半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677530

商品编码：29701324802

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名:半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册

定价：170.00元

售价：115.6元,便宜54.4元,折扣68

作者:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677530

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版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

内容提要

半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T 34.1-2011 高纯砷化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯砷中杂质含量
YS/T 34.2-2011 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量
YS/T 34.3-2011 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量
YS/T 35-2012 高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法
YS/T 37.1-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测定氯量
YS/T 37.2-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量
YS/T 37.3-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定砷量
YS/T 37.4-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定镁、铝、钴、镍、铜、锌、铟、铅、钙、铁和砷量
YS/T 37.5-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定铁量
YS/T 38.1-2009 高纯镓化学分析方法 部分：硅量的测定 钼蓝分光光度法
YS/T 38.2-2009 高纯镓化学分析方法 第2部分：镁、钛、铬、锰、镍、钴、铜、锌、镉、锡、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 226.1-2009 硒化学分析方法 部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 226.2-2009 硒化学分析方法 第2部分：锑量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 226.3-2009 硒化学分析方法 第3部分：铝量的测定 铬天青S-溴代十六烷基吡啶分光光度法
YS/T 226.4-2009 硒化学分析方法 第4部分：汞量的测定 双硫腙-四氯化碳滴定比色法
YS/T 226.5-2009 硒化学分析方法 第5部分：硅量的测定 硅钼蓝分光光度法
YS/T 226.6-2009 硒化学分析方法 第6部分：硫量的测定 对称二苯氨基脲分光光度法
YS/T 226.7-2009 硒化学分析方法 第？部分：镁量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.8-2009 硒化学分析方法 第8部分：铜量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.9-2009 硒化学分析方法 第9部分：铁量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.10-2009 硒化学分析方法 0部分：镍量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.11-2009 硒化学分析方法 1部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.12-2009 硒化学分析方法 2部分：硒量的测定 硫代钠容量法
YS/T 226.13-2009 硒化学分析方法 3部分：银、铝、砷、硼、汞、铋、铜、镉、铁、镓、铟、镁、镍、铅、硅、锑、锡、碲、钛、锌量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 227.1-2010 碲化学分析方法 部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 227.2-2010 碲化学分析方法 第2部分：铝量的测定 铬天青S-溴代十四烷基吡啶胶束增溶分光光度法
YS/T 227.3-2010 碲化学分析方法 第3部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.4-2010 碲化学分析方法 第4部分：铁量的测定 邻菲哕啉分光光度法
YS/T 227.5 2010 碲化学分析方法 第5部分：硒量的测定 2，3-=氨基萘分光光度法
YS/T 227.6-2010 碲化学分析方法 第6部分：铜量的测定 固液分离-火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.7-2010 碲化学分析方法 第7部分：硫量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 227.8-2010 碲化学分析方法 第8部分：镁、钠量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.9-2010 碲化学分析方法 第9部分：碲量的测定 重铬酸钾-亚铁铵容量法
YS/T 227.10-2010 碲化学分析方法 0部分：砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 227.11-2010 碲化学分析方法 1部分：硅量的测定 正丁醇萃取硅钼蓝分光光度法
YS/T 227.12 2011 碲化学分析方法 2部分：铋、铝、铅、铁、硒、铜、镁、钠、砷量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 229.1-2013 高纯铅化学分析方法 部分：银、铜、铋、铝、镍、锡、镁和铁量的测定化学光谱法
YS/T 229.2-2013 高纯铅化学分析方法 第2部分：砷量的测定 原子荧光光谱法
YS/T 229.3-2013 高纯铅化学分析方法 第3部分：锑量的测定 原子荧光光谱法
YS/T 229.4-2013 高纯铅化学分析方法 第4部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
YS/T 276.1-2011 铟化学分析方法 部分：砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 276.2-2011 铟化学分析方法 第2部分：锡量的测定 苯基荧光酮-溴代十六烷基三甲胺分光光度法
YS/T 276.3-2011 铟化学分析方法 第3部分：铊量的测定 甲基绿分光光度法
YS/T 276.4-2011 铟化学分析方法 第4部分：铝量的测定 铬天青S分光光度法
YS/T 276.5-2011 铟化学分析方法 第5部分：铁量的测定 方法1：电热原子吸收光谱法方法2：火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.6-2011 铟化学分析方法 第6部分：铜、镉、锌量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.7-2011 铟化学分析方法 第7部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.8-2011 铟化学分析方法 第8部分：铋量的测定 方法1：氢化物发生-原子荧光光谱法 方法2：火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.9-2011 铟化学分析方法 第9部分：铟量的测定 Na2 EDTA滴定法
YS/T 276.10-2011 铟化学分析方法 0部分：铋、铝、铅、铁、铜、镉、锡、铊量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 276.11-2011 铟化学分析方法 1部分：砷、铝、铅、铁、铜、镉、锡、铊、锌、铋量的测定电感耦合等离子体质谱法
YS/T 519.1-2009 砷化学分析方法 部分：砷量的测定 溴酸钾滴定法
YS/T 519.2-2009 砷化学分析方法 第2部分：锑量的测定 孔雀绿分光光度法
YS/T 519.3-2009 砷化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
YS/T 519.4-2009 砷化学分析方法 第4部分：铋、锑、硫量的测定 电感耦合等离子体原子发
……

