半导体物理学（第7版） pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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刘恩科著

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半导体物理学
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第七版

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出版社：电子工业出版社

ISBN：9787121320071

版次：7

商品编码：12156267

包装：平装

开本：16开

出版时间：2017-07-01

用纸：胶版纸

页数：400

字数：730000

具体描述

内容简介

　　本书以正确阐述物理概念为主，辅以必要的数学推导，理论分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹没在繁琐的数学运算中，使读者通过学习，达到对半导体中的各种基本物理现象有一全面正确的概念，建立起清晰的半导体物理图像，为后续课程的学习，研究工作的开展，理解各种半导体器件，集成电路的工作机理打下良好的基础。

作者简介

　　西安交通大学电子与信息工程学院微电子学系教授﹑博士生导师，一直从事教学及科研工作。对本科生讲授过《普通物理学》﹑《原子物理学》﹑《固体物理学》 ﹑《半导体物理学》，《半导体物理与器件》﹑《半导体器件工艺》﹑《半导体物理与工艺实验》。对硕士生讲授过《太阳电池物理》﹑《半导体集成光学》。对博士生讲授过《半导体光电子学和光集成》等课程。

前言/序言

再版前言

本教材第1版于1979年12月由国防工业出版社出版。以后，被推荐列入原电子工业部教材办公室组织编导的1982—1985年、1986—1990年、1991—1995年年度的高等学校工科电子类专业教材编审出版规划，并由《电子材料与固体器件》教材编审委员会《半导体物理与器件》编审组负责编审、推荐出版。此后，再次被推荐为国家级重点教材，并列入电子工业部的1996—2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划，由微电子技术专业教学指导委员会负责编审、推荐出版。2006年纳入普通高等教育“十一五”国家级规划教材，修订出版。2012年入围“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材，2014年被教育部评选为“普通高等教育精品教材”。

按照各次教材规划的要求，本教材第2版于1984年5月由上海科学技术出版社出版，并于1987年12月获电子工业部1977—1985年年度工科电子类专业优秀教材特等奖，1988年1月获全国高等学校优秀教材奖。第3版于1989年5月由国防工业出版社出版，并于1992年1月获第二届机械电子工业部电子类专业优秀教材特等奖，1992年11月获第二届普通高等学校优秀教材全国特等奖。第4版于1994年4月由国防工业出版社出版，第5版于1998年10月由西安交通大学出版社出版。第6版于2003年8月由电子工业出版社出版，第7版于2008年5月由电子工业出版后，于2013年3月进行改版修订，印刷12次，印数8万多册。本次是在2013年改版的基础，再次修订。依据当前教学需求再次改版。

本教材共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。各章后都附有习题和参考资料供教师、学生选用。本教材由西安交通大学刘恩科担任主编。

第7版修订由刘恩科，朱秉升，罗晋生进行。刘恩科负责第1.1～1.8节、第4章、第7章、第10.1～10.5节、第11章、第12章节及附录；朱秉升负责第1.9节、1.10节、第2章、第3章、第6章、10.6节、10.7节；罗晋生负责第5、第8、第9、第13章。修订主要做了以下一些工作：

(1)为了便于读者阅读其他有关科技书籍、文献资料，将波数矢量的大小定义为 k =2π/ λ ，并将与之有关的所有公式做了相应的修改；

(2)电场改用 E 表示，其中黑体 E 表示矢量，非黑体 E 表示标量，与之相应的公式均做了修改；

(3)常用的一些参数数据尽可能参阅近年来有关的文献资料并做了一定的更新，附录是按2004年美国出版由Madelung O.主编《Semiconductors:Data Book,3 rd edition》整理的；

