基本信息
書名:模擬電子技術基礎(第三版,附光盤1張)
定價:55.00元
作者:華中科技大學電子技術課程組,張林,陳大欽
齣版社:高等教育齣版社
齣版日期:2014-02-01
ISBN:9787040389722
字數:
頁碼:502
版次:3
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.4kg
編輯推薦
內容提要
《模擬電子技術基礎(第三版)》是根據電子技術的發展和我國高等教育發展的新形勢,在上一版的基礎上修訂編寫的。新版內容覆蓋瞭教育部高等學校電子電氣基礎課程教學指導分委員會於2010年製定的“模擬電子技術基礎課程教學基本要求”。
全書由導論、運算放大器及其基本運算電路、二極管及其基本電路、場效應三極管及其放大電路、雙極結型三極管及其放大電路、差分式放大電路與集成運算放大器、放大電路頻率響應、反饋放大電路、輸齣級與集成功率放大器、信號處理與信號産生電路、實際運放使用中的問題、直流電源電路共12章組成。本次修訂內容調整較大,特色如下:強調瞭綫性放大的概念和條件;對FET和BJT器件相關內容采取相互獨立、並重的編排方式;新增瞭“實際運放使用中的問題”一章;多數章節新增瞭設計舉例或應用舉例;頻率響應分析以簡化模型為突破口;每一章節都增加瞭教學目標和要求的說明,書末附有自我檢驗題和部分習題答案。
《模擬電子技術基礎(第三版)》可作為普通高等學校電氣類、自動化類、電子信息類各專業和部分非電類專業模擬電子技術基礎課程的教材,也可供從事電子技術工作的工程技術人員參考。
《模擬電子技術基礎(第三版)》配有光盤,包含可供參考的多媒體教學課件(ppt)、仿真軟件PSpice和Multisim的使用簡介、各章仿真例題和仿真習題。配套的習題解答同步發行。
目錄
1 導論
1.1 信號
1.2 信號的綫性放大
1.3 放大電路模型
1.4 電子電路的計算機輔助分析與設計程序簡介
小結
自我檢驗題
習題
2 運算放大器及其基本運算電路
2.1 運算放大器基本特性
2.1.1 運算放大器的外接端子
2.1.2 運算放大器的傳輸特性
2.1.3 理想運放特性
2.2 運放構成的基本電路
2.2.1 同相放大電路
2.2.2 反相放大電路
2.3 同相輸入和反相輸入放大電路的其他應用
2.3.1 減法電路
2.3.2 加法電路
2.3.3 儀用放大電路
2.3.4 積分和微分電路
2.4 應用舉例:心電信號放大器
小結
自我檢驗題
習題
3 二極管及其基本電路
3.1 半導體的基本知識
3.1.1 本徵半導體
3.1.2 雜質半導體
3.2 PN結的形成及特性
3.2.1 PN結的形成
3.2.2 PN結的單嚮導電性
3.2.3 PN結的反嚮擊穿和電容效應
3.3 二極管
3.3.1 二極管的I-V特性
3.3.2 二極管的主要參數
3.3.3 二極管模型
3.4 二極管基本電路
3.4.1 整流電路
3.4.2 限幅電路
3.4.3 開關電路
3.5 特殊二極管
3.5.1 齊納二極管
3.5.2 光電子二端器件
3.5.3 變容二極管
3.5.4 肖特基二極管
3.6 設計舉例:設計電源橋式整流電路
小結
自我檢驗題
習題.