作者介绍

文摘

序言

《半导体材料标准汇编（2014版）——方法标准 行标分册》图书简介 本书是针对半导体材料领域，特别是其检测与表征方法标准的一部权威性汇编。它汇集了2014年最新修订并生效的中华人民共和国国家标准（GB）和行业标准（HB），重点收录了与半导体材料物理、化学、电学、光学等性能检测及分析方法相关的标准条文。本书旨在为半导体材料的研发、生产、质量控制、贸易以及相关科研院所提供一套系统、完整、权威的技术依据。 一、本书的背景与意义 半导体材料是信息技术产业的基石，其性能的优劣直接决定了集成电路、光电子器件、新能源器件等高端电子产品的性能与可靠性。随着半导体技术的飞速发展，对材料的纯度、结晶度、杂质含量、缺陷密度、表面形貌、电学特性等提出了前所未有的高要求。为了确保半导体材料的质量和互换性，制定和完善一系列科学、准确、可靠的检测方法标准至关重要。 《半导体材料标准汇编（2014版）——方法标准 行标分册》正是基于这样的需求应运而生。本分册精选了2014年最新的国家标准和行业标准中与方法检测紧密相关的内容，涵盖了从基础的材料制备过程控制到复杂的性能表征，为行业内的从业者提供了一套统一的技术语言和评价体系。通过遵循这些标准，可以有效地保证产品质量，降低生产成本，促进技术交流与合作，提升我国在半导体材料领域的国际竞争力。 二、本书的主要内容与特点 本分册严格按照2014年国家标准和行业标准的最新发布内容进行编纂，确保了信息的时效性和权威性。其内容主要聚焦于半导体材料的各项关键性能的检测与分析方法，具体可以概括为以下几个方面： 1. 宏观及微观尺寸测量与形貌分析 晶圆尺寸及表面质量检测： 涵盖了硅晶圆、砷化镓晶圆等多种半导体衬底材料的直径、厚度、翘曲度、边缘损伤、表面划痕、颗粒物等宏观尺寸和表面缺陷的检测方法。例如，针对晶圆边缘形貌的检测方法，标准会详细规定检测设备的要求（如激光扫描仪、光学显微镜）、检测参数（如扫描速度、放大倍率）、缺陷的分类与量化标准，以及合格判定准则。 薄膜厚度及均匀性测量： 针对半导体制造过程中关键的薄膜层（如氧化层、氮化物层、金属层等），本书收录了多种厚度测量标准，包括光学干涉法（如椭偏仪）、电容法、X射线衍射法（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）截面观察法等。标准将详细阐述各种方法的原理、适用范围、设备配置要求、样品制备、测量步骤、数据处理及不确定度评估，确保薄膜厚度测量结果的准确性和可比性。 表面形貌及粗糙度分析： 包含原子力显微镜（AFM）、扫描隧道显微镜（STM）、扫描电子显微镜（SEM）等表面分析技术在半导体材料表面形貌、粗糙度、微观结构观测上的应用标准。例如，AFM标准可能详细规定了扫描模式（如接触模式、轻敲模式）、探针类型、扫描速率、扫描区域大小、数据处理算法（如高度图、相图、粗糙度参数计算），以及如何区分真实形貌特征与仪器噪声。 2. 材料成分与纯度分析 痕量元素分析： 半导体材料的纯度是决定其性能的关键因素，特别是痕量金属杂质的存在会严重影响器件的电学性能。