(4)为便于理解GaN、AlN的能带，第1章增加了具有六方对称的纤锌矿结构的布里渊区；

(5)第2章增加了GaN、AlN、SiC中的杂质能级；

(6)第3章将载流子占据杂质能级的概率改用简并因子 g 表示的普遍公式；

(7)第4章简要地介绍了少数载流子迁移率的概念；

(8)第5章增加了硅的少数载流子寿命与扩散长度一节；

(9)第9章增加了GaN基半导体异质结构，介绍了极化效应及AlGaN/GaN和InGaN/GaN的异质结构及其特性；

(10)将原第9章中的半导体异质结在光电子器件中的应用一节移到第10章；

(11)由于罗晋生教授一丝不苟的作风，对第6版中不少错误进行了订正，期望经过这次修订尽可能将书中存在的错误降至最少。

使用本教材时，主要以前9章为主，第10章至第13章视各校情况选用。教学中第1章的1.1～1.4节视学生是否学习过固体物理学中的能带论酌情处理，第6章pn结，着重在物理过程的分析，辅以必要的数学推导，至于与生产实际联系密切的内容是属于晶体管原理课程所解决的问题。同时，为了便于教学，依据近年来教学知识体系及教学学时数的调整，以及众多学校使用本教材后反馈的信息，本次改版对全书的知识体系进行了分层。除主修内容外，将各校视需要而选修的内容，以及研究生阶段参考的理论证明，加深、拓展的内容分别以“*”和“ ★ ”标出，供各学校教学参考。

“半导体物理学”作为电子科学与技术专业的骨干课程之一，理论性和系统性均较强。为了帮助学生掌握并深刻理解课程中涉及的概念、理论和方法，以及增强解决实际问题的能力，又为本课程配套编写了《半导体物理学学习辅导及习题详解》一书(电子工业出版社出版)。同时，复旦大学蒋玉龙教授根据多年的教学体会，为本书开发了同步教学多媒体课件，需要的读者可以到华信教育资源网（www.hxedu.com.cn）申请。

本教材由刘恩科编写第1章的1.1～1.8节，第4、第7和第11、第12章及第10章的室温激子部分；朱秉升编写第2、第3、第6章及第1章的1.9节和1.10节，5.4节中的俄歇复合，以及第9章的9.1节、9.6节，第10章的10.6节、10.7节；罗晋生编写第8、第13章，第4章4.2节中的合金散射，第5章的5.9节，第9章的9.2～9.5节；屠善洁编写第10章的10.1～10.6节；亢润民编写第5章的5.1～5.8节和第7章；附录由刘恩科、亢润民整理。

在各次修订时，主审和《半导体物理与器件》教材编审组全体委员及电子科学与技术专业教学指导委员会全体委员，以及使用本教材的各院校教师，都为本书提出许多宝贵意见。本次修订，部分院校的授课教师及电子工业出版社的陈晓莉编审提供了很宝贵的意见，在此表示诚挚的感谢!

