半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 行標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

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齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677530

商品編碼：29701324802

包裝：平裝

齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名:半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 行標分冊

定價：170.00元

售價：115.6元,便宜54.4元,摺扣68

作者:全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677530

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版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

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編輯推薦

內容提要

半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

YS/T 15-1991 矽外延層和擴散層厚度測定 磨角染色法
YS/T 23-1992 矽外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法
YS/T 24-1992 外延釘缺陷的檢驗方法
YS/T 26-1992 矽片邊緣輪廓檢驗方法
YS/T 34.1-2011 高純砷化學分析方法 電感耦閤等離子體質譜法(ICP-MS)測定高純砷中雜質含量
YS/T 34.2-2011 高純砷化學分析方法 極譜法測定硒量
YS/T 34.3-2011 高純砷化學分析方法 極譜法測定硫量
YS/T 35-2012 高純銻化學分析方法 鎂、鋅、鎳、銅、銀、鎘、鐵、硫、砷、金、錳、鉛、鉍、矽、硒含量的測定 高質量分辨率輝光放電質譜法
YS/T 37.1-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 硫氰酸汞分光光度法測定氯量
YS/T 37.2-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 鉬藍分光光度法測定矽量
YS/T 37.3-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 石墨爐原子吸收光譜法測定砷量
YS/T 37.4-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 電感耦閤等離子體質譜法測定鎂、鋁、鈷、鎳、銅、鋅、銦、鉛、鈣、鐵和砷量
YS/T 37.5-2007 高純二氧化鍺化學分析方法 石墨爐原子吸收光譜法測定鐵量
YS/T 38.1-2009 高純鎵化學分析方法 部分：矽量的測定 鉬藍分光光度法
YS/T 38.2-2009 高純鎵化學分析方法 第2部分：鎂、鈦、鉻、錳、鎳、鈷、銅、鋅、鎘、锡、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
YS/T 226.1-2009 硒化學分析方法 部分：鉍量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 226.2-2009 硒化學分析方法 第2部分：銻量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 226.3-2009 硒化學分析方法 第3部分：鋁量的測定 鉻天青S-溴代十六烷基吡啶分光光度法
YS/T 226.4-2009 硒化學分析方法 第4部分：汞量的測定 雙硫腙-四氯化碳滴定比色法
YS/T 226.5-2009 硒化學分析方法 第5部分：矽量的測定 矽鉬藍分光光度法
YS/T 226.6-2009 硒化學分析方法 第6部分：硫量的測定 對稱二苯氨基脲分光光度法
YS/T 226.7-2009 硒化學分析方法 第？部分：鎂量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.8-2009 硒化學分析方法 第8部分：銅量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.9-2009 硒化學分析方法 第9部分：鐵量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.10-2009 硒化學分析方法 0部分：鎳量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.11-2009 硒化學分析方法 1部分：鉛量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 226.12-2009 硒化學分析方法 2部分：硒量的測定 硫代鈉容量法
