專利審查指南(2010)

專利審查指南(2010) pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

中華人民共和國國傢知識産權局 編
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齣版社: 知識産權齣版社
ISBN:9787513024662
版次:1
商品編碼:11405091
包裝:精裝
開本:16開
齣版時間:2014-01-01
用紙:膠版紙
頁數:574
字數:664000
正文語種:中文,日文

具體描述

內容簡介

  《專利審查指南(2010)》主要內容包括:第一部分(初步審查)、第二部分(實質審查)、第三部分(進入國傢階段的國際申請的審查)、第四部分(復審與無效請求的審查)和第五部分(專利申請及事務處理)。一、二、四部分按專利申請的審批流程順序排列,第三部分為進入國傢階段的國際申請審查的具體規定,第五部分為適用各程序的通用規則。

內頁插圖

目錄



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前言/序言


好的,這是一份針對一部與《專利審查指南(2010)》無關的圖書的詳細簡介。為瞭滿足您的要求,我將聚焦於一部完全不同的、內容詳實的專業書籍。 --- 《現代集成電路設計與製造工藝:從納米尺度到係統級封裝》 圖書核心主題: 本書深入剖析瞭二十一世紀以來集成電路(IC)設計領域所麵臨的根本性挑戰,特彆是如何駕馭極小化工藝(如7nm及以下節點)帶來的物理限製,並係統性地介紹瞭實現高密度、高能效、高可靠性芯片的尖端設計方法論和先進製造工藝流程。 目標讀者群體: 本書麵嚮電子工程、微電子學、材料科學等相關專業的本科高年級學生、研究生、以及在半導體行業從事IC設計(前端/後端)、工藝開發和器件物理研究的工程師與研究人員。 --- 第一部分:半導體器件物理與先進製程的挑戰(約350字) 本部分首先迴顧瞭CMOS晶體管的基本工作原理,並迅速過渡到當前半導體技術麵臨的根本性物理瓶頸。詳細分析瞭尺寸縮放到納米級後,短溝道效應、量子隧穿效應(尤其是在柵極氧化層和源/漏結)對器件性能的嚴重影響。 重點探討瞭新材料和新結構的引入,例如高介電常數(High-k)柵介質和金屬柵極(HKMG)技術如何解決傳統二氧化矽柵極的漏電流問題。隨後,對FinFET(鰭式場效應晶體管)的幾何結構、電荷控製機製及其在20nm及以下節點的關鍵作用進行瞭詳盡的物理模型闡述和仿真驗證。此外,還涵蓋瞭應變矽(Strained Silicon)技術、SOI(絕緣體上矽)結構在提升載流子遷移率方麵的應用,以及新興的後CMOS器件,如FD-SOI(全耗盡SOI)和GAA(環繞柵極)晶體管的初步設計考量。 第二部分:高級電路設計方法學與驗證(約450字) 隨著設計復雜度的指數級增長,單純依靠晶體管層麵的優化已無法滿足性能要求。本部分聚焦於設計收斂性、功耗管理和時序分析的自動化流程。 深入講解瞭標準單元庫的構建和優化,特彆是在低功耗設計中,如何平衡閾值電壓(Vt)的分配以應對亞閾值泄漏電流(Subthreshold Leakage)。關於時序方麵,詳細闡述瞭靜態時序分析(STA)在深亞微米工藝中的局限性,以及如何引入先進的功耗感知型時序分析(Power-Aware STA)技術,處理動態功耗與靜態功耗的相互影響。 在物理設計(後端)流程中,本書著重介紹瞭定製化布局規劃(Custom Layout Planning)在高性能計算(HPC)和移動SoC中的關鍵作用。內容包括: 1. 布綫擁塞的預測與緩解:利用層次化設計和模塊化劃分策略。 2. IR Drop(電壓降)分析:在電源網絡設計中,如何通過優化金屬層選擇和加固電源軌來確保芯片在最大工作頻率下的電壓穩定性。 3. 寄生參數提取與建模:處理越來越顯著的互連延遲和串擾效應,特彆是對高階RC模型的精確提取和仿真。 第三部分:集成電路製造工藝流程深度解析(約450字) 本部分將讀者帶入半導體晶圓廠(Fab)的核心,詳細解析瞭從矽片準備到最終封裝的復雜製造步驟,尤其側重於極紫外光刻(EUV)和先進薄膜沉積技術。 光刻技術是核心章節之一。不僅涵蓋瞭DUV(深紫外光刻)的多重曝光技術(SADP/SAQP),更對EUV技術的工作原理、掩模版挑戰(如掩模缺陷控製)以及其在實現極小特徵尺寸中的決定性地位進行瞭深入分析。 薄膜沉積與刻蝕:詳細比較瞭PVD(物理氣相沉積)、CVD(化學氣相沉積)和ALD(原子層沉積)在精確控製層厚和薄膜均勻性方麵的優缺點。在刻蝕方麵,重點討論瞭反應離子刻蝕(RIE)如何通過調整工藝窗口來控製側壁陡峭度和均勻性,特彆是對於三維結構(如FinFET)刻蝕的挑戰。 此外,本書還專題討論瞭先進封裝技術,如2.5D/3D IC集成(如TSV——矽通孔)的製造挑戰,以及這些技術如何重新定義瞭“芯片”的邊界,為係統級性能的提升提供瞭新的維度。 第四部分:可靠性、測試與未來趨勢(約250字) 最後,本書關注於保障復雜芯片長期穩定運行的關鍵技術。 可靠性分析部分涵蓋瞭應對電遷移(EM)、靜電放電(ESD)防護網絡的設計,以及熱效應在芯片老化中的加速作用。特彆關注瞭新興的製造工藝變異(Process Variation)如何影響電路的良率和性能,以及如何通過設計冗餘和變異感知型設計(VSD)進行補償。 測試與可製造性設計(DFM)被視為貫穿整個流程的關鍵環節。詳細介紹瞭掃描鏈(Scan Chain)的插入、內建自測試(BIST)的架構,以及如何通過在設計階段就考慮製造約束,從而降低最終的製造成本和提高良率。 總結部分展望瞭摩爾定律的延續與轉變,探討瞭類腦計算芯片、光子集成電路等前沿領域對現有設計和製造範式的潛在顛覆。 --- 本書的獨特價值: 《現代集成電路設計與製造工藝》的價值在於其對“設計”與“製造”兩大領域進行瞭無縫連接的闡述。它不僅停留在理論介紹,而是緊密結閤當前業界最先進的工藝節點(如5nm及以下)和主流EDA工具的實際應用邏輯,為讀者提供瞭一個從底層物理現象到係統級架構的完整、可操作的知識體係。書中包含大量翔實的圖錶、仿真數據和案例分析,確保瞭理論的深度和實踐指導性。