本书汇集了用于检测材料中痕量金属、非金属元素的标准方法，如电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）、电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）、中子活化分析法（NAA）、X射线荧光光谱法（XRF）、二次离子质谱法（SIMS）等。例如，ICP-MS标准会详细规定样品的溶解方法、基体效应的消除、内标元素的选择、仪器校准、检测限、定性定量分析的步骤和结果报告要求。 化学成分分析： 针对化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等，本书收录了其化学组成、组分比、杂质原子在晶格中的分布等分析方法。可能涉及X射线光电子能谱法（XPS）、俄歇电子能谱法（AES）、二次离子质谱法（SIMS）等表面敏感技术，以及能量色散X射线谱（EDS）等元素分析技术。 气体含量分析： 对于某些半导体材料的生产过程，如外延生长，需要严格控制原料气中的杂质含量。本书可能包含针对这些气体纯度检测的标准方法，例如气相色谱法（GC）。 3. 晶体结构与缺陷表征 晶体结构分析： 包含了X射线衍射（XRD）在确定材料晶体结构、晶格常数、取向、晶粒尺寸、织构等方面的应用标准。例如，单晶XRD标准可能详细规定了样品准备（如研磨、抛光）、衍射仪的配置（如靶材、焦距、检测器）、扫描方式（如$ heta-2 heta$扫描、$omega$扫描）、数据采集和解析方法（如峰拟合、晶面指数确定）。 晶体缺陷检测： 针对晶体生长过程中产生的位错、孪晶、空位、间隙原子等点缺陷、线缺陷和面缺陷，本书收录了多种表征方法。例如，化学腐蚀法结合光学显微镜用于位错密度测量，透射电子显微镜（TEM）用于微观形貌和晶格缺陷的直接观察，X射线成像技术（如Laue法、白光干涉成像）用于宏观缺陷检测。标准会详细规定腐蚀液的配方、腐蚀时间、显微镜的放大倍率、缺陷的计数方法。 外延层质量评价： 对于采用MOCVD、MBE等技术生长出的外延层，其晶体质量、生长取向、界面特性至关重要。本书可能包含相关的XRD（如摇摆曲线）、SEM、TEM等分析标准，用于评价外延层的表面形貌、厚度均匀性、晶体取向偏差、界面陡峭度以及界面附近的缺陷。 4. 电学性能测量 载流子浓度与迁移率测量： 这是评价半导体材料导电性能最基本也是最重要的指标。本书涵盖了霍尔效应测量（包括低温、高温）、四探针法电阻率测量、Shubnikov-de Haas效应等多种测量方法的标准。例如，霍尔效应测量标准会详细说明样品形状要求、电极制作方法、测量电路连接、外加磁场和电流的大小、温度控制精度、数据处理公式以及如何计算载流子浓度、迁移率和导电类型。 能带参数测量： 针对一些特殊半导体材料，本书可能包含测量其带隙宽度、载流子有效质量、深能级缺陷能级等能带参数的方法标准，例如光致发光（PL）、电致发光（EL）、瞬态光电导衰减（TPCD）等技术。 PN结特性测量： 对于制备好的PN结或肖特基结，本书可能包含其正反向I-V特性、结电容-电压（C-V）特性、击穿电压、漏电流等参数的测量标准，用于评估结的质量和器件的潜在性能。 导热系数测量： 对于功率半导体材料，其导热性能直接影响器件的散热能力。