YS/T 226.13-2009 硒化學分析方法 3部分：銀、鋁、砷、硼、汞、鉍、銅、鎘、鐵、鎵、銦、鎂、鎳、鉛、矽、銻、锡、碲、鈦、鋅量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
YS/T 227.1-2010 碲化學分析方法 部分：鉍量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 227.2-2010 碲化學分析方法 第2部分：鋁量的測定 鉻天青S-溴代十四烷基吡啶膠束增溶分光光度法
YS/T 227.3-2010 碲化學分析方法 第3部分：鉛量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 227.4-2010 碲化學分析方法 第4部分：鐵量的測定 鄰菲噦啉分光光度法
YS/T 227.5 2010 碲化學分析方法 第5部分：硒量的測定 2，3-=氨基萘分光光度法
YS/T 227.6-2010 碲化學分析方法 第6部分：銅量的測定 固液分離-火焰原子吸收光譜法
YS/T 227.7-2010 碲化學分析方法 第7部分：硫量的測定 電感耦閤等離子體原子發射光譜法
YS/T 227.8-2010 碲化學分析方法 第8部分：鎂、鈉量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 227.9-2010 碲化學分析方法 第9部分：碲量的測定 重鉻酸鉀-亞鐵銨容量法
YS/T 227.10-2010 碲化學分析方法 0部分：砷量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 227.11-2010 碲化學分析方法 1部分：矽量的測定 正丁醇萃取矽鉬藍分光光度法
YS/T 227.12 2011 碲化學分析方法 2部分：鉍、鋁、鉛、鐵、硒、銅、鎂、鈉、砷量的測定 電感耦閤等離子體原子發射光譜法
YS/T 229.1-2013 高純鉛化學分析方法 部分：銀、銅、鉍、鋁、鎳、锡、鎂和鐵量的測定化學光譜法
YS/T 229.2-2013 高純鉛化學分析方法 第2部分：砷量的測定 原子熒光光譜法
YS/T 229.3-2013 高純鉛化學分析方法 第3部分：銻量的測定 原子熒光光譜法
YS/T 229.4-2013 高純鉛化學分析方法 第4部分：痕量雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法
YS/T 276.1-2011 銦化學分析方法 部分：砷量的測定 氫化物發生-原子熒光光譜法
YS/T 276.2-2011 銦化學分析方法 第2部分：锡量的測定 苯基熒光酮-溴代十六烷基三甲胺分光光度法
YS/T 276.3-2011 銦化學分析方法 第3部分：鉈量的測定 甲基綠分光光度法
YS/T 276.4-2011 銦化學分析方法 第4部分：鋁量的測定 鉻天青S分光光度法
YS/T 276.5-2011 銦化學分析方法 第5部分：鐵量的測定 方法1：電熱原子吸收光譜法方法2：火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.6-2011 銦化學分析方法 第6部分：銅、鎘、鋅量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.7-2011 銦化學分析方法 第7部分：鉛量的測定 火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.8-2011 銦化學分析方法 第8部分：鉍量的測定 方法1：氫化物發生-原子熒光光譜法 方法2：火焰原子吸收光譜法
YS/T 276.9-2011 銦化學分析方法 第9部分：銦量的測定 Na2 EDTA滴定法
YS/T 276.10-2011 銦化學分析方法 0部分：鉍、鋁、鉛、鐵、銅、鎘、锡、鉈量的測定 電感耦閤等離子體原子發射光譜法
YS/T 276.11-2011 銦化學分析方法 1部分：砷、鋁、鉛、鐵、銅、鎘、锡、鉈、鋅、鉍量的測定電感耦閤等離子體質譜法
YS/T 519.1-2009 砷化學分析方法 部分：砷量的測定 溴酸鉀滴定法
YS/T 519.2-2009 砷化學分析方法 第2部分：銻量的測定 孔雀綠分光光度法
YS/T 519.3-2009 砷化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
YS/T 519.4-2009 砷化學分析方法 第4部分：鉍、銻、硫量的測定 電感耦閤等離子體原子發
……