用戶評價

評分

說實話,我入手這本《專利審查指南(2010)》純粹是齣於一種偶然。當時在書店裏漫無目的地閑逛,看到這本書的排版和設計,就覺得它和市麵上很多浮誇的書籍不一樣,顯得特彆“務實”。我一直覺得,真正有價值的書籍,往往不需要花哨的宣傳,它本身的內容就足以說明一切。我期待它能提供一種全新的視角,讓我能夠以一種更具係統性的方式來理解某個之前一直讓我感到睏惑的領域。我希望這本書能幫助我跳齣思維定勢,看到那些被我忽略的細節。有時候,一個好的“指南”就能像黑暗中的燈塔,指引你找到正確的方嚮。我不是一個容易滿足於淺嘗輒止的人,我喜歡深入探究事物的本質,而我感覺這本書可能就具備這樣的深度。我希望能從中學到一些能夠實際應用到工作中的方法,提升自己的專業能力。

評分

這本《專利審查指南(2010)》帶給我的,是一種沉甸甸的責任感。當我翻開它的那一頁,一股曆史的厚重感撲麵而來,仿佛它承載著無數經驗和智慧。我把它看作是一份寶貴的遺産,需要我去認真研讀、體會。我希望通過這本書,能夠培養齣一種嚴謹的治學態度,學會如何去分析和判斷,而不是人雲亦雲。我尤其看重的是那種能夠啓發思考的書籍,它們不直接給齣答案,而是引導你去尋找答案的過程。我相信,真正有價值的知識,都是通過自己一步一步摸索齣來的。這本書,我希望它能成為我思維的“磨刀石”,幫助我打磨齣更鋒利的見解,去應對未來可能遇到的各種挑戰。我期待著在書頁之間,發現那些能夠改變我認知模式的深刻洞見。

評分

我把這本《專利審查指南(2010)》放在書架上,總覺得它自帶一種“力量”。它給人的感覺,就像一個經驗豐富的智者,靜靜地等待著我去嚮他請教。我不是那種喜歡碎片化閱讀的人,我更傾嚮於沉下心來,去理解一本書的整體邏輯和脈絡。我期待這本書能夠幫助我建立起一個堅實的知識體係,讓我對某個領域有一個全麵的認識,而不是零散的片段。我希望它能提供給我一種“全局觀”,讓我能夠看到事物之間韆絲萬縷的聯係,從而做齣更明智的決策。有時候,一個小小的“指南”就能讓你少走很多彎路,甚至避免走上歧途。我希望這本書能夠成為我的“導航儀”,讓我能夠在這個復雜的知識海洋中,找到自己前進的方嚮。

評分

這本《專利審查指南(2010)》的外殼,雖然樸實無華,卻散發著一種經久不衰的魅力。在我看來,一本真正的好書,不在於它的包裝有多麼華麗,而在於它能否在讀者心中留下深刻的印記。我希望通過閱讀這本書,能夠培養齣一種獨立思考的能力,不再輕易被外界的信息所乾擾,而是能夠形成自己的判斷。我期待它能夠成為我學習過程中的“良師益友”,在我迷茫的時候給予啓發,在我睏惑的時候提供指引。我尤其看重的是那種能夠幫助我構建思維模型,並且能夠靈活運用的書籍。我相信,好的“指南”能夠幫助我認識到自己的不足,並且指明改進的方嚮。我希望這本書能成為我成長道路上的一個重要裏程碑,讓我能夠不斷超越自己。

評分

收到!以下是五段以讀者口吻撰寫的、不包含《專利審查指南(2010)》具體內容的圖書評價,每段獨立且風格迥異,字數約300字: 這本《專利審查指南(2010)》的外觀就透著一股嚴謹的氣息,厚實的書脊和清晰的字體,一看就知道是經過精心編排的。我最初是被它“指南”這個名字吸引來的,心裏想著,大概是某個領域的權威指導,能夠幫助我理清一些復雜的概念。畢竟,在這個信息爆炸的時代,找到一本真正能夠“指南”方嚮的書籍是多麼不容易。我尤其看重的是那種能夠條理分明地解釋問題,並且提供實際操作建議的書。雖然我還沒能深入研究它的具體內容,但僅從它給人的整體印象來看,我期待它能成為我學習某個新領域時的一塊敲門磚,幫助我快速建立起基本的框架,不再像之前那樣無從下手。它提供的不僅僅是知識,更是一種學習的方法論,讓我覺得即使麵對再陌生的領域,也能有一個清晰的路徑去探索。我希望它能幫我避免走彎路,快速掌握核心要點,最終能夠獨立地思考和判斷。

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