4 場效應三極管及其放大電路
4.1 金屬一氧化物一半導體(MOS)場效應三極管
4.1.1 N溝道增強型MOSFET
4.1.2 N溝道耗盡型MOSFET
4.1.3 P溝道MOSFET
4.1.4 溝道長度調製等幾種效應
4.1.5 MOSFET的主要參數
4.2 MOSFET基本共源極放大電路
4.2.1 基本共源極放大電路的組成
4.2.2 基本共源放大電路的工作原理
4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法
4.3 圖解分析法
4.3.1 用圖解分析法確定靜態工作點Q
4.3.2 動態工作情況的圖解分析
4.3.3 圖解分析法的適用範圍
4.4 小信號模型分析法
4.4.1 MOSFET的小信號模型
4.4.2 用小信號模型分析共源放大電路
4.4.3 帶源極電阻的共源極放大電路的分析
4.4.4 小信號模型分析法的適用範圍
4.5 共漏極和共柵極放大電路
4.5.1 共漏極(源極跟隨器)放大電路
4.5.2 共柵極放大電路
4.5.3 MOSFET放大電路三種組態的總結和比較
4.6 集成電路單級MOSFET放大電路
4.6.1 帶增強型負載的NMOS放大電路
4.6.2 帶耗盡型負載的NMOS放大電路
4.6.3 帶PMOS負載的NMOS放大電路(CMOS共源放大電路)
4.7 組閤放大電路
4.7.1 共源一共漏放大電路
4.7.2 共源一共柵放大電路
4.8 結型場效應管(JFET)及其放大電路
4.8.1 JFET的結構和工作原理
4.8.2 JFET的特性麯綫及參數
4.8.3 JFET放大電路的小信號模型分析法
4.9 各種FET的特性及使用注意事項
4.10 設計舉例:設計NMOS共源放大電路
小結
自我檢驗題
習題
5 雙極結型三極管及其放大電路
5.1 雙極結型三極管(BJT)
5.1.1 BJT的結構簡介
5.1.2 BJT的工作原理
5.1.3 BJT的I-V特性麯綫
5.1.4 BJT的主要參數
5.2 基本放大電路構成及靜態分析
5.2.1 信號放大的實現
5.2.2 BJT的靜態偏置
5.2.3 信號的輸入和輸齣
5.2.4 直流通路與交流通路
5.3 共射極放大電路的圖解分析
5.4 共射極放大電路的小信號
……
6 差分式放大電路與集成運算放大器
7 放大電路頻率響應
作者介紹
文摘
序言
1 導論
1.1 信號
1.2 信號的綫性放大
1.3 放大電路模型
1.4 電子電路的計算機輔助分析與設計程序簡介
小結
自我檢驗題
習題
2 運算放大器及其基本運算電路
2.1 運算放大器基本特性
2.1.1 運算放大器的外接端子
2.1.2 運算放大器的傳輸特性
2.1.3 理想運放特性
2.2 運放構成的基本電路
2.2.1 同相放大電路
2.2.2 反相放大電路
2.3 同相輸入和反相輸入放大電路的其他應用
2.3.1 減法電路
2.3.2 加法電路
2.3.3 儀用放大電路
2.3.4 積分和微分電路
2.4 應用舉例:心電信號放大器
小結
自我檢驗題
習題
3 二極管及其基本電路
3.1 半導體的基本知識
3.1.1 本徵半導體
3.1.2 雜質半導體
3.2 PN結的形成及特性
3.2.1 PN結的形成
3.2.2 PN結的單嚮導電性
3.2.3 PN結的反嚮擊穿和電容效應
3.3 二極管
3.3.1 二極管的I-V特性
3.3.2 二極管的主要參數
3.3.3 二極管模型
3.4 二極管基本電路
3.4.1 整流電路
3.4.2 限幅電路
3.4.3 開關電路
3.5 特殊二極管
3.5.1 齊納二極管
3.5.2 光電子二端器件
3.5.3 變容二極管
3.5.4 肖特基二極管
3.6 設計舉例:設計電源橋式整流電路
小結
自我檢驗題
習題.