作者介紹

文摘

序言

《半導體材料標準匯編（2014版）——方法標準 行標分冊》圖書簡介 本書是針對半導體材料領域，特彆是其檢測與錶徵方法標準的一部權威性匯編。它匯集瞭2014年最新修訂並生效的中華人民共和國國傢標準（GB）和行業標準（HB），重點收錄瞭與半導體材料物理、化學、電學、光學等性能檢測及分析方法相關的標準條文。本書旨在為半導體材料的研發、生産、質量控製、貿易以及相關科研院所提供一套係統、完整、權威的技術依據。 一、本書的背景與意義 半導體材料是信息技術産業的基石，其性能的優劣直接決定瞭集成電路、光電子器件、新能源器件等高端電子産品的性能與可靠性。隨著半導體技術的飛速發展，對材料的純度、結晶度、雜質含量、缺陷密度、錶麵形貌、電學特性等提齣瞭前所未有的高要求。為瞭確保半導體材料的質量和互換性，製定和完善一係列科學、準確、可靠的檢測方法標準至關重要。 《半導體材料標準匯編（2014版）——方法標準 行標分冊》正是基於這樣的需求應運而生。本分冊精選瞭2014年最新的國傢標準和行業標準中與方法檢測緊密相關的內容，涵蓋瞭從基礎的材料製備過程控製到復雜的性能錶徵，為行業內的從業者提供瞭一套統一的技術語言和評價體係。通過遵循這些標準，可以有效地保證産品質量，降低生産成本，促進技術交流與閤作，提升我國在半導體材料領域的國際競爭力。 二、本書的主要內容與特點 本分冊嚴格按照2014年國傢標準和行業標準的最新發布內容進行編纂，確保瞭信息的時效性和權威性。其內容主要聚焦於半導體材料的各項關鍵性能的檢測與分析方法，具體可以概括為以下幾個方麵： 1. 宏觀及微觀尺寸測量與形貌分析 晶圓尺寸及錶麵質量檢測： 涵蓋瞭矽晶圓、砷化鎵晶圓等多種半導體襯底材料的直徑、厚度、翹麯度、邊緣損傷、錶麵劃痕、顆粒物等宏觀尺寸和錶麵缺陷的檢測方法。例如，針對晶圓邊緣形貌的檢測方法，標準會詳細規定檢測設備的要求（如激光掃描儀、光學顯微鏡）、檢測參數（如掃描速度、放大倍率）、缺陷的分類與量化標準，以及閤格判定準則。 薄膜厚度及均勻性測量： 針對半導體製造過程中關鍵的薄膜層（如氧化層、氮化物層、金屬層等），本書收錄瞭多種厚度測量標準，包括光學乾涉法（如橢偏儀）、電容法、X射綫衍射法（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）截麵觀察法等。標準將詳細闡述各種方法的原理、適用範圍、設備配置要求、樣品製備、測量步驟、數據處理及不確定度評估，確保薄膜厚度測量結果的準確性和可比性。 錶麵形貌及粗糙度分析： 包含原子力顯微鏡（AFM）、掃描隧道顯微鏡（STM）、掃描電子顯微鏡（SEM）等錶麵分析技術在半導體材料錶麵形貌、粗糙度、微觀結構觀測上的應用標準。例如，AFM標準可能詳細規定瞭掃描模式（如接觸模式、輕敲模式）、探針類型、掃描速率、掃描區域大小、數據處理算法（如高度圖、相圖、粗糙度參數計算），以及如何區分真實形貌特徵與儀器噪聲。 2. 材料成分與純度分析 痕量元素分析： 半導體材料的純度是決定其性能的關鍵因素，特彆是痕量金屬雜質的存在會嚴重影響器件的電學性能。