半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 行標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

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齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677530

商品編碼：29701188909

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齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名:半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 行標分冊

定價：170.00元

售價：115.6元,便宜54.4元,摺扣68

作者:全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677530

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版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

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編輯推薦

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內容提要

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半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

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YS/T 15-1991 矽外延層和擴散層厚度測定 磨角染色法
YS/T 23-1992 矽外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法
YS/T 24-1992 外延釘缺陷的檢驗方法
YS/T 26-1992 矽片邊緣輪廓檢驗方法
YS/T 34.1-2011 高純砷化學分析方法 電感耦閤等離子體質譜法(ICP-MS)測定高純砷中雜質含量
YS/T 34.2-2011 高純砷化學分析方法 極譜法測定硒量
YS/T 34.3-2011 高純砷化學分析方法 極譜法測定硫量
YS/T 35-2012 高純銻化學分析方法 鎂、鋅、鎳、銅、銀、鎘、鐵、硫、砷、金、錳、鉛、鉍、矽、硒含量的測定 高質量分辨率輝光放電質譜法
YS/T 37.1-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 硫氰酸汞分光光度法測定氯量
YS/T 37.2-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 鉬藍分光光度法測定矽量
YS/T 37.3-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 石墨爐原子吸收光譜法測定砷量
YS/T 37.4-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 電感耦閤等離子體質譜法測定鎂、鋁、鈷、鎳、銅、鋅、銦、鉛、鈣、鐵和砷量
YS/T 37.5-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 石墨爐原子吸收光譜法測定鐵量
YS/T 38.1-2009 高純鎵化學分析方法 部分：矽量的測定 鉬藍分光光度法
YS/T 38.2-2009 高純鎵化學分析方法 第2部分：鎂、鈦、鉻、錳、鎳、鈷、銅、鋅、鎘、锡、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
YS/T 226.1-2009 硒化學分析方法 部分：鉍量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 226.2-2009 硒化學分析方法 第2部分：銻量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 226.3-2009 硒化學分析方法 第3部分：鋁量的測定 鉻天青S-溴代十六烷基吡啶分光光度法
YS/T 226.4-2009 硒化學分析方法 第4部分：汞量的測定 雙硫腙-四氯化碳滴定比色法
YS/T 226.5-2009 硒化學分析方法 第5部分：矽量的測定 矽鉬藍分光光度法
YS/T 226.6-2009 硒化學分析方法 第6部分：硫量的測定 對稱二苯氨基脲分光光度法
YS/T 226.7-2009 硒化學分析方法 第？部分：鎂量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.8-2009 硒化學分析方法 第8部分：銅量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.9-2009 硒化學分析方法 第9部分：鐵量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.10-2009 硒化學分析方法 0部分：鎳量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.11-2009 硒化學分析方法 1部分：鉛量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.12-2009 硒化學分析方法 2部分：硒量的測定 硫代鈉容量法
YS/T 226.13-2009 硒化學分析方法 3部分：銀、鋁、砷、硼、汞、鉍、銅、鎘、鐵、鎵、銦、鎂、鎳、鉛、矽、銻、锡、碲、鈦、鋅量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
YS/T 227.1-2010 碲化學分析方法 部分：鉍量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 227.2-2010 碲化學分析方法 第2部分：鋁量的測定 鉻天青S-溴代十四烷基吡啶膠束增溶分光光度法
YS/T 227.3-2010 碲化學分析方法 第3部分：鉛量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 227.4-2010 碲化學分析方法 第4部分：鐵量的測定 鄰菲噦啉分光光度法
YS/T 227.5 2010 碲化學分析方法 第5部分：硒量的測定 2，3-=氨基萘分光光度法
YS/T 227.6-2010 碲化學分析方法 第6部分：銅量的測定 固液分離-火焰原子吸收光譜法
YS/T 227.7-2010 碲化學分析方法 第7部分：硫量的測定 電感耦閤等離子體原子發射光譜法
YS/T 227.8-2010 碲化學分析方法 第8部分：鎂、鈉量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 227.9-2010 碲化學分析方法 第9部分：碲量的測定 重鉻酸鉀-亞鐵銨容量法
YS/T 227.10-2010 碲化學分析方法 0部分：砷量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 227.11-2010 碲化學分析方法 1部分：矽量的測定 正丁醇萃取矽鉬藍分光光度法
YS/T 227.12 2011 碲化學分析方法 2部分：鉍、鋁、鉛、鐵、硒、銅、鎂、鈉、砷量的測定 電感耦閤等離子體原子發射光譜法
YS/T 229.1-2013 高純鉛化學分析方法 部分：銀、銅、鉍、鋁、鎳、锡、鎂和鐵量的測定化學光譜法
YS/T 229.2-2013 高純鉛化學分析方法 第2部分：砷量的測定 原子熒光光譜法
YS/T 229.3-2013 高純鉛化學分析方法 第3部分：銻量的測定 原子熒光光譜法
YS/T 229.4-2013 高純鉛化學分析方法 第4部分：痕量雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法
YS/T 276.1-2011 銦化學分析方法 部分：砷量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 276.2-2011 銦化學分析方法 第2部分：锡量的測定 苯基熒光酮-溴代十六烷基三甲胺分光光度法
YS/T 276.3-2011 銦化學分析方法 第3部分：鉈量的測定 甲基綠分光光度法
YS/T 276.4-2011 銦化學分析方法 第4部分：鋁量的測定 鉻天青S分光光度法
YS/T 276.5-2011 銦化學分析方法 第5部分：鐵量的測定 方法1：電熱原子吸收光譜法方法2：火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.6-2011 銦化學分析方法 第6部分：銅、鎘、鋅量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.7-2011 銦化學分析方法 第7部分：鉛量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.8-2011 銦化學分析方法 第8部分：鉍量的測定 方法1：氫化物發生-原子熒光光譜法 方法2：火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.9-2011 銦化學分析方法 第9部分：銦量的測定 Na2 EDTA滴定法
YS/T 276.10-2011 銦化學分析方法 0部分：鉍、鋁、鉛、鐵、銅、鎘、锡、鉈量的測定 電感耦閤等離子體原子發射光譜法
YS/T 276.11-2011 銦化學分析方法 1部分：砷、鋁、鉛、鐵、銅、鎘、锡、鉈、鋅、鉍量的測定電感耦閤等離子體質譜法
YS/T 519.1-2009 砷化學分析方法 部分：砷量的測定 溴酸鉀滴定法
YS/T 519.2-2009 砷化學分析方法 第2部分：銻量的測定 孔雀綠分光光度法
YS/T 519.3-2009 砷化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
YS/T 519.4-2009 砷化學分析方法 第4部分：鉍、銻、硫量的測定 電感耦閤等離子體原子發
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作者介紹

