基本信息
书名:模拟CMOS集成电路设计(国外名校新教材精选)
定价:75.00元
作者:(美)毕查德?拉扎维作 陈贵灿程军张瑞智者
出版社:西安交通大学出版社
出版日期:2014-06-01
ISBN:9787560516066
字数:
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.922kg
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内容提要
毕查德·拉扎维编著的这本《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
《模拟CMOS集成电路设计》是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用,也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。
目录
作者简介中文版前言译者序序致谢第1章 模拟电路设计绪论第2章 MOS器件物理基础第3章 单级放大器第4章 差动放大器第5章 无源与有源电流镜第6章 放大器的频率特性第7章 噪声第8章 反馈第9章 运算放大器第10章 稳定性与频率补偿第11章 带隙基准第12章 开关电容电路第13章 非线性与不匹配第14章 振荡器第15章 锁相环第16章 短沟道效应与器件模型第17章 CMOS工艺技术第18章 版图与封装英汉词汇对照
作者介绍
毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett—Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。 拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。 拉扎维教授于1994年因为的编辑能力获ISSCC的Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获*论文奖,1995年和1997年ISSCC的*专题小组奖,1997年TRw创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议*论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF微电子学》(Prentice Hall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。
文摘
序言
总而言之,对于任何一个严肃的模拟IC设计工程师或研究生来说,这本书几乎可以作为案头必备的参考手册。它的覆盖面广,从基础的偏置电路到复杂的锁相环(PLL)中的关键模块,都有深入的讲解。我个人认为,它最大的价值在于提供了一种系统化的、自洽的设计哲学。它教的不仅仅是“如何搭建一个OTA(运算跨导放大器)”,而是“在给定的工艺和规格下,如何通过系统的迭代和优化,设计出一个满足要求的OTA”。书中的一些高级话题,比如低压差设计(LDO)的环路补偿技巧,以及开关电容网络的非理想性分析,都体现了作者在领域内深厚的积累。虽然初看起来篇幅巨大,内容密度极高,但如果能沉下心来,结合动手仿真(比如使用SPICE),这本书绝对能帮助读者构建起一套坚不可摧的模拟设计知识体系框架,使其在面对真实项目时,能够胸有成竹,少走弯路。
评分坦白说,这本书的阅读体验并非一帆风顺,它对读者的基础知识要求相当高。如果你对半导体物理和基本的器件工作原理没有扎实的背景,初读起来可能会感到吃力。我记得刚接触到那些复杂的模型方程时,着实花了不少时间去消化和理解那些希腊字母代表的物理意义。但正是这种挑战性,让这本书的价值愈发凸显。它逼着你去思考,而不是被动接受。我特别欣赏作者在讲解反馈机制和稳定性分析时所采用的清晰逻辑链条。从波特图的绘制到相位裕度的计算,每一步的衔接都极其自然流畅,仿佛在解一个精心设计的谜题。它没有回避那些晦涩难懂的部分,而是用图示和对比的方法,将复杂的概念分解成易于理解的模块。例如,在讲解折叠式运算放大器时,它不仅给出了电路图,还深入分析了共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)是如何受到特定晶体管尺寸影响的,这比教科书上常见的简单分析深入了不止一个层次,确实是“名校精选”应有的水准。
评分这本书最让我感到惊喜的是它对现代CMOS工艺的适应性讨论。如今的集成电路设计早已不是几十年前的“大牛管”时代,先进的深亚微米甚至纳米工艺带来了许多新的挑战,比如有限的增益带宽积、阈值电压的随机性(Mismatch)等。这本教材非常与时俱进地探讨了这些现代工艺效应。我记得有一章专门分析了匹配误差对精密采样保持电路的影响,它不仅仅停留在统计学层面,更是结合了实际的版图设计规则,比如“靠近原则”和“共质心布局”对降低失配的实际效果进行了量化分析。这种理论结合实践、兼顾历史发展与未来趋势的叙事方式,让这本书的实用价值大大增加。它不像一些老教材那样,虽然原理正确,但套用到最新的工艺节点上却束手无策。这本教材仿佛在教你如何打造一把可以适应未来战场的多功能瑞士军刀,而不是一把只适合特定环境的专用工具。
评分这本《模拟CMOS集成电路设计》的教材,拿到手沉甸甸的,光是封面设计就透着一股严谨和专业范儿。我刚开始翻阅的时候,立刻就被它详实的内容深度所震撼了。它不是那种浅尝辄止、只介绍概念的入门读物,而是真正深入到了晶体管的物理层面,讲解了亚阈值区和饱和区的各种非理想效应,这一点对于想真正掌握模拟电路设计精髓的人来说,简直是宝藏。比如,它对噪声特性的分析,不是简单地罗列几个公式,而是从热噪声、闪烁噪声的本质来源一步步推导,再结合实际电路结构给出优化建议,感觉像是请了一位经验丰富的教授在身边手把手指导,每一个细节都扣得很紧。而且,教材中穿插的大量设计实例,都取材于业界常见的拓扑结构,比如各种高精度运放、低噪声放大器,不仅仅是理论推导,更注重实际版图布局和工艺参数对性能的影响,这对于我们这些想从理论走向实践的工程师来说,无疑是跨越了一道至关重要的门槛。读完前几章,我对CMOS器件的理解深度已经有了质的飞跃,不再是死记硬背参数,而是真正理解了为什么某些参数会互相制约,如何在不同的设计目标之间进行巧妙的权衡取舍。
评分这本书的排版和插图质量,也让人印象深刻,体现了出版社的专业水准。虽然是技术类书籍,但整体视觉感受并不枯燥。电路图清晰、标注规范,尤其是一些关键性能曲线的绘制,曲线走势和关键工作点的标记都非常明确,这在分析电路的动态特性时极为重要。我尤其注意到,书中对二级管连接(Diode-Connected)晶体管的解释部分,配有详细的I-V特性图,直观展示了它如何作为理想电流源或电阻看待的原理。再者,它在处理数学推导时,善于使用不同的字体和布局来区分变量和常数,避免了长时间阅读后眼睛的疲劳。这种注重细节的编排,极大地提升了我在学习复杂设计规范时的专注度。不像有些译本,插图模糊不清,公式排版混乱,让人不得不拿着笔对照原文来对照理解,这本书的印刷质量完全可以支持长时间的案头研究和批注。
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