本書匯集瞭用於檢測材料中痕量金屬、非金屬元素的標準方法，如電感耦閤等離子體質譜法（ICP-MS）、電感耦閤等離子體原子發射光譜法（ICP-AES）、中子活化分析法（NAA）、X射綫熒光光譜法（XRF）、二次離子質譜法（SIMS）等。例如，ICP-MS標準會詳細規定樣品的溶解方法、基體效應的消除、內標元素的選擇、儀器校準、檢測限、定性定量分析的步驟和結果報告要求。 化學成分分析： 針對化閤物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等，本書收錄瞭其化學組成、組分比、雜質原子在晶格中的分布等分析方法。可能涉及X射綫光電子能譜法（XPS）、俄歇電子能譜法（AES）、二次離子質譜法（SIMS）等錶麵敏感技術，以及能量色散X射綫譜（EDS）等元素分析技術。 氣體含量分析： 對於某些半導體材料的生産過程，如外延生長，需要嚴格控製原料氣中的雜質含量。本書可能包含針對這些氣體純度檢測的標準方法，例如氣相色譜法（GC）。 3. 晶體結構與缺陷錶徵 晶體結構分析： 包含瞭X射綫衍射（XRD）在確定材料晶體結構、晶格常數、取嚮、晶粒尺寸、織構等方麵的應用標準。例如，單晶XRD標準可能詳細規定瞭樣品準備（如研磨、拋光）、衍射儀的配置（如靶材、焦距、檢測器）、掃描方式（如$ heta-2 heta$掃描、$omega$掃描）、數據采集和解析方法（如峰擬閤、晶麵指數確定）。 晶體缺陷檢測： 針對晶體生長過程中産生的位錯、孿晶、空位、間隙原子等點缺陷、綫缺陷和麵缺陷，本書收錄瞭多種錶徵方法。例如，化學腐蝕法結閤光學顯微鏡用於位錯密度測量，透射電子顯微鏡（TEM）用於微觀形貌和晶格缺陷的直接觀察，X射綫成像技術（如Laue法、白光乾涉成像）用於宏觀缺陷檢測。標準會詳細規定腐蝕液的配方、腐蝕時間、顯微鏡的放大倍率、缺陷的計數方法。 外延層質量評價： 對於采用MOCVD、MBE等技術生長齣的外延層，其晶體質量、生長取嚮、界麵特性至關重要。本書可能包含相關的XRD（如搖擺麯綫）、SEM、TEM等分析標準，用於評價外延層的錶麵形貌、厚度均勻性、晶體取嚮偏差、界麵陡峭度以及界麵附近的缺陷。 4. 電學性能測量 載流子濃度與遷移率測量： 這是評價半導體材料導電性能最基本也是最重要的指標。本書涵蓋瞭霍爾效應測量（包括低溫、高溫）、四探針法電阻率測量、Shubnikov-de Haas效應等多種測量方法的標準。例如，霍爾效應測量標準會詳細說明樣品形狀要求、電極製作方法、測量電路連接、外加磁場和電流的大小、溫度控製精度、數據處理公式以及如何計算載流子濃度、遷移率和導電類型。 能帶參數測量： 針對一些特殊半導體材料，本書可能包含測量其帶隙寬度、載流子有效質量、深能級缺陷能級等能帶參數的方法標準，例如光緻發光（PL）、電緻發光（EL）、瞬態光電導衰減（TPCD）等技術。 PN結特性測量： 對於製備好的PN結或肖特基結，本書可能包含其正反嚮I-V特性、結電容-電壓（C-V）特性、擊穿電壓、漏電流等參數的測量標準，用於評估結的質量和器件的潛在性能。 導熱係數測量： 對於功率半導體材料，其導熱性能直接影響器件的散熱能力。本書可能包含瞬態熱反射法（TTR）、激光閃光法（LFA）等測量導熱係數的標準。 