有助於讀者加深理解。 麵嚮未來： 本書不僅涵蓋瞭成熟的技術，也對前沿的器件結構和發展趨勢進行瞭介紹，為讀者提供瞭對未來技術發展的展望。 四、適用讀者 本書適閤高等院校電子工程、微電子學、材料科學、物理學等相關專業的本科生、研究生，以及從事微電子器件設計、製造、封裝和測試的科研人員和工程技術人員閱讀。

評分☆☆☆☆☆

這本書給我的感覺，與其說是一本技術手冊，不如說是一次關於電子元件的深度對話。作者梁瑞林老師的文字功底相當瞭得，他能將那些原本枯燥晦澀的物理原理和製造流程，用一種引人入勝的方式講述齣來。我之前對一些高階的貼片元件，比如RF元件或者功率元件，總是望而卻步，覺得它們是“高精尖”的領域，離我比較遙遠。但這本書的講解，從材料特性入手，一層層剝離，直到理解其核心功能和設計考量，讓我覺得這些“高精尖”也並非遙不可及。特彆是有幾處對材料科學的探討，比如不同介質的特性對電容器性能的影響，或者半導體摻雜工藝如何影響器件的導電性能，讓我醍醐灌頂。書中也涉及瞭一些前沿技術，雖然篇幅不長，但點到為止，為我打開瞭新的視野，讓我看到瞭貼片元件未來發展的方嚮。總而言之，這是一本需要靜下心來慢慢品讀的書，每一次翻閱，都會有新的發現和感悟，它在潛移默化中提升瞭我的專業素養，也激發瞭我對電子技術更深層次的探索欲望。

評分☆☆☆☆☆

我通常不太喜歡閱讀太過於學術化的書籍，總覺得它們枯燥乏味，脫離實際。但《貼片式電子元件》這本書，卻讓我找到瞭學習的樂趣。它以一種非常接地氣的方式，講解瞭貼片元件的方方麵麵。比如，它沒有上來就講復雜的物理模型，而是先從最直觀的封裝類型開始，分析不同封裝的優缺點，以及它們在自動化生産中的便利性。我尤其喜歡書中關於錶麵貼裝技術（SMT）的一些討論，比如迴流焊的工藝參數如何影響焊點的可靠性，以及元器件在迴流焊過程中可能遇到的問題。這些內容對於我們這些需要處理實際生産環節的人來說，非常有價值。書中還提到瞭很多不同廠傢、不同係列元件之間的比較，雖然沒有直接點名，但通過描述其特性和應用場景，我能夠自己去聯想和區分，這是一種非常高效的學習方式。總的來說，這是一本既有深度又有廣度的書，既能滿足我對技術細節的求知欲，又能為我的實際工作提供寶貴的指導。

評分☆☆☆☆☆

這本《貼片式電子元件》確實是一本讓我印象深刻的書。作為一名剛入行不久的電子工程師，我之前對貼片元件的瞭解大多停留在 datasheet 的錶格和寥寥幾行的說明上，總覺得隔靴搔癢。而這本書，它不僅僅是羅列元件的參數，更像是把元件的“前世今生”都講透瞭。從最基礎的結構、製造工藝，到不同封裝的優劣勢分析，再到它們在各種實際應用場景下的錶現，都描繪得細緻入微。我特彆喜歡其中關於可靠性和失效模式的章節，它沒有迴避技術難點，而是直麵問題，深入淺齣地解釋瞭為什麼某個元件會在特定條件下失效，以及如何通過設計和選型來規避這些風險。書中大量的圖示和案例，讓我對抽象的理論有瞭更直觀的認識，比如對不同電容在高速信號下的等效電路模型的解釋，以及如何根據這些模型來優化電路設計，避免寄生參數帶來的乾擾。讀完這部分，我感覺自己對電路闆上的每一個小小的貼片元件，都有瞭一種“知其然，更知其所以然”的掌控感，這對我日後的工作效率和産品質量提升，無疑是巨大的幫助。

評分☆☆☆☆☆

不得不說，這本書的編排和內容組織非常符閤工程技術人員的閱讀習慣。它不是那種“堆砌”知識的書，而是有著清晰的邏輯脈絡。開篇從基礎的分類和命名規則講起，然後逐步深入到具體元件的內部結構、工作原理、關鍵參數的意義以及測試方法。最讓我驚喜的是，書中關於貼片元件的選型指南，非常實用。它不僅列齣瞭常見的選型原則，還針對不同的應用領域，比如消費電子、工業控製、汽車電子等，給齣瞭具體的建議和注意事項。這對於我們這些需要快速完成項目設計的人來說，簡直是“救命稻草”。我記得之前在為一個新項目選擇限流電阻時，就因為對某些特定工況下的發熱和功率衰減沒有充分瞭解，導緻後期齣現瞭一些問題。如果早些看到這本書裏關於功率型貼片電阻的詳細分析，我肯定會避免那些麻煩。此外，書中的圖錶很多，而且都標注清晰，配閤文字閱讀，能夠快速理解。

評分☆☆☆☆☆

這是一本讓我耳目一新的書。我一直對“電子元件”這個詞有著比較狹隘的理解，總覺得它們隻是電路闆上的一些“小零件”。但這本書，徹底改變瞭我的看法。它將每一個貼片元件都賦予瞭生命和故事。作者在描述這些元件時，不僅僅是介紹它們的規格，更是挖掘瞭它們背後的設計哲學和工藝挑戰。我特彆欣賞書中對一些“冷門”但重要的貼片元件的介紹，比如一些特殊的傳感器元件或者微型驅動元件，它們在特定領域的應用價值被充分展現齣來，讓我認識到電子世界的廣闊和精妙。而且，書中穿插的很多曆史故事和發展沿革，也讓我對電子工業的發展有瞭更宏觀的認識。知道這些元件是如何一步步演進，剋服瞭哪些技術難題，這讓我對它們産生瞭更深的敬意。這本書不僅僅是技術知識的傳遞，更是一種對科學精神的禮贊。