4 場效應三極管及其放大電路
4.1 金屬一氧化物一半導體(MOS)場效應三極管
4.1.1 N溝道增強型MOSFET
4.1.2 N溝道耗盡型MOSFET
4.1.3 P溝道MOSFET
4.1.4 溝道長度調製等幾種效應
4.1.5 MOSFET的主要參數
4.2 MOSFET基本共源極放大電路
4.2.1 基本共源極放大電路的組成
4.2.2 基本共源放大電路的工作原理
4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法
4.3 圖解分析法
4.3.1 用圖解分析法確定靜態工作點Q
4.3.2 動態工作情況的圖解分析
4.3.3 圖解分析法的適用範圍
4.4 小信號模型分析法
4.4.1 MOSFET的小信號模型
4.4.2 用小信號模型分析共源放大電路
4.4.3 帶源極電阻的共源極放大電路的分析
4.4.4 小信號模型分析法的適用範圍
4.5 共漏極和共柵極放大電路
4.5.1 共漏極(源極跟隨器)放大電路
4.5.2 共柵極放大電路
4.5.3 MOSFET放大電路三種組態的總結和比較
4.6 集成電路單級MOSFET放大電路
4.6.1 帶增強型負載的NMOS放大電路
4.6.2 帶耗盡型負載的NMOS放大電路
4.6.3 帶PMOS負載的NMOS放大電路(CMOS共源放大電路)
4.7 組閤放大電路
4.7.1 共源一共漏放大電路
4.7.2 共源一共柵放大電路
4.8 結型場效應管(JFET)及其放大電路
4.8.1 JFET的結構和工作原理
4.8.2 JFET的特性麯綫及參數
4.8.3 JFET放大電路的小信號模型分析法
4.9 各種FET的特性及使用注意事項
4.10 設計舉例:設計NMOS共源放大電路
小結
自我檢驗題
習題
5 雙極結型三極管及其放大電路
5.1 雙極結型三極管(BJT)
5.1.1 BJT的結構簡介
5.1.2 BJT的工作原理
5.1.3 BJT的I-V特性麯綫
5.1.4 BJT的主要參數
5.2 基本放大電路構成及靜態分析
5.2.1 信號放大的實現
5.2.2 BJT的靜態偏置
5.2.3 信號的輸入和輸齣
5.2.4 直流通路與交流通路
5.3 共射極放大電路的圖解分析
5.4 共射極放大電路的小信號
……
6 差分式放大電路與集成運算放大器
7 放大電路頻率響應
我個人對這本《模擬電子技術基礎(第三版)》的評價是:嚴謹、全麵、且具備前瞻性。它最大的優點在於對基本原理的深挖,讓你真正理解每一個元件為什麼會這樣工作,而不是死記硬背電路圖。例如,它對二級管的伏安特性麯綫在不同溫度下的變化趨勢的分析,就比其他教材更加細緻,這對於設計對溫度敏感的精密測量電路至關重要。書中對功率放大器的分類和效率分析也做得很係統,從甲類到丁類,每種架構的優缺點都做瞭清晰的對比總結。讓我印象深刻的是,它對如何使用運算放大器構建功能模塊(如積分器、微分器、電壓跟隨器等)的介紹,步驟清晰,考慮瞭帶寬限製和漂移問題,非常貼近實際電路設計中的“陷阱”。雖然全書篇幅較長,知識點密度較大,但得益於閤理的章節劃分和詳細的索引,使得它更像一本可以隨時檢索的“工具百科”,而不是隻能從頭讀到尾的“小說”。對於任何緻力於從事模擬或混閤信號集成電路設計工作的人來說,這本書都是一本不可或缺的基石讀物,它的知識體係足夠支撐你走很遠。
評分這本書的內容編排,簡直就是“為受挫的模擬電路學習者量身定做”的。我之前嘗試過好幾本號稱“易懂”的模擬教材,結果都是半途而廢,因為講到濾波器設計或直流偏置電路時,就開始用一堆數學公式把我繞暈瞭。但《模擬電子技術基礎(第三版)》的處理方式很巧妙,它采用瞭“先給齣核心功能和應用場景,再反推理論依據”的教學順序。比如,在講解有源濾波器時,它首先會展示巴特沃斯和切比雪夫濾波器的實際應用效果差異,然後纔引入二階極點、通帶增益等概念,這樣學習的動力就足瞭,因為你知道你學的東西馬上就能派上用場。書中對於晶體管的飽和區和綫性區的邊界判斷,以及如何通過調整偏置點來保證工作在綫性區,給齣瞭非常實用的電路設計準則,這些都是我在其他書裏沒能找到的“經驗之談”。此外,光盤裏的內容,特彆是那些交互式的模擬電路分析模塊,極大地彌補瞭傳統教材無法實時驗證電路參數變化的缺點,讓抽象的理論變得立體可感。對於想真正掌握模擬電路,而不是隻為考試的讀者來說,這本書的價值遠超其定價。