由于编者水平有限，书中难免还存在一些缺点和错误，殷切希望广大读者批评指正。

编者

2017年6

于西安交通大学

《半导体物理学》（第7版）内容详尽指南本书是一本旨在全面深入地阐述半导体材料及其物理原理的权威著作。它不仅为初学者构建坚实的理论基础，也为相关领域的专业研究者提供了宝贵的参考。本版内容在原有基础上进行了 extensive 的更新与拓展，力求反映半导体科学与技术领域最新的发展动态和研究前沿。第一部分：晶体结构与电子理论基础本部分从半导体最基本的组成单元——晶体结构入手，详细介绍了各类半导体材料（如硅、锗、砷化镓等）的晶格结构、对称性及其对材料性质的影响。晶体生长技术、缺陷的形成与表征也在本章得到详尽的阐述，为后续章节的理论分析奠定基础。随后，本书系统地梳理了量子力学在理解半导体电子行为中的核心作用。我们将深入探讨薛定谔方程在周期势场中的应用，详细推导能带理论，清晰解释绝缘体、半导体和导体的能带结构差异。布里渊区、晶格振动（声子）的概念及其对电子-声子相互作用的影响，也将得到严谨的论证。第二部分：载流子输运与统计学本部分的核心在于解释半导体内部电荷载流子的行为。我们将详细阐述本征半导体的载流子产生与复合机制，以及掺杂对载流子浓度的影响，深入剖析杂质能级及其对导电性能的调控作用。紧接着，本书将系统讲解各种载流子输运现象，包括漂移和扩散。我们将详细推导欧姆定律在半导体中的适用条件，分析霍尔效应的物理本质及其在材料参数测量中的应用。同时，还会深入探讨非平衡载流子动力学，如载流子的寿命、表面复合和俘获等现象，这些对于理解器件的动态响应至关重要。统计物理学的应用贯穿本部分始终。我们将详细介绍费米-狄拉克统计在半导体中的应用，推导本征和掺杂半导体的载流子浓度公式，并深入分析不同温度下的统计行为。第三部分： PN结及其基本器件 PN结是现代半导体器件的基石，本部分将对其进行细致入微的分析。我们将详细阐述PN结的形成过程、势垒的形成机理，以及在外加电压作用下的载流子行为（扩散和漂移）。静电势、电场和载流子浓度的分布在PN结中的变化将得到严谨的推导和讨论。我们将分析PN结的伏安特性曲线，解释其整流作用的物理根源。本部分还将深入探讨PN结的容限效应、雪崩击穿和齐纳击穿等重要的击穿机制。基于PN结的原理，本书将详细介绍几类重要的基本半导体器件：二极管：包括点接触二极管、PN结二极管、肖特基二极管等，阐述其工作原理、特性曲线以及在整流、开关等应用中的作用。晶体管：重点讲解双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），包括其结构、工作原理、放大和开关特性。特别是对MOSFET的详细分析，涵盖其栅极结构、阈值电压、跨导等关键参数，为理解现代集成电路打下基础。第四部分：半导体异质结与器件应用随着半导体材料科学的发展，异质结器件的出现极大地拓展了半导体的应用范围。本部分将重点介绍由不同半导体材料形成的异质结，如GaAs/AlGaAs异质结。我们将详细分析异质结中的能带错配、界面态及其对载流子行为的影响。在此基础上，本书将深入探讨基于异质结的新型器件：双极异质结晶体管（HBT）：分析其相比于BJT的优势，以及在高频应用的潜力。量子阱器件：介绍量子限域效应，以及在激光器、LED等光电器件中的应用。 MOSFET的进一步分析：深入探讨短沟道效应、亚阈值摆幅等高级概念，以及其在CMOS电路中的重要性。第五部分：光与半导体的相互作用本部分将聚焦于光电器件，深入阐述光与半导体的相互作用。我们将详细分析光子在半导体中的吸收与发射过程，解释光生载流子的产生和复合机制。本书将系统介绍各类光电器件的工作原理：光电探测器：包括光电二极管、光电导探测器、光电倍增管等，阐述其探测原理、响应时间、量子效率等关键性能指标。发光二极管（LED）：重点分析其辐射复合过程，不同材料体系的LED发光颜色，以及其在显示和照明领域的应用。激光器：深入讲解半导体激光器的阈值电流、增益谱、输出功率等特性，以及其在高密度信息存储、通信等领域的应用。第六部分：现代半导体技术与未来展望本部分将带领读者了解当前半导体技术的发展现状和前沿领域。我们将讨论先进的半导体制造工艺，如光刻、刻蚀、薄膜沉积等，以及其在实现更小特征尺寸和更高集成度方面的挑战。同时，本书还将介绍一些新兴的半导体材料和器件，如宽禁带半导体（SiC, GaN）在功率器件和高频电子领域的应用；二维材料（如石墨烯）的独特性质及其潜在应用；以及自旋电子学、量子计算等颠覆性技术的发展方向。最后，本书将对半导体科学与技术的未来发展趋势进行展望，鼓励读者在不断变化和进步的领域中进行探索和创新。《半导体物理学》（第7版）力求内容全面、逻辑严谨、物理直观，并通过大量图示和例题，帮助读者深刻理解半导体物理学的精髓，为后续的学习和研究打下坚实的基础。

用户评价

评分☆☆☆☆☆

这是一本让我爱不释手的教材！我一直对半导体这个领域充满好奇，但总觉得理论知识过于抽象，难以把握。直到我翻开《半导体物理学（第7版）》，那种豁然开朗的感觉才真正到来。作者的叙述逻辑清晰，从最基础的概念讲起，比如载流子、能带结构，一步步深入到更为复杂的半导体器件原理。我尤其喜欢书中对于晶体结构和布里渊区的讲解，通过大量的图示和类比，让我这个初学者也能轻松理解那些原本令人望而生畏的数学模型。书中对本征半导体和杂质半导体的区分，以及不同掺杂浓度对费米能级的影响，都解释得非常透彻，让我对半导体的导电机制有了全新的认识。更让我惊喜的是，书中并没有止步于理论的阐述，而是紧密结合了实际应用，比如pn结的形成、二极管和三极管的工作原理，甚至还涉及了一些 MOSFET 的基本特性。这些内容不仅加深了我对理论知识的理解，也让我看到了半导体技术在现代电子产品中的重要地位。整本书的排版也十分精良，重点内容突出，公式推导严谨又不失易读性，注释也十分详尽，让我可以随时查阅不理解的地方。总而言之，这是一本集理论深度、应用广度和教学易度于一体的优秀教材，我强烈推荐给所有对半导体物理学感兴趣的读者，无论你是学生还是研究人员，相信都能从中获益良多。我甚至会把这本书放在床头，时不时翻阅一下，总能在其中找到新的启发。