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文摘

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序言

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《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 行標分冊》是一部全麵收錄瞭2014年發布的半導體材料領域行業標準中關於方法類標準的權威工具書。本書匯集瞭中國半導體材料領域最新的、最權威的檢測、試驗、分析方法等一係列標準，旨在為半導體材料的研發、生産、質量控製、貿易往來等各個環節提供統一、規範、可操作的技術依據。 本書內容概覽： 本書聚焦於半導體材料的方法標準，這意味著它不直接規定材料的性能指標或具體參數，而是詳細闡述瞭如何對這些材料進行測量、測試、分析和評估的科學方法。這些方法標準是確保半導體材料質量穩定、性能可靠、可比性強的關鍵。本書的齣版，填補瞭當前國內在半導體材料領域方法標準係統性收錄的空白，對於提升我國半導體材料産業的技術水平和國際競爭力具有重要意義。 內容結構與特點： 本書按照標準的類型和適用範圍進行瞭係統性的分類和編排，力求清晰明瞭，便於讀者查找和使用。其主要內容涵蓋但不限於以下幾個方麵： 1. 晶體材料的製備與錶徵方法： 單晶矽製備與檢測： 涵蓋瞭高純度多晶矽的製備工藝控製、單晶矽生長過程中的缺陷檢測（如位錯密度、夾雜物）、晶體取嚮的確定、晶體圓棒的尺寸測量與錶麵質量檢驗等標準方法。例如，可能包含對坩堝下拉法、區熔法等單晶生長過程中的關鍵參數監控標準，以及對晶棒直徑、厚度、形狀偏差的測量規範，確保後續晶片加工的基礎精度。 化閤物半導體材料製備與分析： 涉及砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）等化閤物半導體材料的晶體生長、外延層製備（如MOCVD、MBE）、以及材料成分、摻雜濃度、晶格缺陷、錶麵形貌等分析方法。具體可能包括對GaAs襯底晶片的電阻率、載流子濃度、載流子遷移率的測試方法，對GaN外延層厚度、組分均勻性、缺陷密度（如位錯、疇界）的錶徵標準，以及對InP材料的聲子散射譜、拉曼光譜等分析方法。 其他半導體晶體材料： 對於一些新興或特定應用領域的半導體晶體材料，如碳化矽（SiC）、碲鎘汞（CdHgTe）等，本書也可能收錄相關的製備、生長、退火等工藝過程中的檢測方法。 2. 薄膜材料的製備與檢測方法： 外延層與薄膜生長： 詳細介紹瞭各種薄膜沉積技術（如PVD、CVD、ALD）的工藝控製和質量評估方法。這包括對薄膜厚度、均勻性、緻密性、晶體結構（如X射綫衍射）、錶麵粗糙度（如原子力顯微鏡）的測量標準。 薄膜材料的電學性能測試： 針對半導體薄膜材料，本書收錄瞭電阻率、載流子濃度、遷移率、擊穿電壓、介電常數等關鍵電學參數的測量方法。例如，霍爾效應測試方法、四探針法、二探針法、CV（電容-電壓）特性測試方法等。 薄膜材料的化學與物理性能分析： 涵蓋瞭薄膜成分分析（如EDS、XPS）、錶麵化學狀態、附著力、硬度、熱穩定性等方麵的檢測標準。 3. 半導體材料的缺陷檢測與分析方法： 光學顯微鏡與掃描電鏡（SEM）： 詳細介紹瞭利用光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡對半導體材料錶麵和內部的微觀缺陷（如劃痕、顆粒、裂紋、晶界）進行觀察和分析的標準操作規程。 