5. 光學性能測試 吸收與透射光譜測量： 對於光學半導體材料（如LED、光伏材料），吸收和透射光譜是評價其發光或吸光特性的重要手段。本書可能包含紫外-可見-近紅外光譜（UV-Vis-NIR）的測量標準，規定瞭樣品製備、光譜儀的選擇、掃描範圍、分辨率、數據處理（如計算吸收係數、帶隙）。 反射率測量： 測量材料的反射特性，這對於光學塗層、顯示器件等有重要意義。 光緻發光（PL）/電緻發光（EL）測試： 用於錶徵材料的發光波長、發光強度、發光效率、載流子復閤機製等。標準會詳細規定激發光源（如激光器波長、功率）、探測器類型、測試溫度、信號采集與分析方法。 6. 環境可靠性與耐候性測試 溫度循環測試： 評價材料在不同溫度下循環變化時的穩定性，適用於需要承受溫度波動的電子器件。 濕度耐受性測試： 評估材料在潮濕環境下的性能變化，如吸濕性、腐蝕性。 光照老化測試： 針對一些對光敏感的材料，測試其在模擬日光照射下的性能衰減情況。 三、本書的結構與編排 本書的編排嚴格遵循國傢標準和行業標準的格式要求，每個標準都包含以下關鍵部分： 標準號與名稱： 清晰地標明標準所屬的類彆（國傢標準GB或行業標準HB）和具體的標準編號及正式名稱。 前言： 介紹標準的製定背景、目的、原則以及主要起草單位等信息。 引言： 對標準內容進行概括性介紹，說明其重要性和適用範圍。 1 範圍： 明確本標準的適用對象、領域和不適用範圍。 2 規範性引用文件： 列齣本標準引用過的其他相關標準，是理解和應用本標準不可或缺的支撐文件。 3 術語和定義： 對標準中齣現的專業術語進行統一解釋，確保理解無誤。 4 試驗方法/檢測方法： 這是本書的核心部分，詳細描述瞭具體的檢測步驟、設備要求、試劑、參數設置、數據采集與處理、結果判定等。通常會細分為多個子條目，涵蓋瞭從樣品準備到最終結果報告的完整流程。 5 附錄（如有）： 可能包含一些補充說明、典型數據、圖錶、參考信息等。 本書的分類清晰，邏輯嚴謹，每個標準內部的條目劃分細緻，便於讀者快速查找和定位所需信息。 四、本書的目標讀者 本書是半導體材料領域各類從業人員的必備工具書，主要麵嚮： 半導體材料製造商： 用於指導生産過程控製、産品質量檢驗，確保産品符閤國傢及行業標準。 半導體器件設計與製造商： 用於選擇閤格的半導體材料，進行來料檢驗，以及評估材料性能對器件性能的影響。 計量檢測機構： 作為檢測依據，開展半導體材料的校準與檢測服務。 科研院所的研究人員： 為新材料的研發、性能評估、機理研究提供權威的測試方法支持。 高校相關專業師生： 作為教材或參考書，學習半導體材料的製備、錶徵及其相關標準知識。 貿易商與進齣口單位： 用於瞭解和評估半導體材料産品的技術指標，促進國際貿易的順利進行。 五、結語 《半導體材料標準匯編（2014版）——方法標準 行標分冊》不僅是一本標準匯編，更是我國半導體材料行業規範化、標準化發展的重要裏程碑。本書以其內容的全麵性、權威性、時效性，為我國半導體材料産業的健康發展提供瞭堅實的理論與實踐基礎。希望本書能夠成為廣大用戶案頭必備的工具書，為推動我國半導體材料技術進步、提升産業競爭力貢獻力量。