评分☆☆☆☆☆

《半导体物理学（第7版）》这本书，对我来说，就像是一把开启半导体世界大门的钥匙。我一直对集成电路、微处理器这些“高科技”产品充满了好奇，但总是觉得它们离自己很远，很神秘。直到我开始阅读这本书，我才慢慢明白，这些神奇的电子设备，都是基于一些最基本的半导体物理原理。作者在讲解“能带理论”时，并没有直接使用复杂的数学推导，而是通过一个巧妙的类比，将电子在晶体中的能量状态比作一个多层楼的房间，只有拥有足够的能量，电子才能“跳跃”到更高的楼层，也就是更高的能级。这个比喻让我一下子就理解了半导体为什么会有导电带和价带之分。我最喜欢的部分是关于“载流子输运”的章节，它详细解释了电子和空穴是如何在电场作用下移动，以及它们在晶格中的散射现象。这些内容让我明白了为什么半导体的导电性会受到温度和杂质的影响。书中还涉及到了半导体器件中的一些重要概念，比如“阈值电压”和“漏电流”，这些都为我理解更复杂的电子元件打下了基础。总而言之，这本书是一本非常优秀的入门教材，它用清晰的语言和形象的比喻，将那些复杂的物理概念变得触手可及，让我对半导体世界有了全新的认识。

评分☆☆☆☆☆

《半导体物理学（第7版）》这本书，是我近期阅读过最令人兴奋的一本技术类书籍。作者的叙述方式非常独特，他不仅仅是机械地传授知识，而是通过提问、引导和对比，让读者自己去发现和理解其中的奥秘。在讲解“晶体结构”时，他并没有直接给出复杂的密排结构模型，而是先让读者思考，为什么原子会以特定的方式排列？这种引导性的提问方式，让我对晶体学的基本原理产生了浓厚的兴趣。我最喜欢的部分是关于“量子效应在半导体中的应用”的章节，它详细解释了量子隧穿效应、量子阱等概念，以及它们在现代半导体器件中的应用，比如存储器和量子计算。这些前沿的知识让我看到了半导体物理学在不断发展和创新。书中还对“热电效应”进行了详细的介绍，这让我明白了半导体材料如何将热能转化为电能，或者反过来，这对于能源转换技术具有重要的意义。这本书的优点在于，它能够在保持理论深度的同时，又具备很强的可读性，让我能够深入浅出地理解那些看似高深的概念。每次读完一章，我都会感觉自己对半导体世界的理解又提升了一个层次。

评分☆☆☆☆☆

如果说有一本书能够让我放下手中的手机，沉浸其中，那一定是《半导体物理学（第7版）》。我本来以为这本厚重的教材会是一堆枯燥的公式和理论，但事实却出乎我的意料。作者用一种非常人性化，甚至可以说是有温度的方式，来讲述半导体物理。他不仅仅是罗列事实，而是通过引导性的提问，激发读者的思考。例如，在讲解“费米-狄拉克分布”时，他并没有直接给出复杂的数学表达式，而是先问读者，在一定温度下，电子占据不同能量状态的概率如何变化？这种循序渐进的引导方式，让我感觉自己像是在和一位经验丰富的老师对话，而不是在被动地接受信息。我尤其喜欢书中对于“表面效应”的讨论，它解释了为什么在材料的表面，电子的行为会与体相有很大的不同，这对于理解MOSFET等器件的栅极控制机制至关重要。书中还涉及到了半导体异质结的概念，这让我明白了为什么不同的半导体材料可以巧妙地组合在一起，形成具有特殊功能的器件，比如LED的光电转换效率是如何被提升的。这本书的语言风格非常流畅，即使是遇到一些复杂的高级概念，作者也能用相对通俗易懂的语言来阐释，并配以精美的插图和表格，让整个学习过程更加轻松愉快。