本书可能包含瞬态热反射法（TTR）、激光闪光法（LFA）等测量导热系数的标准。 5. 光学性能测试 吸收与透射光谱测量： 对于光学半导体材料（如LED、光伏材料），吸收和透射光谱是评价其发光或吸光特性的重要手段。本书可能包含紫外-可见-近红外光谱（UV-Vis-NIR）的测量标准，规定了样品制备、光谱仪的选择、扫描范围、分辨率、数据处理（如计算吸收系数、带隙）。 反射率测量： 测量材料的反射特性，这对于光学涂层、显示器件等有重要意义。 光致发光（PL）/电致发光（EL）测试： 用于表征材料的发光波长、发光强度、发光效率、载流子复合机制等。标准会详细规定激发光源（如激光器波长、功率）、探测器类型、测试温度、信号采集与分析方法。 6. 环境可靠性与耐候性测试 温度循环测试： 评价材料在不同温度下循环变化时的稳定性，适用于需要承受温度波动的电子器件。 湿度耐受性测试： 评估材料在潮湿环境下的性能变化，如吸湿性、腐蚀性。 光照老化测试： 针对一些对光敏感的材料，测试其在模拟日光照射下的性能衰减情况。 三、本书的结构与编排 本书的编排严格遵循国家标准和行业标准的格式要求，每个标准都包含以下关键部分： 标准号与名称： 清晰地标明标准所属的类别（国家标准GB或行业标准HB）和具体的标准编号及正式名称。 前言： 介绍标准的制定背景、目的、原则以及主要起草单位等信息。 引言： 对标准内容进行概括性介绍，说明其重要性和适用范围。 1 范围： 明确本标准的适用对象、领域和不适用范围。 2 规范性引用文件： 列出本标准引用过的其他相关标准，是理解和应用本标准不可或缺的支撑文件。 3 术语和定义： 对标准中出现的专业术语进行统一解释，确保理解无误。 4 试验方法/检测方法： 这是本书的核心部分，详细描述了具体的检测步骤、设备要求、试剂、参数设置、数据采集与处理、结果判定等。通常会细分为多个子条目，涵盖了从样品准备到最终结果报告的完整流程。 5 附录（如有）： 可能包含一些补充说明、典型数据、图表、参考信息等。 本书的分类清晰，逻辑严谨，每个标准内部的条目划分细致，便于读者快速查找和定位所需信息。 四、本书的目标读者 本书是半导体材料领域各类从业人员的必备工具书，主要面向： 半导体材料制造商： 用于指导生产过程控制、产品质量检验，确保产品符合国家及行业标准。 半导体器件设计与制造商： 用于选择合格的半导体材料，进行来料检验，以及评估材料性能对器件性能的影响。 计量检测机构： 作为检测依据，开展半导体材料的校准与检测服务。 科研院所的研究人员： 为新材料的研发、性能评估、机理研究提供权威的测试方法支持。 高校相关专业师生： 作为教材或参考书，学习半导体材料的制备、表征及其相关标准知识。 贸易商与进出口单位： 用于了解和评估半导体材料产品的技术指标，促进国际贸易的顺利进行。 五、结语 《半导体材料标准汇编（2014版）——方法标准 行标分册》不仅是一本标准汇编，更是我国半导体材料行业规范化、标准化发展的重要里程碑。本书以其内容的全面性、权威性、时效性，为我国半导体材料产业的健康发展提供了坚实的理论与实践基础。希望本书能够成为广大用户案头必备的工具书，为推动我国半导体材料技术进步、提升产业竞争力贡献力量。