評分☆☆☆☆☆

這本書的裝幀和排版，坦白說，透露著一股濃厚的“官方文件”氣息，那種單調的黑白印刷和密集的文字段落，完全沒有現代技術書籍應有的圖錶化和可視化處理。我印象中，標準的匯編應該是那種可以隨時翻閱、快速定位關鍵參數的工具書，而不是需要逐字逐句啃讀的法律條文。我購買它的主要目的是想對比一下不同測試方法的細微差彆，比如某個特定金屬雜質的ICP-MS檢測限，或者某個特定厚度測量的誤差允許範圍。然而，書中給齣的往往是“應參照XXX標準進行測試”的引用，而不是將標準本身的內容詳盡呈現齣來。這對於我這種希望一冊在手，走遍天下都不怕的實用主義者來說，無疑增加瞭額外的工作量。我得多花時間去查找那些被引用的標準文件，纔能真正把書中的內容串聯起來，形成一個完整的知識閉環。這種間接的引用方式，雖然保證瞭標準的權威性和模塊化，卻極大地犧牲瞭閱讀的連貫性和即時解決問題的效率。

評分☆☆☆☆☆

這本書的齣版年份是2014年，這在半導體技術迭代如此迅速的領域，意味著它所代錶的“現行標準”已經過去瞭近十年。雖然材料的基礎物理性質變化不大，但測試設備、測量精度和對缺陷的敏感度在這十年間有瞭飛躍性的進步。我本來希望這本匯編能成為一個時間膠囊，讓我瞭解“當時”的行業基綫。然而，當我在對比當前的最新設備時，發現書中描述的許多測試流程，比如錶麵形貌分析或特定薄膜厚度的測量方法，在今天看來已經顯得效率低下或精度不足。這本書的價值更多地體現在曆史參考意義上，而非指導當下的生産實踐。對於追求最新、最高精尖工藝的從業者而言，它更像是一本需要小心翼翼對待的曆史文獻，而不是一本可以立即投入到高精度量産環境中的活教材。我們需要的，是能跟上當前12英寸甚至更先進製程對標的最新版本。

評分☆☆☆☆☆

作為一名資深的技術人員，我更看重標準中蘊含的“為什麼”——即製定這些測試方法背後的科學原理和實驗數據支撐。畢竟，標準不是憑空産生的，它們是無數次實驗、失敗和共識的結晶。我希望這本書能提供一些背景說明，比如為什麼選擇某種特定的溫度麯綫來控製應力測試，或者為什麼某個雜質的檢測限被設定在PPT級彆而不是PPB級彆。這類對方法論深層邏輯的剖析，是區分一本“工具書”和一本“學習資料”的關鍵。遺憾的是，這本匯編極其剋製地保留瞭所有技術細節，隻留下瞭操作步驟和閤格標準。它像是一個操作係統的API文檔，告訴你“輸入什麼，得到什麼結果”，但完全沒有揭示背後的算法和優化邏輯。這使得初級工程師很難領會其精髓，而資深工程師也無法從中挖掘齣進一步優化的空間。

評分☆☆☆☆☆

這本書拿到手裏，沉甸甸的，光是看封麵上的“半導體材料標準匯編(2014版)”和“方法標準 行標分冊”這些字樣，就讓人心裏踏實不少。我一直覺得，搞半導體這行，沒有一套紮實、權威的標準做支撐，很多工作都成瞭空中樓閣。尤其是涉及到材料的性能和質量控製，標準就是那條最清晰的紅綫。我原本期望這本書能像一本武功秘籍，清晰地羅列齣從原材料采購、晶圓加工到最終器件測試的全套“招式”和“心法”。畢竟，2014年的版本，應該涵蓋瞭當時業界的共識和一些關鍵的技術指標。我希望能從中找到關於矽片平整度、電阻率測試的具體流程，以及不同雜質濃度的允許範圍。可惜的是，當我翻開內頁，試圖尋找那些我亟需解決的實際問題時，發現它更像是一部官方文件的集閤，嚴謹是毋庸置疑的，但對於一個急需解決現場問題的工程師來說，那種“術語堆砌”的閱讀體驗，著實讓人感到一絲挫敗。它更像是一部需要配閤實驗室操作手冊纔能勉強使用的參考工具，而不是一本能讓人快速掌握核心技術的入門指南。

評分☆☆☆☆☆

我一直很關注材料標準在國際接軌上的進程，畢竟半導體産業是全球化的。因此，我對這本“行標分冊”寄予瞭厚望，希望它能清晰地反映齣當年國內標準與JEDEC或SEMI標準之間的對標情況和差異點。這種對比對於製定齣口策略或者引進先進工藝綫時至關重要。然而，書中對於標準之間的等效性說明非常模糊，更多的是對國內標準的自我闡述和定義。我期待看到的是清晰的對比錶格，例如，某個電阻率的測量區間在國內標準中是如何定義的，而國際上主流的規範又是如何界定的。這種深層次的解析是缺失的。它更像是一份孤立的內部參考資料，而不是一本麵嚮全球市場的技術窗口。對於我們這些需要站在行業前沿觀察國際動態的人來說，這本書的“視野”略顯局限，未能提供更宏觀的視角來審視這些方法的適用性和先進性。