透射電子顯微鏡（TEM）： 涉及利用TEM對半導體材料的原子級分辨率缺陷（如位錯、堆積層錯、點缺陷團簇）進行高精度分析的方法。 化學腐蝕與形貌分析： 介紹瞭針對不同半導體材料的化學腐蝕劑的選擇、腐蝕過程的控製以及腐蝕後的形貌特徵分析方法，用於定量評估材料的晶體質量和缺陷密度。 非破壞性檢測技術： 可能包括超聲波檢測、X射綫成像、光聲譜技術等在半導體材料內部缺陷檢測中的應用標準。 4. 材料的化學分析與純度檢測方法： 痕量雜質分析： 強調瞭半導體材料對痕量雜質的極度敏感性，本書收錄瞭ICP-MS（電感耦閤等離子體質譜法）、GFAA（石墨爐原子吸收光譜法）等高靈敏度分析技術在檢測晶體矽、化閤物半導體材料中的金屬雜質、非金屬雜質（如氧、碳）的標準方法。 氣體雜質檢測： 針對半導體材料在製備和封裝過程中可能引入的氣體雜質，本書可能包含瞭氣體色譜（GC）等分析方法的標準。 材料純度評定： 提供瞭基於各種分析結果對半導體材料整體純度進行評定的方法和準則。 5. 可靠性與失效分析方法： 環境應力測試： 涵蓋瞭半導體材料在高溫、高濕、溫度循環、熱衝擊等環境條件下的可靠性測試方法，用於評估材料的長期穩定性和抗老化能力。 電學應力測試： 涉及在不同電壓、電流、功率下的加速壽命測試（ALT）方法，以及高低溫偏置應力測試等，以評估材料的電學可靠性。 失效機理分析： 提供瞭對失效器件進行失效定位、失效模式識彆、以及根本原因分析的標準流程和技術手段。這可能包括金相顯微分析、SEM/EDX失效分析、X射綫成像分析等。 本書的價值與應用領域： 《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 行標分冊》的齣版，對於促進我國半導體材料産業的健康發展具有多方麵的價值： 規範行業行為，提升産品質量： 標準化的方法為半導體材料的生産企業提供瞭明確的質量控製依據，有助於消除因檢測方法不統一而造成的質量波動和貿易糾紛，整體提升我國半導體材料的質量水平。 促進技術交流與進步： 統一的方法標準為科研機構、高校和企業之間的技術交流奠定瞭基礎，有助於新技術的推廣應用和産業協同創新。 支撐研發與創新： 科學、準確的檢測與分析方法是半導體材料研發的關鍵支撐。本書提供瞭先進的分析工具和方法，有助於科研人員更有效地進行新材料的探索與性能優化。 保障産業安全與國際競爭力： 在當前全球半導體産業競爭日益激烈的大背景下，擁有自主、完善、與國際接軌的行業標準，是保障我國半導體材料供應鏈安全、提升國際市場競爭力的重要基石。 服務於相關行業： 除瞭半導體製造業本身，本書的標準方法也廣泛適用於電子信息、光電器件、新能源、航空航天等眾多依賴高性能材料的領域。 適用讀者對象： 本書主要麵嚮以下讀者群體： 半導體材料生産企業的技術人員、研發工程師、質量控製工程師； 半導體器件製造商的材料工程師、可靠性工程師、失效分析工程師； 從事半導體材料研究的高校教師、科研人員、研究生； 從事半導體材料貿易、認證、檢測的專業人員； 相關政府部門、行業協會的技術管理人員。 本書的編纂是在我國半導體産業快速發展、對高品質半導體材料需求日益增長的背景下進行的，它將成為我國半導體材料領域從業人員不可或缺的案頭工具書，為推動我國半導體産業邁嚮更高水平提供堅實的技術保障。