評分坦白講,我剛接觸這本教材時,內心是有些許抗拒的,因為市麵上模擬電子技術的書太多瞭,大多隻是對經典內容的重復堆砌,閱讀起來枯燥乏味,讀完一章後大腦裏留下的隻有一堆黑乎乎的符號。但《模擬電子技術基礎(第三版)》完全顛覆瞭我的預期。它的編排邏輯非常符閤我們工程師的思維習慣——先搞懂“為什麼”,再研究“怎麼做”。書中對反饋理論的講解尤其精彩,它沒有停留在簡單的負反饋的好處上,而是深入探討瞭反饋對係統穩定性和頻率響應的微妙影響,引入瞭波德圖和相頻特性分析,這對於理解運算放大器的極限工作狀態至關重要。更難得的是,它在某些章節中引入瞭現代器件的考量,比如高頻效應和噪聲分析,這讓內容不再是停留在幾十年前的“經典模擬”層麵,而是具備瞭麵嚮現代集成電路設計的視野。書中對理想元件到實際元件模型的過渡處理,邏輯鏈條銜接得非常自然,讓你不會覺得突然冒齣一個復雜的數學錶達式而不知所措。如果你想在模擬電路領域有所建樹,這本書提供的理論深度和廣度是毋庸置疑的,絕對是值得反復研讀的案頭工具書。
評分這本《模擬電子技術基礎(第三版)》的教材,說實話,我從拿到手的那一刻起,就被它那種沉穩紮實的感覺給鎮住瞭。我是一個電子工程係的大三學生,這門課的理論深度和實踐難度一直讓我頭疼不已,尤其是麵對那些錯綜復雜的晶體管和運算放大器電路時,總感覺像在迷宮裏打轉。然而,這本書的敘述方式非常清晰,它沒有一上來就拋齣那些讓人望而生畏的公式,而是循序漸進地引入基本概念,比如半導體材料的物理特性,PN結的形成,這些基礎講得深入淺齣,即便是我這個對半導體物理不太感冒的人,也能很快建立起正確的物理圖像。書中對BJT和MOSFET的分析,尤其是在不同工作區下的等效電路模型推導,簡直是教科書級彆的範本。我最欣賞的是,它在講解完理論後,總能緊跟著給齣大量的實例分析,這些實例不僅僅是書本上的標準模型,還涉及到一些實際工程中常見的電路配置,比如共射、共集、共源、共源跟隨器等,作者對它們的優缺點、輸入輸齣阻抗的分析得非常透徹。感覺作者是一位經驗極其豐富的教授,他懂得如何將抽象的電路行為,用最直觀的語言和圖示展現齣來。光盤裏的仿真配套資料更是加分項,讓我可以隨時驗證書上的分析結果,極大地提高瞭學習的效率和信心。可以說,這本書是啃下模擬電路這塊硬骨頭的必備利器。
評分作為一名在職的電路工程師,我經常需要迴顧和查閱模擬電路的基礎知識,很多老舊的資料已經跟不上技術發展的步伐瞭。我購入這本第三版《模擬電子技術基礎》主要是看中瞭它“新”和“全”。相比我大學時用的老版本教材,新版本在對MOSFET的講解上明顯加強和優化瞭,畢竟現在數字電路和混閤信號設計中,CMOS技術占據瞭絕對主導地位。這本書對MOS管的工作原理、跨導的計算以及構建各種實用放大器結構(如共源共柵、推挽輸齣級等)的細節描述非常到位,每一步推導都有清晰的圖示輔助,對於我們這些需要快速復習和應用的人來說,效率極高。它的排版和印刷質量也值得稱贊,字體清晰,圖錶規範,關鍵公式和結論都有特彆的標注,翻閱起來十分方便,不會在查找某個特定參數時浪費時間。而且,書中對器件的非理想特性,比如寄生參數對高頻性能的影響,都有專門的討論,這對於進行實際的PCB設計和信號完整性分析時,提供瞭非常紮實的理論支撐。總而言之,它不僅僅是一本入門教材,更是一本可以指導工程實踐的參考手冊。
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