评分☆☆☆☆☆

我一直很关注材料标准在国际接轨上的进程，毕竟半导体产业是全球化的。因此，我对这本“行标分册”寄予了厚望，希望它能清晰地反映出当年国内标准与JEDEC或SEMI标准之间的对标情况和差异点。这种对比对于制定出口策略或者引进先进工艺线时至关重要。然而，书中对于标准之间的等效性说明非常模糊，更多的是对国内标准的自我阐述和定义。我期待看到的是清晰的对比表格，例如，某个电阻率的测量区间在国内标准中是如何定义的，而国际上主流的规范又是如何界定的。这种深层次的解析是缺失的。它更像是一份孤立的内部参考资料，而不是一本面向全球市场的技术窗口。对于我们这些需要站在行业前沿观察国际动态的人来说，这本书的“视野”略显局限，未能提供更宏观的视角来审视这些方法的适用性和先进性。

评分☆☆☆☆☆

这本书的装帧和排版，坦白说，透露着一股浓厚的“官方文件”气息，那种单调的黑白印刷和密集的文字段落，完全没有现代技术书籍应有的图表化和可视化处理。我印象中，标准的汇编应该是那种可以随时翻阅、快速定位关键参数的工具书，而不是需要逐字逐句啃读的法律条文。我购买它的主要目的是想对比一下不同测试方法的细微差别，比如某个特定金属杂质的ICP-MS检测限，或者某个特定厚度测量的误差允许范围。然而，书中给出的往往是“应参照XXX标准进行测试”的引用，而不是将标准本身的内容详尽呈现出来。这对于我这种希望一册在手，走遍天下都不怕的实用主义者来说，无疑增加了额外的工作量。我得多花时间去查找那些被引用的标准文件，才能真正把书中的内容串联起来，形成一个完整的知识闭环。这种间接的引用方式，虽然保证了标准的权威性和模块化，却极大地牺牲了阅读的连贯性和即时解决问题的效率。

评分☆☆☆☆☆

这本书拿到手里，沉甸甸的，光是看封面上的“半导体材料标准汇编(2014版)”和“方法标准 行标分册”这些字样，就让人心里踏实不少。我一直觉得，搞半导体这行，没有一套扎实、权威的标准做支撑，很多工作都成了空中楼阁。尤其是涉及到材料的性能和质量控制，标准就是那条最清晰的红线。我原本期望这本书能像一本武功秘籍，清晰地罗列出从原材料采购、晶圆加工到最终器件测试的全套“招式”和“心法”。毕竟，2014年的版本，应该涵盖了当时业界的共识和一些关键的技术指标。我希望能从中找到关于硅片平整度、电阻率测试的具体流程，以及不同杂质浓度的允许范围。可惜的是，当我翻开内页，试图寻找那些我亟需解决的实际问题时，发现它更像是一部官方文件的集合，严谨是毋庸置疑的，但对于一个急需解决现场问题的工程师来说，那种“术语堆砌”的阅读体验，着实让人感到一丝挫败。它更像是一部需要配合实验室操作手册才能勉强使用的参考工具，而不是一本能让人快速掌握核心技术的入门指南。

评分☆☆☆☆☆

作为一名资深的技术人员，我更看重标准中蕴含的“为什么”——即制定这些测试方法背后的科学原理和实验数据支撑。毕竟，标准不是凭空产生的，它们是无数次实验、失败和共识的结晶。我希望这本书能提供一些背景说明，比如为什么选择某种特定的温度曲线来控制应力测试，或者为什么某个杂质的检测限被设定在PPT级别而不是PPB级别。这类对方法论深层逻辑的剖析，是区分一本“工具书”和一本“学习资料”的关键。遗憾的是，这本汇编极其克制地保留了所有技术细节，只留下了操作步骤和合格标准。它像是一个操作系统的API文档，告诉你“输入什么，得到什么结果”，但完全没有揭示背后的算法和优化逻辑。这使得初级工程师很难领会其精髓，而资深工程师也无法从中挖掘出进一步优化的空间。

评分☆☆☆☆☆

这本书的出版年份是2014年，这在半导体技术迭代如此迅速的领域，意味着它所代表的“现行标准”已经过去了近十年。虽然材料的基础物理性质变化不大，但测试设备、测量精度和对缺陷的敏感度在这十年间有了飞跃性的进步。我本来希望这本汇编能成为一个时间胶囊，让我了解“当时”的行业基线。然而，当我在对比当前的最新设备时，发现书中描述的许多测试流程，比如表面形貌分析或特定薄膜厚度的测量方法，在今天看来已经显得效率低下或精度不足。这本书的价值更多地体现在历史参考意义上，而非指导当下的生产实践。对于追求最新、最高精尖工艺的从业者而言，它更像是一本需要小心翼翼对待的历史文献，而不是一本可以立即投入到高精度量产环境中的活教材。我们需要的，是能跟上当前12英寸甚至更先进制程对标的最新版本。