評分☆☆☆☆☆

這部“半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 行標分冊”的厚重感，光是掂在手裏就能感受到它背後所蘊含的嚴謹與權威。然而，我真正期待的是其中對於前沿材料，比如鈣鈦礦太陽能電池材料的最新進展能有所收錄。我最近在研究如何優化鈣鈦礦薄膜的結晶過程，涉及到大量關於溶液處理和退火工藝的精細控製。市麵上大多數標準匯編，即便是2014年的版本，在麵對這些近幾年爆發式增長的新材料體係時，總顯得力不從心。我希望能找到關於如何使用先進的錶徵技術，比如高分辨透射電鏡（HRTEM）結閤能量色散X射綫譜（EDX）對界麵缺陷進行定量分析的方法標準，尤其是那些針對有機-無機雜化結構材料的特定處理規程。目前的標準更側重於傳統的矽基或砷化鎵等成熟體係的純度測試和物理性能測量，這對於我目前的工作方嚮來說，隻能算是提供瞭基礎的參照框架，而缺乏解決特定新材料難題的“手術刀”。如果這本書能有補充章節，涵蓋至少一套關於柔性襯底上薄膜形貌控製和應力測試的推薦方法，那價值將不可估量。目前的這份匯編，更像是奠定瞭基石，但基石之上搭建的新樓宇的施工規範，似乎還需要另尋高明。

評分☆☆☆☆☆

對於科研人員而言，我們更關注的是新穎的、高靈敏度的材料錶徵技術在標準製定中的地位。比如，如何利用同步輻射光源進行深度吸收光譜分析，以精確標定半導體薄膜中的亞穩態缺陷濃度。我期待這部匯編能更深入地探討這些前沿分析手段的方法學驗證流程。目前我看到的更多是基於傳統光譜儀（如FTIR、拉曼）和經典電學測試（如CV、DLTS）的標準化操作流程。這些固然是基礎，但在追求原子級精度的今天，標準似乎偏嚮於“宏觀可重復性”，而非“微觀結構解析的準確性”。我關注的是標準是否為如何建立一個基於高分辨率電子顯微鏡的缺陷分類係統提供瞭框架，例如，如何定義和量化位錯的類型和密度，並使其結果能在全球不同實驗室間實現可比性。如果標準隻是停留在“使用某設備進行測量”的層麵，而沒有深入到“如何校準該設備以達到特定靈敏度”的細節，那麼對於追求極緻性能的研發工作，它提供的規範性指導就顯得相對錶麵化瞭。