评分☆☆☆☆☆

我是一名对物理学怀有浓厚兴趣的业余爱好者，一直以来都对半导体这个领域感到着迷。《半导体物理学（第7版）》这本书，简直就是为我量身定制的。它在保留了科学严谨性的基础上，用一种非常人性化的方式，将复杂的物理概念娓娓道来。作者在讲解“空穴”这个概念时，用了一个非常形象的比喻，将电子在晶体中的缺失位置比作一个“空位”，然后这个空位可以像粒子一样移动，承担电荷的传输。这个类比让我一下子就理解了空穴的概念，以及它在半导体导电中的重要作用。我尤其喜欢书中关于“pn结的形成和特性”的详尽阐述，它不仅仅讲解了pn结的基本原理，还深入分析了外加电压对pn结内部电场和载流子分布的影响。这些内容让我明白了为什么二极管能够实现单向导电，以及它在整流电路中的应用。书中还涉及到了半导体中的“陷阱”和“发光”现象，这让我对LED和激光器的发光原理有了更深的认识。每次阅读这本书，都感觉自己打开了一扇新的知识大门，让我对这个神奇的半导体世界有了更深刻的理解和感悟。

评分☆☆☆☆☆

我是一名软件工程师，虽然日常工作主要与代码打交道，但一直对硬件底层原理，特别是半导体这个核心领域非常感兴趣。《半导体物理学（第7版）》恰好满足了我的求知欲。这本书的视角非常宏观，它不仅仅局限于微观的粒子行为，而是将这些微观现象与宏观的器件性能紧密地联系起来。作者在讲解能带理论时，采用了非常形象的比喻，例如将电子比作在工厂里搬运货物的工人，需要通过一定的“能量通道”才能到达不同的工作区域，这种类比让我一下子就抓住了核心概念。我特别喜欢书中对“电子-空穴对”以及“载流子浓度”的讨论，它清晰地展示了半导体在不同状态下（如光照、加电场）电导率的变化规律。书中对于“霍尔效应”的讲解更是让我大开眼界，它不仅解释了如何通过霍尔效应来测量载流子类型和浓度，还展示了其在许多实际测量仪器中的应用。此外，书中还涉及到了半导体器件中的一些基本物理过程，如扩散、漂移、以及载流子在电场作用下的加速和散射，这些都为我理解更复杂的半导体器件（如晶体管、二极管）打下了坚实的基础。这本书让我明白了，理解软件的运行，离不开对底层硬件的认知，而半导体物理学正是这其中的关键。

评分☆☆☆☆☆

刚拿到《半导体物理学（第7版）》的时候，我其实是抱着一种“看一看，学点东西”的心态。毕竟，半导体物理听起来就不是那种轻松易懂的学科。然而，事实证明，我的担忧是多余的。这本书的作者，真是一位能够化繁为简的大师。他以一种非常引人入胜的方式，将那些抽象的物理概念，比如电子在晶体中的运动，以及各种能量的相互作用，描绘得栩栩如生。我特别欣赏他对于量子力学在半导体中的应用的处理方式。以往我看过的很多关于这个主题的书，往往会直接抛出复杂的薛定谔方程，让人望而却步。但在这本书里，作者循序渐进，从最基本的粒子行为开始，慢慢过渡到如何用量子力学来解释半导体的能带结构，这个过程非常自然，而且清晰易懂。我最喜欢的部分是关于“有效质量”的章节，它解释了为什么电子在晶体中表现得像拥有不同的质量一样，这对于理解半导体的导电性和传输性质至关重要。此外，书中对于晶格振动，也就是声子的介绍也十分到位，让我明白了温度对半导体性能的影响。我甚至觉得，作者在撰写这本书时，一定设身处地地站在了一个初学者的角度，去思考如何才能让读者最快、最有效地掌握这些知识。这本书不仅仅是知识的堆砌，更像是一次引人入胜的科学探索之旅，让我对半导体这个迷人的领域充满了敬畏和好奇。