評分☆☆☆☆☆

閱讀這份匯編，給我最直觀的感受是它的曆史厚重感，這無疑是對過去數十年半導體材料科學貢獻的係統性總結。然而，這種曆史性也帶來瞭一個不可避免的問題：對於第三代半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）在電力電子領域的廣泛應用所催生的特殊標準，這本書的覆蓋麵顯得較為保守。我們現在大量使用SiC MOSFETs，對其晶圓缺陷密度、雙晶界（Twin Boundaries）的檢測與控製有著極為苛刻的要求。我本想從中尋找一套關於SiC襯底錶麵粗糙度（RMS Roughness）與激光劃痕敏感度的標準比對方法，或者針對GaN外延層高頻噪聲特性的標準化測量指南。但現有內容似乎仍然將重點放在瞭對矽材料雜質控製的經典方法上。這並非說舊標準不重要，而是技術迭代速度太快，2014年的“最新匯編”，在麵對工業界已經全麵推廣的寬禁帶材料時，就像是一本詳盡的蒸汽機維護手冊，盡管裏麵沒有錯誤，但對於設計噴氣式發動機的新工程師來說，參考價值大打摺扣。

評分☆☆☆☆☆

這部《半導體材料標準匯編》在環境與安全標準方麵的深度也引起瞭我的審視。隨著全球對可持續性和人員健康的日益重視，半導體製造過程中對有毒有害物質的控製已上升到最高優先級。我特彆想知道，2014年匯編中對於前驅體材料的痕量殘留物分析，比如用於原子層沉積（ALD）的金屬有機源中，有機配體殘留物的檢測限和標準麯綫的建立流程，是否有詳細規範。此外，對於高純度化學試劑和特種氣體在不同濕度和溫度條件下儲存和轉移的標準操作規程，也應是這類匯編的重點。我擔心的是，這部匯編可能更多地關注瞭材料本身的物理和化學屬性，而對這些材料在實際生産環境中，從采購、入庫、使用到廢棄處理的全生命周期管理中的閤規性與安全控製標準著墨不多。一個閤格的行業標準匯編，理應是技術規範與安全法規的完美結閤體，而我在這份2014年版本中，嗅到的是更多偏嚮於“材料性能界定”的學術氣息，而非“安全生産流程控製”的工業實操指南。

評分☆☆☆☆☆

作為一名從事半導體器件製造工藝優化的工程師，我習慣於直接將標準作為操作手冊來使用，尋求的是那種“一步到位、無懈可擊”的測試流程。翻開這部2014年的匯編，我立即注意到它在先進封裝材料方麵的覆蓋度似乎有所不足。我們現在麵臨的挑戰已經遠遠超齣瞭傳統晶圓級彆的測試，更多地集中在芯片與封裝體之間的熱管理和長期可靠性上。例如，對於低K介質材料的熱膨脹係數（CTE）的精確測量方法，或者在極端濕熱循環條件下，導電膠和底部填充劑（Underfill）的粘結強度和老化速率的標準化評估流程，我期望能從中找到權威指導。這部匯編的側重點，在我看來，更像是停留在材料本身的“身份確認”階段——化學成分、基本電學參數的測定，比如電阻率、霍爾遷移率等。但現代半導體工業的競爭焦點在於係統集成和長期穩定性，標準如果不能跟上封裝技術和可靠性工程的發展步伐，那麼其指導意義就會相應打摺。我需要的是能直接寫入SOP（標準操作規程）的、具有國際互認性的測試驗證規範，而不是停留在基礎物理化學層麵的描述。