评分☆☆☆☆☆

我必须承认，《半导体物理学（第7版）》这本书，彻底改变了我对半导体物理学的刻板印象。一直以来，我都觉得这个领域是属于那些“天才”的，充满了晦涩难懂的数学和物理概念。但是，当我开始阅读这本书后，我发现自己错了。作者以一种非常“接地气”的方式，将那些看似遥不可及的理论，与我们日常生活中的电子产品联系了起来。我至今还记得，在讲解“扩散电流”的时候，作者用了一个非常生动的例子，将电子比作在一个拥挤的房间里，它们会自然地向人少的地方扩散，直到达到一种平衡状态。这种生活化的类比，让我一下子就理解了半导体中载流子的扩散机制。书中对于“漂移电流”的解释也同样精彩，它就像是一个推着小车的人，在平坦的地面上走，速度会随着推力的加大而增加。我特别欣赏书中对“pn结”的深入剖析，它详细解释了正向偏置、反向偏置以及零偏置下pn结的电学特性，这让我明白了二极管和三极管是如何工作的。而且，作者并没有止步于此，他还进一步讨论了npn和pnp晶体管的结构和放大原理，让我看到了半导体器件的层层递进。这本书不仅仅是知识的传递，更是一种思维的启迪，它让我看到了科学的魅力，以及那些伟大发明背后深刻的物理原理。

评分☆☆☆☆☆

对于像我这样，在大学阶段接触过半导体物理，但又因为各种原因，很多细节已经模糊的读者来说，《半导体物理学（第7版）》简直就是一本“及时雨”。这次重读，我有了全新的体会。这本书最大的亮点在于它在保留了核心物理理论精髓的同时，又巧妙地融入了最新的研究进展和技术应用。作者在阐述经典理论时，并没有因为年代久远而显得陈旧，反而通过精炼的语言和恰当的插图，使其焕发出新的生命力。我印象深刻的是关于“载流子复合”的章节，它不仅详细解释了辐射复合和非辐射复合的机理，还联系到了LED和激光器的发光效率问题，让我看到了理论与实际应用之间紧密的联系。对于一些复杂的高级概念，比如“陷阱态”、“表面态”以及“载流子输运理论”中的蒙特卡洛模拟方法，作者也给出了相对易于理解的阐述，并配以相关的物理模型和数学描述。我尤其欣赏书中对于半导体材料分类的详尽介绍，从最常见的硅、锗，到III-V族化合物半导体，以及一些新型的宽禁带半导体，如氮化镓和碳化硅，都进行了详细的特性分析和应用前景展望。这本书让我意识到，半导体物理学远不止于基础理论，它更是支撑着我们现代电子工业蓬勃发展的基石。每一次翻阅，都能学到新的知识，解决一些之前困扰我的疑问，这让我感到非常充实和满足。

评分☆☆☆☆☆

这是一本让我欲罢不能的《半导体物理学（第7版）》。我通常对物理教材的印象就是枯燥乏味，但这本书却给了我截然不同的体验。作者的叙述风格非常活泼，而且总是能恰到好处地插入一些有趣的历史故事或者实际应用案例，让我在学习知识的同时，也能感受到科学发展的脉络。我印象最深刻的是关于“半导体制造工艺”的章节，它详细介绍了光刻、刻蚀、掺杂等关键步骤，让我明白了那些精密的芯片是如何一步步被制造出来的。这种将理论与实践紧密结合的做法，让我觉得非常实用，也更加激发了我对这个领域的热情。书中对“MOSFET”的讲解也尤为精彩，它不仅解释了MOSFET的结构和工作原理，还深入分析了其各种工作模式，比如饱和区、线性区，以及关键参数如跨导和输出电阻的意义。这些内容对于我理解现代电子设备中的核心元件至关重要。此外，书中还对一些新兴的半导体材料和器件，如量子点、二维材料等进行了介绍，让我看到了半导体技术的未来发展方向。总的来说，这本书不仅是一本扎实的教科书，更是一本能够激发读者好奇心和探索欲的读物，我强烈推荐给任何想要深入了解半导体物理学的人。

评分☆☆☆☆☆

会激励恐惧吹进你那几斤几年

评分☆☆☆☆☆

本科用的教材有些老了，换本新的。很不错的一本资料书，时不时看一看，又有新的收货。

评分☆☆☆☆☆

不错的东西，物美价廉。

评分☆☆☆☆☆

还没看，质量不错，需要在来，就怕看不懂

评分☆☆☆☆☆

有点深奥，不是专业人士，真心看不懂。。。

评分☆☆☆☆☆

刚收到了书很好是正品